WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

барьер для реализации критического состояния, суще- [19] Д.М. Берча, О.Б. Митин, А.В. Ришко. В сб: Материалы ствующий для обычного квадратичного закона диспе- оптоэлектроники, (Киев, Техника, 1992) вып. 1. 81.

[20] Д.М. Берча, О.Б. Митин, Л.Ю. Харкалис, А.И. Берча. ФТТ, рсии. Развивающаяся неустойчивость за счет появления 37, 3233 (1995).

носителей с бесконечно большим и отрицательными [21] Д.М. Берча, Л.Ю. Хархалiс, О.Б. Мiтiн. УФЖ, 40, массами наиболее вароятно разрешается переходом в (1995).

неоднородное состояние.

[22] А.Н. Борец. Деп ВИНИТИ N 2475-75 (Ужгород, 1975).

Итак, в разных подходах убеждаемся, что закон дис[23] А.С. Давыдов. Теория твердого тела (М., Наука, 1976).

персии (1) позволяет получить неоднородность в виде [24] Д.М. Берча, О.Б. Митин, И.М. Раренко, Л.Ю. Хархалис, капель мультиконденсона, которые, по-видимому, являА.И. Берча. ФТП, 28, 1249 (1994).

ются причиной специфических особенностей физиче[25] В.Я. Курячий, Г.Ю. Богачев, В.П. Михальченко, И.М. Стаских свойств кристалла In4Se3 (реализаци температур- хира. Изв. Ан СССР. Неорг. матер., 22, 855 (1986).

[26] С.И. Пекар, В.И. Пипа, В.Н. Писковой. Письма ЖЭТФ, 12, ной зависимости электропроводности по закону Мотта 338 (1970).

в достаточно широком интервале температур [30], час[27] В.А. Кочелап, В.Н. Соколов, Б.Ю. Венгалис. Фазовые тотной зависимости электропроводности [31], сложной переходы в полупроводниках с деформационным температурной зависимости термоэдс [32] и параметра электрон-фононным взаимодействием. (Киев, Наук.

анизотропии электропроводности, многократной инвердумка, 1984).

сии коэффициента Холла [32], анизотропного рассеяния [28] В.И. Пипа, В.Н. Писковой. ФТТ, 14, 2286 (1972).

рентгеновских лучей [2], отклонении от закона Гука при [29] В.А. Кочелап, В.Н. Соколов. ЖЭТФ, 65, 823 (1973).

малых напряжениях [33]).

[30] I.М. Стахiра, В.П. Савчин, Г.М. Демкiв. УФЖ, 38, (1993).

Авторы благодарят А.Н. Борца за помощь в анали[31] I.М. Стахiра, Г.М. Демкiв, О.Е. Флюнт. УФЖ, 40, зе связи топологии изоэнергетических поверхностей с (1995).

плотностью состояний, а также Ал.Л. Эфроса за дискус[32] В.П. Савчин. ФТП, 15, 1430 (1981).

сию по материалах статьи.

[33] А.А. Логвиненко, И.М. Спитковский, И.М. Стахира. ФТТ, 16, 2743 (1974).

Редактор В.В. Чалдышев Список литературы Low energy unparabolicity and condenson [1] U.H. Schwarz, H. Hillebrecht, H.J. Deiseroth, R. Walter. Z.

Kristallographie, 210, 342 (1995). states in In4Se3 crystals [2] О.И. Бодак, Ю.М. Орищин, В.П. Савчин. Кристаллография, D.M. Bercha, L.Yu. Kharkhalis, A.I. Bercha, 25, 628 (1980).

M. Shnajder [3] И.М. Стахира, П.Г. Ксьондзик. УФЖ, 26, 762 (1981).

[4] И.М. Стахира, П.Г. Ксьондзик. УФЖ, 27, 1196 (1982).

University of Uzhgorod, [5] А.Б. Оныскив, Ю.М. Орищин, В.П. Савчин, И.М. Стахира, 294000 Uzhgorod, the Ukraine И.М. Фецюх. ФТП, 24, 423 (1990).

Institute of Physics of Pedagogical University, [6] В.П. Захарко, В.П. Савчин, И.М. Стахира, Г.П. Шеремет.

Rzhesow, Poland ФТТ, 23, 1881 (1981).

[7] Е.П. Жадько, Э.И. Рашба, В.А. Романов, И.М. Стахира, К.Д. Товстюк. ФТТ, 7, 1777 (1965).

[8] C. Julien, A. Khelfa, J.P. Guesdon. Mater. Sci. Engin., B27, (1994).

[9] C. Julien, A. Khelfa, N. Benramdane, J.P. Guesdon, P. Dzwonkowski, I. Samaras, M. Balkanski. Mater. Sci. Engin., B23, 105 (1994).

[10] N. Benramdane, R.H. Misho. Sol. Energy Mater. and Solar.

Cells, 37, 367 (1995).

[11] Д.М. Берча, В.Т. Маслюк, М.П. Заячковский. УФЖ, 20, 1417 (1975).

[12] Ф.В. Моцный. Автореф. докт. дис. (Киев, 1993).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.