WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 ||

тельная рекомбинация и безызлучательный оже-процесс Разработанные и исследованные светодиоды находят СНСС, при котором один электрон совершает межзонширокое применение в системах экологического мониный, а другой внутризонный переход с сохранением торинга и медицинской диагностики, а также во всех тех энергии и импульса. Вычислены и сопоставлены с эксслучаях, где требуется определение линий поглощения периментальными данными излучательное (r ) и безызпаров воды, метана, двуокиси углерода, окиси углерода, лучательное (a ) времена жизни неосновных носителей ацетона, аммония и многих других неорганических и заряда при межзонной рекомбинации. Во всем темпеорганических веществ.

ратурном интервале 77–300 K результирующее время жизни ra близко к экспериментально измеренной по- Работа частично поддержана проектом РФФИ № 04-02-17655 и частично проектом CRDF стоянной времени спада интенсивности излучения при № RPO-1407-ST-03.

выключении тока. С ростом температуры рассчитанные 3/r увеличиваются как T, а a уменьшается в среднем -3/как T. При температурах 200–300 K они равны.

Список литературы Когда они равны, теоретический внутренний квантовый выход излучения равен 50%.

[1] A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev., 16 (3), 38 (1996).

Для максимального вывода наружу генерированного [2] M.R. Murti, B. Grietens, C. Van Hoof, G.J. Borghs. J. Appl.

излучения использовались различные методы. Так, на Phys., 78 (1), 578 (1995).

корпус ТО-18 монтировался параболический отража[3] I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R. Ram-Mohan. Appl. Phys. Rev., тель, что позволяло сколлимировать излучение све89 (11), 5815 (2001).

тодиода в угле 10-12, наносился эпоксидный ком[4] Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, М.Г. Мильвидский, паунд в виде линзы, что обеспечивало расходимость М. Мухитдинов, Э.С. Михайев, В.М. Рожков, Е.Г. Шевпотока излучения на половине максимальной высоченко. Измер. техника, № 6, 65 (1981).

ты интенсивности 16-20, использовалась конструкция [5] А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А. Гусейнов, А.Н. Именков, flip-chip, позволившая расположить активную область А.М. Литвяк, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (9), 845 (1988).

близко к отводящему тепло основанию корпуса и вы[6] А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именвести световой поток через подложку, не закрытую ков, Н.М. Колчанова, Е.А. Сидоренкова, Ю.П. Яковлев.

контактом. Для самых коротковолновых светодиодов Письма ЖТФ, 15 (18), 71 (1989).

(max = 1.65-1.75 мкм) использовалась конструкция с [7] А. Андаспаева, А.Н. Баронов, Е.А. Гребенщикова, А.А. Гуудалением подложки и выводом излучения через шисейнов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Г.М. Филаретова, рокозонный n-слой, что позволило существенно уменьЮ.П. Яковлев. ФТП, 23 (8), 1373 (1989).

шить поглощение в кристалле. Разработан метод обра[8] А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именботки светоизлучающих кристаллов путем химической ков, Н.М. Колчанова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24 (10), огранки их подложечной части, позволяющий придавать (1990).

ей конусно-пирамидальную форму и увеличивать чис[9] Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 22 (8), 1381 (1988).

ло граней кристалла. Химическая огранка кристаллов [10] P.T. Landsberg, A.R. Beattie. J. Phys. Chem. Sol., 8 (1), увеличивает внешний квантовый выход излучения и (1959).

делает диаграмму направленности почти полусфериче- [11] A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Roy. Soc. (London), ской. Придание кристаллам светодиодов вида ступен- 249 (256), 16 (1959).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра... [12] Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводни- Light emitting diodes based on GaSb ках (М., 1964) с. 392.

alloys for mid-infrared 1.6–4.4 µm [13] А.А. Андаспаева, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.А. Поspectral range пов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 19 (24), 5 (1993).

[14] M. Nakao, S. Yashida, S. Gonda. Sol. St. Commun., 49, T.N. Danilova, B.E. Zhurtanov, A.N. Imenkov, (1986).

Yu.P. Yuakovlev [15] А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, Ioffe Physicotechnical Institute, 23 (18), 12 (1997).

[16] А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, Russian Academy of Sciences, 23 (20), 19 (1997).

194021 St. Petersburg, Russia [17] А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (2), 72 (1998).

Abstract

Presented is a review of the authors’ articles on light [18] Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинemitting diodes (LED’s) in the 1.6-4.4 µm spectral range, being ская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, fabricated on GaSb substrates. Lattice matched to GaSb and thick В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (2), 239 (1999).

enough LED heterostructures have been fabricated by a liquid[19] Б.Е. Журтанов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчаноphase epitaxy. Double AlGaAsSb/GaInAsSb heterostructures had ва, А.Е. Розов, Н. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, a high Al content (64%) in wide-gap layers. 1.6–1.8 µm LED’s 27 (5), 1 (2001).

were fabricated with n-AlGaAsSb active region, both 1.8–2.4 and [20] A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. J. Phys. D:

Appl. Phys., 32, 3117 (1999). 3.4–4.4 µm LED’s were fabricated with n-GaInAsSb active region.

[21] Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. ИменMeasured 5–50 ns nonequilibrium charge carriers lifetime was ков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003).

about the theoretical value, taking into account only radiative [22] Т.И. Воронина, Б.Е. Журтанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиand Auger CHCC volume recombination. Auger recombination повская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32 (3), was predominant at temperatures above 200 K for 3.4–4.4 µm (1998).

LED’s and 300 K for 1.6–2.4 µm LED’s. Measured external [23] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Дави quantum yield achieved 6% at 300 K for 1.9–2.2 µm. At room дюк, В.Р. Ларионов, Л.Т. Чичуа. Письма ЖТФ, 2 (23), temperature the CW optical power 3.7W at the current 150 mA, (1976).

the peak optical power 7 mW at the current 300 mA (0.5 filling) [24] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Да and 190 mA at the current 1.4 A (0.005 filling) were achieved.

видюк, В.Р. Ларионов, В.М. Марахонов, Е.К. Смирнова, High-efficiency 3.4–4.4 µm LEDs operating at room temperature Г.Н. Шелованова. ЖТФ, 45 (2), 374 (1975).

[25] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Да- threefold ensures increase of the external quantum yield ( 1%) видюк, В.Р. Ларионов, В.Д. Румянцев. ФТП, 9 (7), as compared to the known InAsSb/InAsSbP heterostructure grown (1975).

on an InAs substrate.

[26] В.Б. Халфин, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк. ФТП, 10 (8), 1490 (1976).

[27] Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Да видюк, В.Р. Ларионов, В.Б. Халфин. ФТП, 10 (8), (1976).

[28] I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2174 (1993).

[29] R. Windisch, P. Heremans, A. Knobloc, P. Kiesel, G.H. Dohler, B. Dutta, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2256 (1999).

[30] Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, А.В. Черняев, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (12), 1465 (2003).

[31] Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев.

ФТП, 38 (6), 745 (2004).

[32] О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и IV групп (М., Мир, 1967).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.