WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||

[109] D. Paget, J.E. Bonnet, V.L. Berkovits, P. Chiaradia, J. Avila.

[77] K. Sato, H. Ikoma. Japan. J. Appl Phys., 32, 921 (1993).

Phys. Rev. B, 53, 4604 (1996).

[78] T. Scimeca, Y. Watanabe, F. Maeda, R. Berrigan, M. Oshima.

[110] S. Maeyama, M. Sugiyama, M. Oshima. Surf. Sci., 357–358, J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 3090 (1994).

527 (1996).

[79] N. Shibata, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 31, 3976 (1992).

[111] S. Tsukamoto, N. Koguchi. Japan. J. Appl. Phys., 33, L[80] C.W. Wilmsen, K.M. Geib, J. Shin, R. Iyer, D.L. Lile, (1994).

J.J. Pouch. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 851 (1989).

[112] M.D. Pashley, D. Li. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1848 (1994).

[81] W.M. Lau, S. Jin, X.-W. Wu, S. Ingrey. J. Vac. Sci. Technol. B, [113] Y. Haga, S. Miwa, E. Morita. Appl. Surf. Sci., 107, 58 (1996).

8, 848 (1990).

[114] Z.H. Lu, M.J. Graham, X.H. Feng, B.X. Yang. Appl. Phys.

[82] C.S. Sundararaman, S. Poulin, J.F. Currie, R. Leonelli. Can. J.

Lett., 60, 2773 (1992).

Phys., 69, 329 (1991).

[115] O.L. Warren, G.W. Anderson, M.C. Hauf, K. Griffits, [83] W.M. Lau, R.W.M. Kwok, S. Ingrey. Surf. Sci., 271, P.R. Norton. Phys. Rev. B, 52, 2959 (1995).

(1992).

2 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1298 В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев [116] J.-M. Jin, M.W.C. Dharma-wardana, D.J. Lockwood, [148] S. Shikata, H. Okada, H. Hayashi. J. Appl. Phys., 69, G.C. Aers, Z.H. Lu, L.J. Lewis. Phys. Rev. Lett., 75, 878 (1991).

(1995). [149] K.C. Hwang, S.S. Li, C. Park, T.J. Anderson. J. Appl. Phys., [117] Z. Tian, M.W.C. Dharma-wardana, Z.H. Lu, A. Cao, 67, 6571 (1990).

L.J. Lewis. Phys. Rev. B, 55, 5376 (1997).

[150] A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, [118] M.W.C. Dharma-wardana, Z. Tian, Z.H. Lu, L.J. Lewis. Phys.

S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 71, 4411 (1992).

Rev. B, 56, 10526 (1997).

[151] H. Xu, S. Belkouch, C. Aktik, W. Rasmussen. Appl. Phys.

[119] E. Dudzik, A. Leslie, E. O’Toole, I.T. McGovern, A. Pachett, Lett., 66, 2125 (1995).

D.R.T. Zahn, J. Ldecke, D.P. Woodruff, B.C.C. Cowie. J.

[152] B. Rotelli, L. Tarricone, E. Gombia, R. Mosca, M. Perotin. J.

Phys.: Condens. Matter, 8, 15 (1996).

Appl. Phys., 81, 1813 (1997).

[120] E. Dudzik, A. Leslie, E. O’Toole, I.T. McGovern, A. Pachett, [153] C.R. Moon, B.-D. Choe, S.D. Kwon. H. Lim. J. Appl. Phys., D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 104 / 105, 101 (1996).

81, 2904 (1997).

[121] B.J. Skromme, C.J. Sandroff, E. Yablonovich, T.J. Gmitter.

[154] J.-L. Lee, D. Kim, S.J. Maeng, H.H. Park, J.Y. Kang, Y.T. Lee.

Appl. Phys. Lett., 51, 2022 (1987).

J. Appl. Phys., 73, 3539 (1993).

[122] E. Yablonovitch, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl.

[155] M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys.

Phys. Lett., 51, 439 (1987).

Lett., 53, 66 (1988).

[123] В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма [156] Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Г.И. Котов. Письма ЖТФ, 16, ЖТФ, 22, вып. 18, 37 (1996).

вып. 9, 22 (1990).

[124] V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, N.-M. Binh, M. Friedrich, [157] H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima.

D.R.T. Zahn. Semicond. Sci. Technol., 13, 611 (1998).

Japan. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991).

[125] D. Paget, A.O. Gusev, V.L. Berkovits. Phys. Rev. B, 53, [158] Y.K. Kim, S. Kim, J.M. Seo, S. Ahn, K.J. Kim, T.-H. Kang, (1996).

B. Kim. J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 1124 (1997).

[126] D. Liu, T. Zhang, R.A. LaRue, J.S. Harris, T.W. Sigmon. Appl.

[159] J.-F. Fan, Y. Kurata, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 28, Phys. Lett., 53, 1059 (1988).

L2255 (1989).

[127] J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 27, [160] T. Kikawa, S. Takatani, Y. Tezen. Appl. Phys. Lett., 60, L2125 (1988).

(1992).

[128] E.B. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чер[161] L.J. Huang, K. Rajesh, W.M. Lau, S. Ingrey, D. Landheer, нобай. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейJ.-P. Noel, Z.H. Lu. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 792 (1995).

тронные исследования, № 12, 59 (1996).

[162] G. Eftekhari. J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 3214 (1994).

[129] S.-F. Ren, Y.-C. Chang. Phys. Rev. B, 41, 7705 (1990).

[163] D. Landheer, G.H. Yousefi, J.B. Webb, R.W.M. Kwok, [130] K.N. Ow, X.W. Wang. Phys. Rev. B, 54, 17 661 (1996).

W.M. Lau. J. Appl. Phys., 75, 3516 (1994).

[131] J. Guo-Ping, H.E. Ruda. J. Appl. Phys., 79, 3758 (1996).

[164] P.D. DeMoulin, S.P. Tobin, M.S. Lundstrom, M.S. Carpenter, [132] H. Ishimura, K. Sasaki, H. Tokuda. Inst. Phys. Conf. Ser., M.R. Melloch. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-9, 368 (1988).

106, 405 (1990).

[165] Е.Б. Новиков, Р.В. Хасиева, Г.А. Шакиашвили. ФТП, 24, [133] I.K. Hau, D.H. Woo, H.J. Kim, E.K. Kim. J.I. Lee, S.H. Kim, 1276 (1990).

K.N. Kang, H. Lim, H.L. Park. J. Appl. Phys., 80, 4052 (1996).

[166] M. Protin, P. Coudray, A. Etcheberry, L. Gouskov, [134] T.K. Paul, D.N. Bose. J. Appl. Phys., 70, 7387 (1991).

C. Debiemme-Chouvy, H. Luquet. Mater. Sci. Eng. B, 28, [135] W.D. Chen, X.Q. Li, L.H. Duan, X.L. Xie, Y.D. Cai. Appl.

(1994).

Surf. Sci., 100 / 101, 592 (1996).

[167] X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, K. Oshimo, [136] L.A. Farrow, C.J. Sandroff, M.C. Tamargo. Appl. Phys. Lett., M. Aoyama, M. Kumagawa, N.L. Rowell. Appl. Surf. Sci., 51, 1931 (1987).

113 / 114, 388 (1997).

[137] G.P. Schwartz, G.J. Gualtieri. J. Electrochem. Soc., 133, [168] И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Льво(1986).

ва, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 653 (1997).

[138] R.S. Besser, C.R. Helms. Appl. Phys. Lett., 52, 1707 (1988).

[169] X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, T. Iida, T. Kato, [139] H. Hasegawa, H. Ishii, T. Sawada, T. Saitoh, S. Konishi, M. Aoyama, Y. Suzuki, N. Sanada, Y. Fukuda, M. Kumagawa.

Y. Liu, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1184 (1988).

Japan. J. Appl. Phys., 37, 55 (1998).

[140] V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., [170] T. Tamanuki, F. Koyama, K. Iga. Japan. J. Appl. Phys., 30, 82, 2640 (1997).

499 (1991).

[141] В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев, D.R.T. Zahn.

[171] T. Tamanuki, F. Koyama, K. Iga. Japan. J. Appl. Phys., 31, ФТП, 31, 1350 (1997).

3292 (1992).

[142] V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, A.F. Ivankov, W. Bauhofer, [172] W.S. Hobson, U. Mohideen, S.J. Pearton, R.E. Slusher, F. Ren.

D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 133, 17 (1998).

Electron. Lett., 29, 2199 (1993).

[143] T. Chasse, A. Chasse, H. Peisert, P. Streubel. Appl. Phys. A, [173] W.S. Hobson, F. Ren, U. Mohideen, R.E. Slusher, 65, 543 (1997).

M. Lamont Schnoes, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, [144] Y. Watanabe, F. Maeda. Appl. Surf. Sci., 117 / 118, 642 (1995).

(1997).

[174] L.F. DeChiaro, C.J. Sandroff. IEEE Trans. Electron. Dev., [145] R.N. Nottenburg, C.J. Sandroff, D.A. Humphrey, T.H. HolED-39, 561 (1992).

lenbeck, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 52, 218 (1988).

[175] R. Hakimi, M.-C. Amann, Semicond. Sci. Technol., 12, [146] H.L. Chuang, M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lund(1997).

strom, E. Yablonovitch, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 57, [176] G. Beister, J. Maege, D. Gutsche, G. Erbert, J. Sebastian, 2113 (1990).

K. Vogel, M. Weyers, J. Wurfl, O.P. Daga. Appl. Phys. Lett., [147] A. Kapila, V. Malhotra, L.H. Camnitz, K.L. Seaward, 68, 2467 (1996).

D. Mars. J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 10 (1995).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников AIIIBV. О б з о р [177] M.R. Melloch, M.S. Carpenter, D.E. Dungan, D. Li, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 56, 1064 (1990).

[178] N. Furuhata, Y. Shiraishi. Japan. J. Appl. Phys., 37, 10 (1998).

[179] F.S. Turco, C.J. Sandroff, D.M. Hwang, T.S. Ravi, M.C. Tamargo. J. Appl. Phys., 68, 1038 (1990).

[180] Y. Miyamoto, H. Hirayama, T. Suemasu, Y. Miyake, S. Arai.

Japan. J. Appl. Phys., 30, L672 (1991).

[181] V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L’vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 63, 970 (1993).

[182] T. Chikyow, N. Koguchi. Appl. Phys. Lett., 61, 2431 (1992).

[183] L.S. Hung, G.H. Braunstein, L.A. Bosworth. Appl. Phys.

Lett., 60, 201 (1992).

[184] S. Omori, H. Ishii, Y. Nihei. Surf. Sci., 121 / 122, 241 (1997).

[185] Y.-h. Wu, T. Toyoda, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita. Japan.

J. Appl. Phys., 29, L144 (1990).

Редактор Л.В. Шаронова Chalcogenide passivation of III–V semiconductor surface (a review) V.N. Bessolov, M.V. Lebedev A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

The current progress in the surface passivation of III–V semiconductors by chalcogen atoms (sulfur and selenium) has been reviewed. The main attention is paid to peculiarities of the formation of the surface chemical bonds, and of the atomic structure and electronic properties of the surface of III–V semiconductors coated with chalcogen atoms. Recent successful applications of chalcogenide passivation in semiconductor technology and future trends of the development of this technique are being discussed.

Fax: +7(812)E-mail: bes@triat.ioffe.rssi.ru(Bessolov) mleb@triat.ioffe.rssi.ru(Lebedev) 2 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.