WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

tion method. The deviation of this ralation was achived by При этом важно подчеркнуть, что величина PI в silane / hydrogen gas mixture concentration changing. The currentэтих ГС находится в соответствии с показателем voltage characteristics and spectral dependence of photosensitivity преломления для объемного c-Si [8], что также типично of formed structure in natural and linearly-polarized radiation для поверхностно-барьерных структур [7].

depending on silicon thin films phase mixture were studied.

The photovoltaic effect and photopleochroism of these structures Таким образом, гетероструктуры на основе тонких were determined. The conclusion was drawn about perspective двухфазных пленок, состоящих из включений микрокриapplications of new type heterostructures in photoconverters of сталлитов Si в аморфной матрице кремния, обнаруживаnatural and linearly-polirized radiation.

ют выпрямление и широкополосный фотовольтаический Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.