WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В частности, было выяснено, что последующий нагрев [22] H.S. Anderson. J. Phys. Chem. 72, 2384 (1980).

полученных таким способом кластеров до температур [23] S. Stappert, B. Rellinghaus, M. Acet, E.F. Wassermann. Proc.

порядка 400–500 K в течение всего нескольких наноMat. Res. Soc. 704, 73 (2002).

секунд позволяет существенно улучшить их внутрен[24] K. Mannien, M. Mannien. Eur. Phys. J. D. 20, 243 (2002).

нюю структуру с преимущественным формированием ГПУ-фазы. При нагреве нанокластеров выше температуры плавления с последующим постепенным их охлаждением процесс формирования структуры в значительной мере зависит от скорости охлаждения. Таким образом, открывается принципиальная возможность контроля формирования кластеров Ni с ожидаемой структурой и, следовательно, с определенными физическими свойствами. Это может быть необходимо для производства современных технических устройств, в частности новых накопителей информации для компьютерной техники.

Один из авторов (С.Л.Г.) благодарит Немецкую службу академических обменов (DAAD) за предоставленную возможность работы в Universitt Duisburg-Essen (Germany).

Список литературы [1] H.G. Rubahn. Nanophysik und Nanotechnologie. Teubner, Stuttgart (2002). 246 p.

[2] W. Fahrner. Nanotechnologie und Nanoprozesse. Springer, Berlin (2003). 294 p.

[3] Nanomaterials: Syntesis, Properties and Applications / Ed. A.S. Edelstein, R.C. Cammarata. Institute of Physics Publishing, Bristol (1996). 596 p.

[4] A. Giesen, A. Kowalik, P. Roth. Phase Trans. 77, 115 (2004).

[5] H.J. Freund, S.H. Bauer. J. Phys. Chem. 81, 994 (1977).

[6] R.W. Siegel, S. Ramasamy, H. Hahn, Li Zongquan, Lu Ting, R. Gransky. J. Mater. Res. 3, 1367 (1988).

[7] S. Stappert, B. Rellinghaus, M. Acet, E.F. Wassermann.

J. Cryst. Growth 252, 440 (2003).

[8] J.A. Ascencio, M. Perez, M. Jose-Yacaman. Surf. Sci. 447, (2000).

[9] J.M. Soler. Phys. Rev. B 61, 5771 (2000).

[10] F. Balleto, R. Ferrando, A. Fortunelli, F. Montalenti, C. Mottet.

J. Chem. Phys. 116, 3865 (2002).

[11] D. Reinhard, B.D. Hall, P. Berthoud, S. Valkealahti, R. Monot.

Phys. Rev. B 58, 4917 (1998).

[12] B.D. Hall. J. Appl. Phys. 87, 1666 (2000).

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.