WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Уменьшение концентрации центров безызлучатель- Данные картограммы рис. 5 означают, что приграничной рекомбинации после отжига дало возможность ные области монокристаллического зерна шириной до наблюдения люминесценции кристалла при комнат- 100 мкм были в некоторой степени вычищены от ценной температуре (краевая полоса с максимумом при тров безызлучательной рекомбинации, очевидно, благо1.502 эВ/821 нм — зона–зона, экситон и его LO-фонон- даря геттерирующим свойствам межзеренной границы.

ные повторения [16]). Как уже отмечалось, при 100 K С этим, вероятно, отчасти связано и отмеченное выше собственная (экситонная) люминесценция была относи- уменьшение контраста примесно-дефектной картограмтельно равномерно распределена по поверхности образ- мы после отжига (рис. 3–4). Из рис. 5 следует, что вышесказанное было свойственно также субзеренной границе раздела в центре зерна.

4. Заключение В настоящей работе продемонстрирована высокая эффективность микрофотолюминесценции для изучения примесно-дефектного состава и структуры теллурида кадмия, полученного в неравновесных технологических процессах, включающих низкотемпературный синтез из глубокоочищенных исходных компонентов и последующую очистку соединения в условиях конгруентной сублимации, движения пара в режиме газодинамических потоков и высокой скорости конденсации при низкой температуре. Вследствие перечисленных особенностей кристаллизации, для исследованного материала были Рис. 4. Микрофотолюминесцентная картограмма области мохарактерны элементы как равновесной, так и неравнозерна после отжига образца при 700C в парах Cd в течение новесной аранжировки примесно-дефектной структуры.

70 ч (длина волны примесно-дефектного излучения 840 нм, температура образца 100 K). Принципиальным моментом выполненных исследоваФизика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1302 В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков ний явилась необходимость локального анализа образ- The influence of the grain boundaries цов. Несмотря на относительно большой размер зерен on the properties of cadmium telluride (1–2мм), материал в целом обладал свойствами как grown by nonequilibrium methods моно-, так и поликристаллов. По результатам микролюV.V. Ushakov, Yu.V. Klevkov минесцентного анализа примесно-дефектный состав приграничных и внутренних областей монокристаллических Solid State Physics Department, зерен довольно заметно отличались. Большинство межP.N. Lebedev Physical Institute, зеренных границ было декорировано примесно-дефектRussian Academy of Sciences, ными центрами, излучающими в полосе межпримесной 119991 Moscow, Russia рекомбинации 1.4 эВ с участием мелких доноров и акцепторов A-центров. Кроме того, благодаря сегрегации

Abstract

Microphotoluminescence spectral analysis and imagна меж- и субзеренных границах раздела приграничные ing were used to study the influence of the grain boundaries on the области зерен были в определенной мере вычищены от properties of the 1–2 mm grain size textures of cadmium telluride активных при комнатной температуре центров безызgrown by nonequilibrium methods including the low temperature лучательной рекомбинации. Геттерирующая активность synthesis and the compound refinement in congruent sublimation, межзеренных границ прослеживалась до „глубины“ поgasodynamic flow and high velocity of vapour condensation рядка 100 мкм.

regimes at low temperature. According to the microluminescence probing most of the grain boundaries were decorated by local cenРабота выполнена по проекту РФФИ 01-02-16500.

ters emitting 1.4 eV shallow donor–A-center acceptor luminescence band. In addition, the grain boundary regions were purified from the room temperature active luminescence killers. Grain boundary Список литературы getter activity was traced as deep as up to 100 micrometers, which was a characteristic of the nonequilibrium material crystallization.

[1] В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков. ФТП, 37 (9), 1067 (2003).

[2] Grain Boundaries in Semiconductors, ed. by H.J. Leamy, G.E. Pike, C.H. Seager (N. Y.-Amsterdam-Oxford, NorthHolland, 1982).

[3] А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев, А.В. Пересторонин, А.Ф. Плотников. ФТП, 34, 19 (2000).

[4] Y. Klevkov, S. Medvedieff. Brevet (France) N 2782932.

[5] K. Zanio. In: Semiconductors and Semimetals, ed by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y.-San-Francisco-London, Academic Prss, 1978) v. 13.

[6] T. Taguchi, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Jap. J. Appl. Phys., 12, (1973).

[7] B. Furgolle, M. Hoclet, M. Vandevyver, Y. Marfaing, R. Triboulet. Sol. St. Commun., 14, 1237 (1974).

[8] C.B. Norris, C.E. Barnes. Rev. Phys. Appl., 12, 219 (1977).

[10] W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weiger, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz.

Phys. Rev. B, 51, 10 619 (1995).

[11] G. Brunthaler, W. Jantsch, U. Kaufmann, J. Schneider.

J. Phys. C, 1, 1925 (1989).

[12] D.M. Hofmann, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B, 45, 6247 (1992).

[13] K. Durose, G.J. Russell. J. Cryst. Growth, 86, 471 (1988).

[14] D. Shaw. J. Cryst. Growth, 86, 778 (1988).

[15] J.L. Pautrat, N. Magnea, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 53, (1982).

[16] J. Lee, N.C. Giles, D. Rajavel, C.J. Summers. Phys. Rev. B, 49, 1668 (1994).

Редактор Л.В. Беляков Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.