WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

aB =. (12) 1 +(Eg/P)P/Eg0 (1 + P/Eg0) [2] Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979).

Здесь = 0.025 эВ/ГПа, индекс „0“ соответствует атмо[3] A.R. Hutson. Phys. Rev., 108 (2), 222 (1957).

сферному давлению. Согласно (12), в n-InSb, например, [4] D.C. Look, C. Coskun, B. Claffin, G.C. Farlow. Physica B, при увеличении давления до 1 ГПа aB убывает в 1.9, по340–342, 32 (2003).

(M) [5] П. Ю., М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., роговая величина концентрации доноров Ni перехода Физматлит, 2002).

металл–диэлектрик (переход Мотта) возрастает в 7 раз, [6] M. Grundman, H. von Weckstern, R. Pickenhain, S. Wemэнергия основного состояния донора возрастает более hold, B. Chengnui, O. Breitenstein. Phys. Rev., 194, 47 (2004).

чем в 2 раза. При определенном уровне легирования и [7] V. Nikitenko. NATO, S. Series, II Math. Phys. Chem., 194, компенсации вследствие эффекта „барического вымора(2004).

живания“ (аналог магнитного „вымораживания“) носи[8] М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП, 35 (1), телей заряда на примесные центры могут наблюдаться (2001).

переход от состояния сильного к состоянию слабого [9] Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводнилегирования и соответственно фазовый переход металл– ках (Л., Наука, 1970).

диэлектрик.

[10] М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. ФТП, 19 (5), 936 (1985).

[11] М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Э. Рамазанова. Изв. вузов.

5. Заключение Физика, № 98 (1986).

[12] M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, R.Rh. Akchurin.

Исследования электронного транспорта оксида цинка Phys. Status Solidi B, 223 (1–2), 529 (2001).

позволили:

[13] M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, A.B. Magomedov.

— уточнить энергию ионизации уровня мелкого доPhys. Status Solidi B, 235 (2), 297 (2001).

норного центра и его зависимость от концентрации этих [14] М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46 (10), доноров; 1766 (2004).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1294 М.И. Даунов, Р.К. Арсланов, М.М. Гаджиалиев, Е.В. Кортунова, П.П. Хохлачев, П.П. Шванский [15] М.И. Даунов, Р.К. Арсланов, М.М. Гаджиалиев, Е.В. Кортунова, П.П. Хохлачев, П.П. Шванский. Тез. докл.

VII Росс. конф. по физикие полупроводников (М., 2005) с. 50.

[16] R.K. Arslanov, M.M. Gadjialiev, M.I. Daunov, P.P. Khokhlachev, P.P. Shvansky. Progr. and Book of Abstr., Joint 20th AIRAPT–43rd EHPRG Conf. (Germany, Karlsruhe, 2005) p. 205.

Редактор Т.А. Полянская The ZnO electrophysical and thermoelectrical properties under atmospheric and hydrostatic pressure M.I. Daunov, R.K. Arslanov, M.M. Gadjialiev, E.V. Kortunova, P.P. Khokhlachev, P.P. Shvansky Institute of Physics, Daghestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, 367003 Makhachkala, Russia Research Institute for Minerals, 601600 Alexandrov, Vladimir Region, Russia

Abstract

The temperature (T = 77-400 K) and baric (P 8GPa) dependences of conductivity (T, P), Hall coefficient RH(T, P) and thermo e.m.f. Q(T ) in monocrystal sample n-ZnO with impurity concentrations Ni = 1017-1018 cm-and concentration of free electrons n = 1013-1017 cm-3.

Monocrystals are grown by a hydrothermal method. Concentration dependence of ionization energy of small donor level Ed1(Nd) as well as pressure coefficients of Ed1/P and static dielectric constant /P are obtained. The presence of a deep defect level located under the bottom of conduction band at Ed2 = 0.37 eV is found. The effective electron mass is calculated according to the data on RH(T ) and Q(T ).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.