WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таблица 2. Статические характеристики изготовленных транНа данных гетероструктурах (табл. 1) были изготовзисторов (Wg = 60 мкм) лены транзисторы с длиной затвора Lg = 0.5-0.6мкм, расстоянием сток–исток 3 мкм и ширинами затвора Wg, Ток равными 60, 150 и 250 мкм. Организация меза-изоляции насыщения Напряжение осуществлялась методом плазмохимического травления Тип Крутизна, Напряжение исток–сток насыщения с маской из фоторезиста. Омические контакты Ti / Al / Pt транзистора мС / мм отсечки, В при Ug = 0, исток–сток, В изготавливались с помощью контактной „взрывной“ мА фотолитографии с последующим отжигом в атмосфере азота при температуре 700C. На представленных струкPEFET 0.1-0.05 40-50 0.6 турах удельное сопротивление омических контактов HFET 30-40 92-96 6 10-составляло порядка 2-3 · 10-4 Ом · см2. Затвор Ni / Au формировался методом контактной взрывной фотолитографии с использованием коротковолнового УФ излуТаблица 3. СВЧ параметры HFET на основе ДГС AlGaN / iчения. Статические параметры изготовленных приборов GaN / n-AlGaN (Wg =250 мкм) представлены в табл. 2, а вольт-амперные характеристики — на рис. 2.

Fmeas, ГГц K, дБ Uds, В Ugs, В Ids, мА Полученные приборы демонстрируют полный набор 8.15 4.46-4.53 12 -(3.38-3.86) статических характеристик. Необходимые изолирующие Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы пустимых изменений свойств рассматриваемых гетеро- [10] S.H. Goss, X.L. Sun, A.P. Young, L.J. Brillson, D.C. Look, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 78, 3630 (2001).

структур вследствие возникновения механических на[11] R. Armitage, Qing Yang, H. Feick, J. Gebauer, E.R. Weber, пряжений (резка алмазными дисками) или термического Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki. Appl. Phys. Lett., 81, удара (лазерная резка). Эта проблема не была решена (2002).

на начальном этапе и требует дальнейшей проработки.

[12] S.N. Basu, T. Lei, T.D. Moustakas. J. Mater. Res., 9, Поэтому измерение СВЧ характеристик полученных (1994).

транзисторов проводилось непосредственно на пластине.

[13] Z. Bougrioua, I. Moerman, N. Sharma, R.H. Wallis, Для исследования были выбраны приборы типа HFET J. Cheyns, K. Jacobs, E.J. Thrush, L. Considine, R. Beanland, с Wg = 250 мкм, исходя из параметров измерительного J.-L. Farvacque, C. Humphreys. J. Cryst. Growth, 230, стенда на основе измерителя коэффициента шума X5-(2001).

и СВЧ зондового контактного устройства разработки [14] N.I. Kuznetsov, A.E. Nikolaev, A.S. Zubrilov, Yu.V. Melnik, ФГУП НИИ „Пульсар“. Результаты измерений (для V.A. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 75, 3138 (1999).

[15] H. Tang, J.B. Webb, J.A. Bardwell, S. Rolfe, T. MacElwee. Sol.

значений K и Ugs приведены их диапазоны на трех St. Electron., 44, 2177 (2002).

образцах) в режиме малых входных сигналов приведены [16] R.P. Vaudo, X. Xu, A. Salant, J. Malcarne, G.R. Brandes. Phys.

в табл. 3. При увеличении Uds до 20 В K практически не Status Solidi A, 200 (1), 18 (2003).

менялся, значения Ids соответствуют максимуму K. На[17] Z. Bougrioua, I. Moerman, L. Nistor, B. Van Daele, сколько нам известно, работоспособность в СВЧ режиме E. Monroy, T. Palacios, F. Calle, M. Leroux. Phys. Status Solidi транзисторных структур на основе нитридов III группы, A, 195 (1), 93 (2003).

произведенных в России, продемонстрирована впервые.

[18] Narihiko Maeda, Tadashi Saitoh, Kotaro Tsubaki, Takehiko Tawara, Naoki Kobayashi. Mater. Res. Soc.

Symp. Proc., 743, L.9.3.1 (2003).

4. Заключение [19] R.A. Keihl, P.M. Solomon, D.J. Frank. IBM J. Res. Develop., 34, 506 (1990).

1) На двух типах двойных гетероструктур разработа[20] А.В. Алексеев, А.Н. Волков, Д.М. Красовицкий, Ю.В. Поны основы технологии изготовления полевых транзистогорельский, И.А. Соколов, М.В. Степанов, В.П. Чалый, ров на основе нитридов III группы, включающие в себя А.П. Шкурко, С.П. Яковлев. Изв. вузов. Матер. электрон.

травление меза-изоляции, а также цикл изготовления техн., 1, 32 (2001).

омических контактов (исток и сток) и барьеров Шоттки [21] „Полевой транзистор“. Заявка на Патент (затвор).

N2003109501 / 28 / (010201), Приоритет от 01.04.03.

2) Изготовлены полевые транзисторы, демонстрирую- Решение о выдаче от 28.08.03.

щие полный набор статических характеристик. Приборы Редактор Л.В. Беляков типа HFET на двойной гетероструктуре AlGaN / i-GaN / n-AlGaN продемонстрировали работоспособGroup-III nitride based microwave field ность в режиме малых СВЧ сигналов на частоте effect transistors 8.15 ГГц.

S.B. Aleksandrov, D.A. Baranov, A.P. Kaydash, D.M. Krasovitsky, M.V. Pavlenko, S.I. Petrov, Список литературы Yu.V. Pogorelsky, I.A. Sokolov, M.V. Stepanov, V.P. Chaly, N.B. Gladysheva, A.A. Dorofeev, [1] X. Li, K.F. Logenbach, W.I. Wang. Appl. Phys. Lett., 60, (1992). Yu.A. Matveev, A.A. Chernyavsky [2] S.S. Lu, C.L. Huang. IEE Electron. Lett., 30, 823 (1994).

ATC Semiconductor Technologies and Equipment“, [3] M. Asif Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, W.J. Schaff, ” 194156, box 29, St. Petersburg, Russia J.W. Burm, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 65, 1121 (1994).

State Unitary Enterprize Pulsar“, [4] M. Asif Khan, A. Bhattarai, J.N. Kuznia, D.T. Olson. Appl.

” 105187 Moscow, Russia Phys. Lett., 63, 1214 (1993).

[5] A. Wieszt, R. Dietrich, J.-S. Lee, A. Vescan, H. Leier, E.L. Piner, J.M. Redwing, H. Sledzik. Europ. Gallium

Abstract

The paper reports a principal design and main proArsenide and Related III-V Compounds Appl. Symp. Proc.

perties of double-heterostructures AlGaN / GaN / AlGaN with two(Paris, France, 2000) p. 260.

dimensional electron gas, the heterostructures being grown on [6] „Oki Electric Power Transistor for Wireless Communisapphire substrates by molecular beam epitaxy using ammonia cations Achieves World’s-Best Amplification Characteristics“ as a nitrogen precursor. Fundamentals of post-growth processing http: / www.oki.com / en / press / 2003 / z02123e.html of group-III nitride heterostructures for field-effect transistors [7] M.G. Cheong, K.S. Kim, C.S. Oh, N.W. Namgung, G.M. Yang, are also reported, including results of mesa-isolation etching C.-H. Hong, K.Y. Lim, E.-K. Suh, K.S. Nahm, H.J. Lee, and formation of Ohmic contacts and Schottky barriers. The D.H. Lim, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 77, 2557 (2000).

[8] X.L. Sun, S.H. Goss, L.J. Brillson, D.C. Look, R.J. Molnar. first field-effect transistors fabricated from mentioned doubleJ. Appl. Phys., 91, 6729 (2002).

heterostructures demonstrate the full set of DC-characteristics as [9] X.L. Sun, S.H. Goss, L.J. Brillson, D.C. Look, R.J. Molnar.

well as the reliability in RF-mode at 8.15 GHz.

Phys. Status Solidi B, 228, 441 (2001).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.