WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

The investigation of absorption spectra in n-type [27] И.С. Горбань, А.С. Скирда. Укр. физ. журн., 26, 228 (1981).

[28] Г.Н. Виолина, Е. Лян-сю, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 5, 3406 nitrogen doped 6H-SiC crystals from the near infrared up to (1963).

fundamental band region at polarization E C and E C has [29] Г.Н. Виолина, Б.И. Селезнев, Ю.М. Таиров. ФТП, 7, been carried out. It is for the first time that at E C a slight (1973).

absorption band with maximum at 2.85 eV has been investigated.

[30] О.В. Вакуленко. Б.М. Шутов. ФТП, 13, 2002 (1979).

All absorption bands observed were caused by photoionization [31] Th. Stiasny, R. Helbig. Phys. S. Sol. (a), 162, 239 (1997).

of nitrogen donors in to above-lying minima of the conduction [32] W. Suttrop, G. Pensl, W.J. Choyke, R. Stein, S. Leibenzeder.

band, the minima being seattered at different critical points of the J. Appl. Phys., 72, 3708 (1992).

Brillouin zone. The analysis of data obtained and experimental [33] О.В. Вакуленко, О.А. Гусева. ФТТ, 15, 528 (1981).

data available on the photoionization of nitrogen, alongside with [34] S. Limpijumnong, W.R.L. Lambrecht, S. Rashkeev, B. Segall.

theoretical data on the structure of the conduction band make Phys. Rev. B, 59, 12 890 (1999).

it possible to propose the structure and symmetry of additional [35] F. Engelbrecht, J. Zeman, G. Wellenhofer, C. Peppermller, R. Helbig, G. Martinez, U. Rssler. Phys. Rev. B, 56, 7348 extrema in Brillouin zone for 6H-SiC.

(1997).

[36] C. Persson, U. Lindefelt, B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 60, 16 479 (1999).

[37] A. Imai. J. Phys. Soc. Japan., 21, 2610 (1966).

[38] Г.Б. Дубровский, А.А. Лепнева. ФТТ, 19, 1252 (1977).

[39] A.H.G. de Mesquita. Acta Cryst., 23, 610 (1967).

[40] C. Kittel, A. Mitchell. Phys. Rev., 96, 1488 (1954). [В кн.:

Проблемы физики полупроводников (М., 1957) с. 505].

[41] J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev. B., 97, 869 (1955). [Вкн.:

Проблемы физики полупроводников (М., 1957) с. 515].

[42] M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, (1980).

[43] А.И. Вейнгер. ФТП, 3, 20 (1969).

[44] Г.Е.Г. Хардеман, Г.Б. Герритсен. В кн.: Карбид кремния, под ред. Г. Хениша, Р. Роя. (М., Мир, 1972) с. 201. [Пер.

с англ.: G.E. Hardeman, G.V. Gerritsen. Mater. Res. Bull., 4, 261 (1969)].

[45] Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986) гл. 5, с. 216. [Пер. с англ.: B.K. Ridley.

Quantum processes in semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1982)].

[46] И.С. Горбань, В.А. Губанов, В.Ф. Орленко. ФТТ, 23, (1981).

[47] И.С. Горбань, А.П. Крохмаль, И.А. Рожко. ФТТ, 31, (1989).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.