WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 || 3 |

+ N2. Прыжки электронов между такими ионизованными Грубую оценку темпа релаксации для примеси бора в и нейтральными примесями дают вклад в MCW PC. исследованных нами образцах при случайном распреРассмотрим ситуацию при возбуждении кремния им- делении примесей можно получить из формулы (13a) пульсами излучения интенсивности I и длительности в работе [5]. Так, для минимально возможного рас t, много большей времени жизни свободных носителей стояния до ближайших нейтральных примесей r/a = заряда r, но много меньшей времени релаксации фото- скорость релаксации оказывается порядка 107 с-1, а для ответа UMCW. Тогда за время, превышающее r = 1/Nc, r/a = 10 — не более 10 с-1, т. е. время релаксации установится концентрация свободных носителей заряда может охватывать диапазон в 6 порядков. Но скорость Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп релаксации должна изменяться пропорционально Na3 и слабо зависеть от N2, поскольку примеси в окружении пар в основном нейтральны.

Переходы носителей заряда с участием изолированных ионов примесей с r/a > 5 могут давать вклад в прыжковую MCW PC (рис. 1) до тех пор, пока они не свяжутся в диполи. Локализация происходит в результате прыжкового дрейфа заряда изолированных ионов в притягивающем электрическом поле точечных зарядов компенсирующей примеси. При N+ N- характерное время дрейфа заряда со среднего расстояния R до ближайшего иона компенсирующей примеси есть m = R3/3eµ = /4eµN+, где µ — прыжковая подвижность заряда. Отметим, что m по своей структуре является максвелловским временем релаксации пространственного заряда m = /4 и определяется эффективной проводимостью среды eµN+. При предельной оптической перезарядке временную зависимость концентрации N+ можно описать выражением N+ = Nc exp(-t/m). (5) При этом время m само зависит от концентрации изолированных ионов N+. Для сравнения с экспериментом выражение (5) удобно преобразовать к виду t = -(/4eµNc)(Nc/N+) ln(N+/Nc). (6) Характерным проявлением этой компоненты UMCW должно быть возрастание темпа релаксации как при увеличении Nc, так и при увеличении N и T благодаря возрастанию прыжковой подвижности µ. Следует ожидать, что прыжки с участием ионов N+ будут проявляться при относительно высоких концентрациях N.

Рис. 4. Временные зависимости величины фотоответа При меньших же концентрациях, когда время релакUMCW для Si, легированного примесями в концентрациях N сации пространственного заряда больше периода им(1016 см-3): 1 —In (10), 2 —Sb (2.6), 3 —Ga (6), 4 —B (2.4), пульсного возбуждения, установится квазистационарная 5 —Al (6), 6 —P (6), 7 —As (18).

концентрация N+, и эта переменная компонента UMCW не будет регистрироваться. Таким образом, влияние концентраций примесей и температуры на релаксацию повторявшей ответ UDC и обусловленной свободными MCW PC с участием пар и изолированных примесей носителями заряда. Быстрая и медленная компоненты должно быть существенно различным. Это позволяет UMCW были в одинаковой полярности, соответствоваввыяснить условия, при которых каждый из процессов шей увеличению поглощения MCW излучения из-за преобладает.

возрастания проводимости образцов при возбуждении Для выяснения этого вопроса исследовалась кинетика носителей заряда. Для достижения стабильности отвепримесного фотоответа. Образцы легированного кремта и удовлетворительного отношения сигнала к шуму ния размещались в замкнутом торце 8-миллиметрового при замене образцов была необходима настройка сиволновода [3] и возбуждались импульсами излучения стемы MCW. Кроме того, эффективность возбуждения CO2-лазера (10.6 мкм, h = 117 мэВ) с частотой следования около 200 Гц. Фотоответы в постоянном UDC I SN зависела как от концентрации, так и от природы примесей. По этим причинам количественное сравнение и микроволновом UMCW электрических полях регистриамплитуд ответов UMCW для разных образцов не проворовались стробинтегратором с аппертурами 0.5 и 5 мкс.

дилось, а исследовалась лишь релаксация возбуждения.

Длительность импульса t 0.5 мкс была много больше На рис. 4 приведены временные зависимости фото времени жизни свободных носителей заряда r, но много ответа UMCW для кремния, легированного рядом применьше времени релаксации UMCW. Энергия импульсов при Nc 1014 см-3 обычно не превышала 10-6 Дж и бы- месей III и V групп. Из рисунка видно, что для ла достаточной для насыщения медленной компоненты всех примесей релаксация ответа неэкспоненциальна.

MCW сигнала. Дальнейшее увеличение интенсивности При этом начальное время релаксации соответствует вызывало возрастание лишь быстрой компоненты UMCW, 10-50 мкс и увеличивается до 0.5–2.5 мс при увеличении Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1310 Я.Е. Покровский, Н.А. Хвальковский задержки регистрации. Следует особо отметить, что в кремнии с примесями Al и Ga медленная релаксация возбуждения проявлялась, если концентрация этих примесей N > 5 · 1016 см-3. Как было отмечено, ранее в работах [1,2] были исследованы образцы кремния с Ga и Bi в меньших концентрациях, при которых медленная релаксация не наблюдалась. В кремнии с In при возбуждении CO2-лазером также проявлялась медленная релаксация UMCW. Кванты с энергией 117 мэВ могут ионизовать только пары примесей с энергиями взаимодействия более 5 мэВ (край фотопроводимости — 112 мэВ [13]). Это подтверждает вклад пар основной примеси в прыжковую PC. Однако фотоответ при таком возбуждении был слишком слабым и его нельзя было надежно исследовать. Поэтому для кремния с In на рис. 4 приведена временная зависимость ответа при возбуждени CO-лазером (h = 250 мэВ). Эта зависимость такая же, как и для других примесей при меньших концентрациях. Из рисунка видно также, что темп релаксации зависит от природы примесей. Так, при N = 6 · 1016 см-3 темп релаксации в кремнии с P, Al и Ga уменьшается по мере уменьшения боровских радиусов этих примесей.

Время релаксации UMCW зависит также и от концентрации основной примеси N. На рис. 5 приведены временные зависимости UMCW для кремния, легированного Рис. 6. Временные зависимости величины фотоответа UMCW бором в относительно небольших концентрациях. Видно, для Si, легированного B и P в концентрациях N, 1016 см-3:

что начальное время релаксации изменяется от 25 мкс 1, 2 —2.4; 3 — 11.5; 4, 5 —5.5. Nc, 1015 см-3: 1–3 —0.1;

(N = 1.8 · 1016 см-3) до 10 мкс (N 4 · 1016 см-3), а при 4, 5 —5. T, K: 1, 3, 4 —4.2; 2, 5 — 10.5.

задержке регистрации 1 мс — от 1.2 до 0.5 мс, т. е.

уменьшается приблизительно как 1/N. Однако при равных значениях N временные зависимости UMCW совпа дали, даже если концентрации Nc в образцах отличались в несколько раз. Амплитуда же фотоответа возрастает при увеличении Nc. Это согласуется с данными работы [2], где для серии образцов, легированных B с N = 3.3 · 1016 см-3 и компенсированных P, было установлено, что при частоте модуляции 800–1200 Гц интенсивного (20–50 мВт) возбуждения UMCW Nc. В таком режиме ответы соответствовали началу процесса релаксации, т. е. были приблизительно пропорциональны амплитуде сигналов.

Такие простые зависимости наблюдались лишь при концентрациях бора N < 5 · 1016 см-3. Начиная с этой концентрации вновь проявлялась медленная компонента релаксации UMCW (рис. 6). Из рисунка видно, что при 4.2 K временные зависимости UMCW при t > 0.5мс сходны, хотя концентрации N и Nc в образцах сильно различаются. Однако при повышении температуры до 10.5 K темп релаксации при N = 2.4 · 1016 см-3 не изменялся, в то время как при N = 5.5 · 1016 см-3 он сильно возрастал. Отсюда следует, что при относительно небольших концентрациях бора основной вклад в поляРис. 5. Временные зависимости величины фотоответа UMCW ризационную PC дают прыжковые переходы между близдля Si, легированного B в концентрациях N, 1016 см-3: 1 —1.8, 2 —2.4, 3 —3.3, 4 — 3.95. Nc = 1014 см-3. кими парами основной примеси (рис. 5), в то время как Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп несколько порядков выше величин, типичных для легированного кремния при термодинамическом равновесии.

Более того, проводимость образца с N = 5.5 · 1016 см-возрастает при повышении температуры от 4.до 10.5 K всего на 1 порядок, в то время как при энергии активации E3 = 4.3 мэВ, соответствующей этой концентрации, следовало бы ожидать возрастания приблизительно в 250 раз (см. [17,18] и ссылки там же). Такое расхождение естественно по двум причинам. Во-первых, при низких температурах в отсутствие возбуждения большинство ионов основной примеси связано в диполи [4], которые не дают вклада в прыжковую проводимость. Во-вторых, дрейф заряда ионов основной примеси происходит в результате нескольких прыжков в потенциальной яме по состояниям примесей с энергиями, уменьшающимися по мере приближения к ионам компенсирующей примеси.

Такой перенос заряда не является активационным и его скорость может вообще не зависеть от температуры.

Возможно, что наблюдаемая температурная зависимость связана с термической ионизацией диполей при 10.5 K [4], приводящей к увеличению равновесной концентрации N+ и возрастаниию темпа релаксации.

Это, безусловно, имеет место для сильно легированного и слабо компенсированного образца (N = 1.15 · 1017, Nc = 1014 см-3), у которого при 10.5 K проявлялся лишь начальный короткий спад UMCW, а при увеличении Рис. 7. Временные зависимости функции MCW фотоответа задержки наблюдалось только шумовое плато. Таким (U0/U) ln (U/U0) для Si, легированного B и P в концентрациобразом, прыжковая проводимость в постоянном ях N, 1016 см-3: 1 — 11.5, 2 —5.5, 3 —5.5. Nc, 1015 см-3:

электрическом поле точечных зарядов, определяющая 1 —0.1; 2, 3 —5. T, K: 1, 2 —4.2; 3 — 10.5.

скорость релаксации микроволновой PC, принципиально отличается от перколяционной прыжковой проводимости во внешнем электрическом поле. При величинах при возрастании N проявляется медленная релаксация проводимости, определенных из рис. 7, медленную UMCW, связанная с вкладом в PC изолированных ионов.

компоненту релаксации PC в постоянном электрическом В последнем случае временная зависимость UMCW N+ поле было бы легко обнаружить уже при 4.2 K. Однако должна описываться уравнением (6).

даже при повышенных температурах и достаточно На рис. 7 приведены временные зависимости UMCW чувствительном методе регистрации (отношение сиг для двух образцов, представленные, согласно (6), в виде нала к шуму 103) такую компоненту UDC выделить не удалось. Детальное обсуждение температурной [U(0)/U(t)] ln[U(t)/U(0)] = t. (7) и концентрационной зависимостей поляризационной PC из-за ограниченности экспериментальных данных Видно, что экспериментальные точки хорошо ложатся представляется преждевременным.

на прямые линии, согласно (7). Отсюда следует, что подвижность µ не зависит от времени и имеет обычный физический смысл. Наклон прямых линий 4. Заключение должен соответствовать величине /4eµNc. Из рис. следует, что для образца с концентрациями Предложено новое объяснение физической природы N = 5.5 · 1016, Nc = 5 · 1015 см-3 при T = 4.2K поляризационной прыжковой фотопроводимости леги (0) =2.4 · 10-8 Ом-1см-1, при 10.5 K (0) = рованного кремния в MCW электрическом поле. Оно = 2 · 10-7 Ом-1 · см-1. Соответственно прыжковые основано на учете оптической перезарядки различных подвижности µ равны 3 · 10-5 и 2 · 10-4 см2/(В · с). состояний примесей III и V групп — изолированных Для образца c N = 1.15 · 1017, Nc = 1014 см-3 при 4.2 K ионов, пар основной примеси и примесных диполей (пар (0) =2 · 10-8 Ом-1см-1, µ = 1.25 · 10-3 см2/(В · с). основной и компенсирующей примесей). По спектрам Эти результаты подтверждают вклад прыжковых пере- полос поглощения оценены концентрации N2 пар приходов изолированных ионов N+ в поляризационную PC. месей в кремнии, легированном B, Al, Ga, In, P, As, Sb Однако абсолютные значения прыжковой проводимости в концентрациях N = 1016-1018 см-3. Установлено, что в постоянном электрическом поле, оцененные нами, на эти полосы проявляются, если N2 > 10-2N. При этом Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1312 Я.Е. Покровский, Н.А. Хвальковский чем меньше боровский радиус a основного состояния [3] И.В. Алтухов, Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова и др. ФТП, 24, 1134 (1990).

примесей, тем при больших концентрациях проявляется [4] В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучадлинноволновое поглощение. Показано, что медленная тельная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Издрелаксация MCW PC и длинноволновое поглощение во Петербургского ин-та физики им. К.И. Константинова парами примесей возникают в одних и тех же областях РАН, 1997).

концентраций. Исследована кинетика релаксации MCW [5] M. Pollak, T.M. Geballe. Phys. Rev., 122, 1724 (1961).

PC при примесном возбуждении короткими импульса[6] A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Progr. Phys., 44, ми. Установлено, что релаксация неэкспоненциальна и (1981).

что ее темп возрастает при увеличении N и a, но [7] Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. ЖЭТФ, 103, слабо зависит от температуры. На примере примеси B (1993).

показано, что эти закономерности выполняются при [8] Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова. ЖЭТФ, 102, 660 (1992).

N < 5 · 1016 см-3, а при больших концентрациях вновь [9] Ya.E. Pokrovskii, N.A. Khvalkovskii. Phys. St. Sol.(c), No возникает более медленная релаксация MCW PC, темп (2003).

которой возрастает при возрастании температуры. Пред[10] Таблицы физических величин (М., Атомгиз, 1976).

ложены простые уравнения, позволяющие объяснить [11] Sh.M. Kogan, A.F. Polupanov. Inst. Phys. Сonf. Ser., No 95, основные экспериментальные результаты. 527 (1988).

Фотовозбуждение полупроводника вызывает случай- [12] Л.Б. Лопатин, Я.Е. Покровский. ЖЭТФ, 87, 1381 (1984).

[13] B. Baron, M.H. Young, Neeland, O.J. Marsh. Appl. Phys. Lett., ную ионизацию примесей, а захват носителей заряда — 30, 694 (1977).

оптическую перезарядку примесных состояний. При [14] G.A. Thomas, M. Capizzi, F. DeRosa et al. Phys. Rev., 23, этом концентрация диполей N+-, в которые до возбу5472 (1981).

ждения были связаны ионы основной и компенсирующей [15] Я.Е. Покровский, О.И. Смирнова, Н.Ф. Хвальковский.

примесей, уменьшается, а концентрации ионизованных ЖЭТФ, 122, 97 (2002).

примесей в парах N2 и изолированных ионов N+ воз [16] W. Scott. Appl. Phys. Lett., 32, 540 (1978).

растает. Эти ионы участвуют в прыжковых переходах [17] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства и дают вклад в MCW PC. При увеличении интенсивлегированных полупроводников (М., Наука, 1979).

ности возбуждения достигается предельная оптическая [18] R.K. Ray, H.Y. Fan. Phys. Rev., 121, 768 (1961).

Pages:     | 1 || 3 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.