WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

аннигиляцией свободных экситонов. Указанные из2. Взаимодействие создаваемых при термообработке менения в экситонных спектрах ФЛ в результате межузельных атомов мышьяка и галлия с расположентермообработки связаны с немонотонным изменением ными в узлах решетки мелкими примесями [10]. Репри возрастании времени отжига их примесного состава, зультатом взаимодействия является вытеснение мелких а именно: а) с увеличением концентрации мелких акцепторов (вероятнее всего, атомов цинка), входящих 4 0 Очевидно, в общем случае IA X Na npdy, ID X NDnpdy 0 в состав связанных экситонов A0X, вследствие их 0 активации при термическом воздействии; б) сначала 0 и IX npdy, где NA и ND — концентрации нейтральных акцептос уменьшением, а затем с возрастанием концентрации ров и доноров, связывающих экситоны [7]. Следовательно, высказанное мелких доноров (вероятнее всего, атомов кремния), 0 утверждение справедливо, если NA, ND = (L), в частности, при входящих в состав связанных экситонов D0X, 0 NA NA и ND ND (последнее выполнялось в эксперименте — см.

вследствие их дезактивации и активации при прогреве;

0 выше). В этом случае IA X NA npdy и ID X ND npdy, 0 в) с усилением экситон-примесного взаимодействия 0 вследствие повышения общего содержания примесей в а нормированные на величину IX интенсивности IA X /Ix NA и ID X /IX ND (см. также [3,7]). кристалле при термическом воздействии.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs Список литературы [1] К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. В сб.:

Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1992) вып. 24, с. 66.

[2] И.Ф. Айбазов, С.Б. Михрин, Б.Е. Саморуков. ФТП, 29, (1995).

[3] А.С. Каминский, Л.И. Колесник, Б.М. Лейферов, Я.Е. Покровский. ЖПС, 36, 745 (1982).

[4] К.Д. Глинчук, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук. ФТП, 34 (5), 530 (2000).

[5] K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk. Phys. St. Sol. (b), 213, 233 (1999).

[6] L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994).

[7] T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulchner. Phys. Rev. B, 45, (1992).

[8] K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk. 43 Int. Scientific Colloquium (Technical University of Ilmenau, Germany, 1998) v. 2, p. 588.

[9] M. Suemitsu, K. Terado, M. Nishijima, N. Miyamoto. J. Appl.

Phys., 70, 2594 (1991).

[10] Чао Чень, В.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, (1994).

[11] J. van de Ven, W.J. Hartmann, L.J. Giling. J. Appl. Phys., 60, 3735 (1986).

[12] O. Ka, O. Oda, Y. Makita, A. Yamada. Appl. Phys. Lett., 61, 1095 (1992).

Редактор Л.В. Шаронова Effect of thermal treatment on luminescence of semi-insulating undoped GaAs crystals K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine

Abstract

Changes in the near-intrinsic photoluminescence spectra of semi-insulating undoped GaAs crystals induced by their thermal treatment at 900C from 20 to 90 min have been studied.

It is shown that the above mentioned thermal treatment essentially changes (transforms) the excitonic portion of the near-intrinsic photoluminescence spectra of as-grown crystals. The findings are connected with the thermally-induced variations in the impurity content of the crystals investigated.

3 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||





© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.