WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 || 7 |

гим методом повышения стабильности свойств пассиХалькогенидная пассивация позволяет заращивать вированных приборов является защита пассивированной слои твердых растворов, содержащих алюминий, что поверхности слоем диэлектрика. Например, микродисобычно сталкивается с серьезными трудностями из-за ковые лазерные структуры GaAs / AlGaAs, сульфидировысокой скорости их окисления. В работе [171] с помо- ванные в водном растворе сульфида аммония, излучали щью эпитаксии из металлорганических соединений было в течение 2 мин до полной деградации, в то время как осуществлено заращивание меза-структуры Al0.3Ga0.7As защита поверхности этих лазеров слоем SiNx привела к слоем Al0.1Ga0.9As, что позволило существенно понизить тому, что эмиссия оставалась стабильной в течение всего скорость интерфейсной рекомбинации на стенках меза- периода исследования (около 2 ч) [173].

структуры и создать низкопороговые лазеры. В дальДругие полупроводники характеризуются более вынейшем [181] методом жидкофазной эпитаксии было сокой стабильностью свойств сульфидного покрытия.

осуществлено заращивание слоев AlxGa1-xAs с большим Так, например, фотолюминесцентные характеристики содержанием алюминия (0.3 < x < 0.8), выдержанных InP, сульфидированного в водных растворах сульфида на воздухе в течение суток и обработанных затем в натрия, практически не деградировали под действием сульфидном растворе.

возбуждающего излучения He–Ne-лазера [134]. ХаракИнтересный эксперимент был проведен авторатеристики GaAsSb-фотодиода, обработанного в водном ми [182], которые осуществили рост микрокристаллов растворе сульфида аммония, оставались стабильными в GaAs на поверхности GaAlAs, покрытой атомами селена.

течение одного года после сульфидирования без защиты Средний размер полученных микрокристаллов состаповерхности слоем диэлектрика [166].

влял 45 нм, причем отклонение от среднего размера не превышало 12%. Расстояние между микрокристаллами 6. Заключение составляло около 200 нм. Следует отметить, что для подготовки поверхности GaAlAs (перед загрузкой ее в Исследование химической и электронной пассивации камеру молекуляно-пучковой эпитаксии для нанесения поверхности полупроводников AIIIBV атомами халькогетонкого селенового покрытия и эпитаксии GaAs) испольнов, ведущееся в последние годы, безусловно способзовалась пассивация в растворе сульфида аммония.

ствует как углублению наших представлений о поверхХалькогенидная пассивация использовалась и для подностных свойствах полупроводников, так и дальнейшему готовки поверхности GaAs и InP к эпитаксиальному развитию полупроводниковой технологии. Однако в этой выращиванию на ней широкозонных полупроводникообласти исследований осталось еще много неясного.

вых и диэлектрических слоев, в частности GaF2 и Какие пути дальнейшего развития данного направлеBaF2 [183,184], ZnS и ZnSe [185].

ния существуют с нашей точки зрения В первую очередь, это выяснение возможностей упра5.3. Деградация пассивированных структур вления поверхностными свойствами полупроводников Для многих применений пассивации вопросом пер- AIIIBV. На сегодняшний день наши знания о свойвостепенной важности является обеспечение долговре- ствах поверхности полупроводников, модифицированной менной стабильности улучшенных электронных свойств чужеродными атомами, не позволяют получать поверхпассивированных гетерограниц и приборов. Уже при ность с заданной заранее электронной структурой, т. е.

первом успешном применении сульфидной пассивации с желаемым изгибом зон и распределением плотности для улучшения характеристик биполярного транзистора поверхностных состояний. В то же время химическое соGaAs / AlGaAs [8] повышенный коэффициент усиления стояние атома перед адсорбцией может в существенной Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1296 В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев степени определять электронную структуру поверхно- [16] B.A. Kuruvilla, G.V. Ghaisas, A. Datta, S. Banerjee, S.K. Kulkarni. J. Appl. Phys., 73, 4384 (1993).

сти, и поэтому установление закономерностей влияния [17] Z.S. Li, W.Z. Cai, R.Z. Su, G.S. Dong, D.M. Huang, X.M. Ding, химических процессов на электронные свойства поверхX.Y. Hou, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3425 (1994).

ности представляется актуальным.

[18] K. Tsuchiya, M. Sakata, A. Funyu, H. Ikoma. Japan. J. Appl.

Во-вторых, дальнейшее развитие халькогенидной пасPhys., 34, 5926 (1995).

сивации невозможно без привлечения более совершен[19] A.S. Weling, K.K. Kamath, P.R. Vaya. Thin Sol. Films, 215, ных экспериментальных методов изучения атомной и 179 (1992).

электронной структурой для выяснения взаимосвязи хи[20] S.R. Lunt, G.N. Ryba, P.G. Santangelo, N.S. Lewis. J. Appl.

мических процессов и эффективности электронной пасPhys., 70, 7449 (1991).

сивации поверхности полупроводников AIIIBV.

[21] J.F. Dorsten, J.E. Maslar, P.W. Bohn. Appl. Phys. Lett., 66, Наконец, в-третьих, развития исследований взаимодей1755 (1995).

ствия поверхности полупроводников AIIIBV с атомами [22] K. Asai, T. Miyashita, K. Ishigure, S. Fukatsu. J. Appl. Phys., 77, 1582 (1995).

халькогенов будет стимулироваться новыми приложени[23] S. Weiguo. Appl. Phys. A, 52, 75 (1991).

ями метода халькогенидной пассивации в полупроводни[24] J. Yota, V.A. Burrows. J. Vac. Sci. Technol. A., 11, 1083 (1993).

ковой электронике.

[25] A.J. Howard, C.I.H. Ashby, J.A. Lott, R.P. Schneider, Хотим выразить свою глубокую благодарность R.F. Corless. J. Vac. Sci. Technol. A., 12, 1063 (1994).

Б.В. Царенкову, под руководством которого мы [26] X.Y. Hou, W.Z. Cai, Z.Q. He, P.H. Hao, Z.S. Li, X.M. Ding, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 60, 2252 (1992).

начинали свою работу. Считаем своим приятным [27] В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедолгом поблагодарить П.С. Копьева за поддержку.

дев. Письма ЖТФ, 21, вып. 1, 46 (1995).

Оригинальные работы авторов, упомянутые в обзо[28] V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci.

ре, поддержаны Российским фондом фундаментальных Technol. B, 14, 2761 (1996).

исследований, Фондом Сороса и фондом Volkswagen- [29] В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Ю.М. Шерняков, Б.В. Царенков. Письма ЖТФ, 21, вып. 14, 53 (1995).

Stiftung. Авторы выражают глубокую признательность [30] V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, этим организациям.

B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Eng. B, 44, 380 (1997).

[31] M. Liehr, H. Luth. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1200 (1979).

Список литературы [32] J. Massies, F. Dezaly, N.T. Linh. J. Vac. Sci. Technol., 17, (1980).

[1] A.M. Green, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, [33] J.R. Waldrop. J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 1197 (1985).

(1993).

[34] Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшкин, В.Д. Стрыгин, В.Н. Моргу[2] D.L. Lile. Technologies for Optoelectronics. SPIE, 869, нов. ЖТФ, 56, 913 (1986).

(1987).

[35] N. Barbouth, Y. Berthier, J. Oudar, J.-M. Moison, M. Bensous[3] P. Viktorovitch. Rev. Phys. Appl., 25, 895 (1990).

san. J. Electrochem. Soc., 133, 1663 (1986).

[4] P. Viktorovitch, M. Gendry, S.K. Krawczyk, F. Krafft, [36] M.G. Nooney, V. Liberman, R.M. Martin. J. Vac. Sci. Technol.

P. Abraham, A. Bekkaoni, Y. Monteil. Appl. Phys. Lett., 58, A, 13, 1837 (1995).

2387 (1991).

[37] P. Klopfenstein, G. Bastide, M. Rouzeyre, M. Gendry, J. Du[5] M. Kasu, T. Makimoto, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 68, rand. J. Appl. Phys., 63, 150 (1988).

955 (1996).

[38] J.S. Herman, F.L. Terry, Jr.. Appl. Phys. Lett., 60, 716 (1992).

[6] P.R. Varekamp, M.C. Hkansson, J. Kanski, D.K. Shuh, [39] G.Y. Gu, E.A. Ogryzlo, P.C. Wong, M.Y. Zhou, M. Bjrkquist, M. Gothelid, W.C. Simpson, U.O. Karlsson, K.A.R. Mitchell. J. Appl. Phys., 72, 762 (1992).

Y.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 54, 2101 (1996).

[40] L. Koenders, M. Blomacher, W. Mnch. J. Vac. Sci. Technol.

[7] M. Passlack, M. Hong, J.P. Mannaerts, R.L. Opila, S.N.G. Chu, B, 6, 1416 (1988).

N. Moriya, F. Ren, J.R. Kwo. IEEE Trans. Electror. Dev., 44, [41] L. Roberts, G. Hughes, B. Fennema, M. Carbery. J. Vac. Sci.

214 (1997).

Technol. B, 10, 1862 (1992).

[8] C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl.

[42] R.S. Bhide, S.V. Bhoraskar, V.J. Rao. J. Appl. Phys., 72, Phys. Lett., 51, 33 (1987).

(1992).

[9] M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin.

[43] N. Yoshida, S. Chichibu, T. Akane, M. Totsuka, H. Uji, Appl. Phys. Lett., 52, 2157 (1988).

S. Matsumoto, H. Higuchi. Appl. Phys. Lett., 63, 3035 (1993).

[10] J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 27, [44] K.R. Zavadil, C.I.H. Ashby, A.J. Howard, B.E. Hammons.

L1331 (1988).

J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1045 (1994).

[11] H.H. Lee, R.J. Racicot, S.H. Lee. Appl. Phys. Lett., 54, [45] V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, E.B. Novikov, B.V. Tsarenkov. J.

(1989).

Vac. Sci. Technol. B, 11, 10 (1993).

[12] K.C. Hwang, S.S. Li. J. Appl. Phys., 67, 2162 (1990).

[46] V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci.

[13] Y. Wang, Y. Darici, P.H. Holloway. J. Appl. Phys., 71, Eng. B, 44, 376 (1997).

(1992).

[47] A.F. Wells. Strurctural Inorganic Chemistry (Claredon Press, [14] M.G. Mauk, S. Xu, D.J. Arent, R.P. Mertens, G. Borghs. Appl.

Oxford, 1986).

Phys. Lett., 54, 213 (1989).

[48] V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L’vova, E.B. Novikov, [15] C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, R. Bhat, J.P. Harbison, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., C.C. Chang. J. Appl. Phys., 67, 586 (1990).

70, 3707 (1991).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников AIIIBV. О б з о р [49] J.L. Leclercq, E. Bergignat, G. Hollinger. Semicond. Sci. [84] Y. Tao, A. Yelon, E. Sacher, Z.H. Lu, M.J. Graham. Appl. Phys.

Technol., 10, 95 (1995). Lett., 60, 2669 (1992).

[50] T. Ishikawa, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 31, 3981 (1992). [85] F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima. Appl. Phys. Lett., 62, [51] Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63, 655 (1993).

(1994).

[86] T. Chasse, H. Peisert, P. Streubel, R. Szargan. Surf. Sci., [52] M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, 331–333, 434 (1995).

W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 845 (1989).

[87] Y. Fukuda, Y. Suzuki, N. Sanada, S. Sasaki, T. Ohsawa. J. Appl.

[53] C.J. Sandroff, M.S. Hegde, C.C. Chang. J. Vac. Sci. Technol. B, Phys., 76, 3059 (1994).

7, 841 (1989).

[88] S. Maeyama, M. Sugiyama, S. Heun, M. Oshima. J. Electron.

[54] C.J. Spindt, R.S. Besser, R. Cao, K. Miyano, C.R. Helms, Mater., 25, 593 (1996).

W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 2466 (1989).

[89] G.W. Anderson, M.C. Hanf, P.R. Norton, Z.H. Lu, M.J. Gra[55] H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nanham. Appl. Phys. Lett., 65, 171 (1994).

nichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991).

[90] M. Sugiyama, N. Yabumoto, S. Maeyama, M. Oshima. Japan.

[56] H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi.

J. Appl. Phys., 34, L1588 (1995).

Surf. Sci., 242, 335 (1991).

[91] A.J. Nelson, S. Frigo, R. Rosenberg. J. Appl. Phys., 71, [57] J. Shin, K.M. Geib, C.W. Wilmsen. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, (1992).

2337 (1991).

[92] A.J. Nelson, S. Frigo, R. Rosenberg. J. Vac. Sci. Technol. A, [58] P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A.A. Cafolla, G. Hughes, 11, 1022 (1993).

L. Koenders, P. Bailey. Phys. Rev. B, 50, 14237 (1994).

[93] R.W.M. Kwok, W.M. Lau. J. Vac. Sci. Technol. A, 10, [59] K. Sato, M. Sakata, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 32, (1992).

(1993).

[94] R.W.M. Kwok, G. Gin, B.K.L. So, K.C. Hui, L. Hwang, [60] M. Sakata, H. Ikoma. Japan. J. Appl. Phys., 33, 3813 (1994).

W.M. Lau, C.C. Hsu, D. Landheer. J. Vac. Sci. Technol. A, [61] J.S. Herman, F.L. Terry, Jr.. J. Vac. Sci. Technol. A., 11, 13, 652 (1995).

(1993).

[95] Ю.Г. Галицин, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев, Р.А. Соко[62] W. Ranke, J. Finster, H.J. Kuhr. Surf. Sci., 187, 112 (1987).

лов, Н.А. Валишева. Поверхность. Физика, химия, механи[63] T. Tiedje, K.M. Colbow, D. Rogers, Z. Fu, W. Eberhardt. J.

ка, №5, 108 (1992).

Vac. Sci. Technol. B, 7, 837 (1989).

[96] Ю.А. Кудрявцев, Е.Б. Новиков, Н.М. Стусь, Е.И. Чайкина.

[64] V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci.

ФТП, 26, 1742 (1992).

Technol. B, 15, 876 (1997).

[97] N. Yoshida, M. Totsuka, J. Ito, S. Matsumoto. Japan. J. Appl.

[65] E.A. Miller, G.L. Richmond. J. Phys. Chem. B, 101, Phys., 33, 1248 (1994).

(1997).

[98] L. Geelhaar, R.A. Bartynski, F. Ren, M. Schnoes, D.N. Buckley.

[66] H. Ohno, H. Kawanishi, Y. Akagi, Y. Nakajima, T. Hijikata.

J. Appl. Phys., 80, 3076 (1996).

Japan. J. Appl. Phys., 29, 2473 (1990).

[99] L. Jedral, H.E. Ruda, R. Sodhi, H. Ma, L. Mannik. Can. J.

[67] T. Scimeca, Y. Muramatsu, M. Oshima, H. Oigawa, Y. NanPhys., 70, 1050 (1992).

nichi. Phys. Rev. B, 44, 12 927 (1991).

[100] Z.H. Lu, M.J. Graham. J. Appl. Phys., 75, 7567 (1994).

[68] T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990).

[101] Y. Fukuda, N. Sanada, M. Kuroda, Y. Suzuki. Appl. Phys.

[69] T. Ohno. Phys. Rev. B, 44, 6306 (1991).

Lett., 61, 955 (1992).

[70] B. Murphy, P. Moriarty, L. Roberts, T. Cafolla, G. Hughes, [102] E. Dudzik, R. Whittle, C. Muller, I.T. McGovern, C. Nowak, L. Koenders, P. Bailey. Surf. Sci., 317, 73 (1994).

A. Markl, A. Hempelmann, D.R.T. Zahn, A. Cafolla, W. Braun.

[71] Y. Takakuwa, M. Niwano, S. Fujita, Y. Takeda, N. Miyamoto.

Surf. Sci., 307–309, 223 (1994).

Appl. Phys. Lett., 58, 1635 (1991).

[103] H. Hirayama, Y. Matsumoto, H. Oigawa, Y. Nannichi. Appl.

[72] M. Oshima, T. Scimeca, Y. Watanabe, H. Oigawa, Y. Hannichi.

Phys. Lett., 54, 2565 (1989).

Japan. J. Appl. Phys., 32, 518 (1993).

[104] X.-s. Wang, W.H. Weinberg. J. Appl. Phys., 75, 2715 (1994).

[73] F.S. Turco, C.J. Sandroff, M.S. Hedge, M.C. Tamargo. J. Vac.

[105] V.L. Berkovits, D. Paget. Appl. Phys. Lett., 61, 1835 (1992).

Sci. Technol. B, 8, 856 (1990).

[106] V.N. Bessolov, A.F. Ivankov, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci.

[74] T. Scimeca, Y. Watanabe, R. Berrigan, M. Oshima. Phys. Rev.

Technol. B, 13, 1018 (1995).

B, 46, 10 201 (1992).

[107] N. Yokoi, M. Taketani, H. Andoh, M. Takai. Japan. J. Appl.

[75] S. Takatani, T. Kikawa, M. Nakazawa, Phys. Rev. B, 45, Phys., 33, 7130 (1994).

(1992).

[108] X.-S. Wang, K.W. Self, R. Maboudian, V. Bressler-Hill, [76] S.A. Chambers, V.S. Sundaraman. Appl. Phys. Lett., 57, W.H. Weinberg. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1089 (1993).

(1990).

Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 || 7 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.