WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

[4] D. Hertel, H. Bassler, U. Scherf, H. Horhold. J. Chem. Phys.

110, 9214 (1999).

[5] Н.Г. Кувшинский, Н.А. Давиденко, В.М. Комко. Физика Рис. 4. Зависимость d(n/n0)/dr от r для АМП на осноаморфных молекулярных полупроводников. Лыбидь, Киев ве пленок ПС + 30% ЭПК + 1% ПК1 (1, 2) и ПС + 20% ТеНФ (1994). 174 c.

+ 1% ПК2 (3, 4) при облучении светом с длиной волны 445 nm [6] А.А. Ищенко. Строение и спектрально-люминесцентные (U = 0.49 eV) (1, 3) и 420 nm (U = 0.65 eV) (2, 4).

свойства полиметиновых красителей. Наук. думка, Киев (1994). 232 с.

[7] Н.А. Давиденко, А.А. Ищенко. Теорет. и эксперим. химия 38, 2, 84 (2002).

ki kS = 5 · 1010 s-1 [6]; число молекул, образующих [8] M. Pope, C.E. Swenberg. Electronic Processes in Organic ближнюю сферу для отдельной молекулы, равно 6;

Crystals. Clarendon Press, Oxford (1982). 725 p.

kDi = D exp -q2(1/ri - 1/ri+1)/40(kBT +U/m), где [9] В.А. Гайсенок, А.М. Саржевский. Анизотропия поглоще = 2.55; D — частотный фактор, учитывающий дифния и люминесценции многоатомных молекул. Изд-во фузию носителя заряда внутри молекул и его тунне- Минского ун-та, Минск (1986). 317 с.

[10] Э.А. Силиньш, М.В. Курик, В. Чапек. Электронные пролирование между молекулами (его считали близким к цессы в органических молекулярных кристаллах. Явления 1012 s-1 [12]); m — число актов рассеивания энергии U локализации и поляризации. Зинатне, Рига (1988). 329 с.

на молекулах к моменту времени t с константой скоро[11] N.A. Davidenko, N.G. Kuvshinsky. Inf. Rec. Mats. 21, сти этого процесса kV = 5 · 1010 s-1 [9]. Условием тепло(1993).

вого равновесия было выбрано U/mkB = 1K. Оказалось, [12] А.К. Кадащук, Н.И. Остапенко, Н.А. Давиденко, Н.Г. Кувчто с ростом h и U среднее расстояние между фотошинский, Н.В. Лукашенко. ФТТ 39, 7, 1183 (1997).

генерированным электроном и центром фотогенерации [13] Н.А. Давиденко, С.Л. Студзинский, Н.А. Деревянко, увеличивается более значительно, чем в случае фотоА.А. Ищенко, Ю.А. Скрышевский, А.Д. Аль-Кадими. Фигенерации дырки. Последнее согласуется с описанными зика и техника полупроводников 36, 10, 1248 (2002).

выше результатами измерений зависимости jPH от T в [14] В.И. Безродный, А.А. Ищенко. Квантовая электроника 30, исследуемых АМП. 1043 (2000).

4. Заключение Проведенный анализ результатов экспериментальных исследований позволяет интерпретировать зависимости энергии активации фотогенерации носителей заряда в АМП от длины волны света и предложить практические рекомендации для выбора АМП с высоким квантовым выходом фотогенерации носителей в коротковолновой части спектра поглощения. Мы считаем, что в АМП фотогенерация подвижных носителей заряда происходит с участием электрон-ядерного взаимодействия и рассеяние избытка тепловой энергии U может способствовать увеличению среднего расстояния между носителями заряда в ЭДП. Этот эффект в большей мере проявляется в АМП с электронным типом проводимости и в меньшей — в АМП с дырочным типом. Поэтому для увеличения квантового выхода фотогенерации носителей тока следует выбирать молекулы центров фотогенера11 Физика твердого тела, 2004, том 46, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.