WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 ||

[38] T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R.S. Wil[71] Л.Н. Александров, Р.Н. Ловягин, О.П. Пчеляков, liams. Appl. Phys. A, 67, 727 (1998).

С.И. Стенин. В сб.: Рост и легирование полупровод[39] R.S. Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, Наука, berg. J. Phys. Chem. B, 102, 9605 (1998).

1977) ч. II, с. 139.

[40] T.I. Kamins, G.A.D. Briggs, R. Stanley Williams. Appl. Phys.

[72] I. Berbezier, B. Gallas, A. Ronda, J. Derrien. Surf. Sci., Lett., 73, 1862 (1998).

412/413, 415 (1998).

[41] F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, [73] Б.З. Ольшанецкий, В.И. Машанов, А.И. Никифоров. ФТТ, (1998); Microsc. Microanal., 4, 254 (1998).

23, 2567 (1981).

[42] Н.В. Востоков, С.А. Гусев, И.В. Долгов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, Л.Д. Молдавская, [74] Z. Gai, R.G. Zhao, H. Ji, X. Li, W.S. Yang. Phys. Rev. B, 56, А.В. Новиков, В.В. Постников, Д.О. Филатов. ФТП, 34, 12 308 (1997).

8 (2000). [75] B.Z. Olshanetsky, V.I. Mashanov. Surf. Sci., 111, 414 (1981).

2 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1298 О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров...

[76] B.Z. Olshanetsky, A.E. Solovyov, A.E. Dolbak, A.A. Maslov. [109] G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys.

Surf. Sci., 306, 327 (1994). Lett., 66, 1767 (1995).

[77] F. Liu, F. Wu, M.G. Lagally. Chem. Rev., 97, 1045 (1997). [110] A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Thin Sol. Films, 336, 332 (1998).

[78] D.J. Eaglesham, A.E. White, L.C. Feldman, N. Moriya, [111] A.I. Yakimov, C.J. Adkins, R. Boucher, A.V. Dvurechenskii, D.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett., 70, 1643 (1993).

A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, G. Biskupskii. Phys. Rev. B, [79] J. Walz, A. Greuer, G. Wedler, T. Hesjedal, E. Chilla, R. Koch.

59, 12 598 (1999).

Appl. Phys. Lett., 73, 2579 (1998).

[112] A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Ni[80] M. Abdallah, I. Berbezier, P. Dawson, M. Serpentini, G. Brekiforov, C.J. Adkins. J. Phys.: Condens. Matter., 11, mond, B. Joyce. Thin Sol. Films, 336, 256 (1998).

(1999).

[81] J. Zhu, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 72, [113] A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, (1998).

O.P. Pchelyakov. Phys. Low-Dim. Structur. 3/4, 99 (1999).

[82] K. Sakamoto, H. Matsuhata, M.O. Tanner, D. Wang, [114] S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert.

K.L. Wang. Thin Sol. Films, 321, 55 (1998).

J. Appl. Phys., 84, 3747 (1998).

[83] H. Omi, T. Ogino. Appl. Surf. Sci., 130–132, 781 (1998).

[115] M. Sugawara, K. Mukai, H. Shoji. Appl. Phys. Lett., 71, [84] H. Omi, T. Ogino. Phys. Rev. B, 59, 7521 (1999).

(1997).

[85] D. Martou, P. Gentile, N. Magnea. J. Cryst. Growth. 201/202, [116] J.L. Liu, W.G. Wu, A. Balandin, G.L. Jin, K.L. Wang. Appl.

101 (1999).

Phys. Lett., 74, 185 (1999).

[86] Y. Homma, P. Finnie, T. Ogino, H. Noda, T. Urisu. J. Appl.

[117] P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, Phys., 86, 3083 (1999).

D. Bouchier. Appl. Phys. Lett., 74, 401 (1999).

[87] C.W. Oh, E. Kim, Y.H. Lee. Phys. Rev. Lett., 76, 776 (1996).

[118] Д.К. Шредер. В кн.: Приборы с зарядовой связью (М., [88] A. Nagashima, T. Kimura, J. Yoshino. Appl. Surf. Sci., 130– Мир, 1982) с. 70.

132, 248 (1998).

[119] S. Sauvage, P. Boucaud, J.-M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Phys.

[89] T. Tezuka, N. Sugiyama. J. Appl. Phys., 83, 5239 (1998).

Rev. B, 58, 10 562 (1998).

[90] V. Le Thanh. Thin Sol. Films, 321, 98 (1998).

[120] P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter, [91] X. Deng, M. Krishnamurthy. Phys. Rev. Lett., 81, A.A. Darhuber, G. Bauer, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Vac.

(1998).

Sci. Technol. B, 16, 1575 (1998).

[92] O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst. Thin [121] S.K. Zhang, H.J. Zhu, F. Lu, Z.M. Jiang, Xun Wang. Phys.

Sol. Films, 321 70 (1998).

Rev. Lett., 80, 3340 (1998).

[93] O. Leifeld, R. Hartmann, E. Mller, E. Kaxiras, K. Kern, [122] В.Я. Алешкин, Н.А. Букин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, D. Grtzmacher. Nanotechnol., 10, 122 (1999).

А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма [94] E.S. Kim, N. Usami, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 72, ЖЭТФ, 67, 46 (1998).

(1998).

[123] M. Grassi, M. Alessi, A.S. Capizzi, A. Bhatti, F. Frova, [95] A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., P. Martelli, A. Frigeri, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev.

72, 320 (1998).

B, 59, 7620 (1999).

[96] T.I. Kamins, R.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 71, [124] X. Wang, Z. Jiang, H. Zhu, F. Lu, D. Huang, X. Liu, C. Hu, (1997).

Y. Chen, Z. Zhu, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 71, 3543 (1997).

[97] T.I. Kamins, R.S. Williams, D.P. Basile. Nanotechnol., 10, [125] C.S. Peng, Q. Huang, Y.H. Zhang, W.Q. Cheng, T.T. Sheng, (1999).

C.H. Tung, J.M. Zhou. Thin Sol. Films, 323, 174 (1998).

[98] O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, L.V. Sokolov.

[126] P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, Thin Sol. Films, 36, 299 (1997).

D. Bouchier, J.-M. Lourtioz. Thin Sol. Films, 336, 240 (1998).

[99] Л.В. Соколов, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, А.И. Торопов, [127] E.S. Kim, N. Usami, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 72, С.И. Стенин. Поверхность, 9, 75 (1985).

(1998).

[100] M.A. Lamin, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov, A.I. Toropov, [128] E. Mateeva, P. Sutter, M.G. Lagally. Appl. Phys. Lett., 74, S.I. Stenin. Surf. Sci., 207, 418 (1989).

567 (1999).

[101] N. Ohshima, Y. Koide, S. Zaima, Y. Yasuda. J. Cryst. Growth, [129] E. Palange, G. Capellini, L. Di Gaspare, F. Evangelisti. Appl.

115, 106 (1991).

Phys. Lett., 68, 2982 (1996).

[102] Y. Koide, A. Furukawa, S. Zaima, Y. Yasuda. J. Cryst. Growth, [130] R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Luth. Appl.

115, 365 (1991).

Phys. Lett., 66, 445 (1995).

[103] C. Tatsuyama, T. Terasaki, H. Obata, T. Tanbo, H. Ueba. J.

Редактор Т.А. Полянская Cryst. Growth, 115, 112 (1991).

[104] K. Reginski, M.A. Lamin, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov. Surf. Sci., 327, 93 (1995).

[105] A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. J. Phys.: Condens. Matter., 6, 2573 (1994).

[106] U. Meirav, E.B. Foxman. Semicond. Sci. Technol., 10, (1995).

[107] R.C. Ashoori, H.L. Stormer, J.S. Weiner, L.N. Pfeiffer, S.J. Pearton, K.W. Baldwin, K.W. West. Phys. Rev. Lett., 68, 3088 (1992).

[108] А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. ЖЭТФ, 68, 125 (1998).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования... Quantum dots in silicon-germanium nanostructures: mechanism of formation and electronic properties O.P. Pchelyakov, Yu.B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, L.V. Sokolov, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlnder Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia Research Centre, Juelich, Germany

Abstract

Commonly accepted knowledge concerning the mechanisms of formation of nanosized Ge islands is critically reviewed based in the light of the latest publications. Elastic deformations in epitaxial films and three-dimensional Ge islands on Si are the key factor that not only causes the morphological planar to island film transition (Stranski–Krastanow mechanism) but also affects the further stages of island evolution involving the shape, size and spatial distribution of the islands. In many cases this factor modifies considerably the classical stages of mechanisms of phase formation and their consequent quasiequilibrium existence as threedimensional Ge nanoislands on the surface of Si substrate. Methods appropriate for improving the ordering of quantum dot ensembles and obtaining extremely small island sizes and the highest densities of their areal distribution are being discussed. The literature data on light absorption in multilayer Ge–Si systems with quantum dots have been reviewed. The data is an evidence in favour of anomalously large interband cross sections that makes the given family of nanostructures promising in designing photodetecting devices of infrared range. Innovative studies of electrical and optical properties of self-assembled Ge quantum dots synthesized by MBE on Si substrates are revised.

2 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.