WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

4. Заключение Conf. Mater. Sci. Chalcogenide and Diamond-Structure Semicond. (Chernivtsi, 1994) v. 2, p. 211.

Подробный анализ полученных расчетных зависимо[13] В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках стей структурных параметров, выходных электрических с областями пространственного заряда (Новосибирск, характеристик и кпд ФЭП на основе MIS/IL от величины 1984).

обратного смещения показывает, что наиболее эффек[14] С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, тивным является воздействие внешнего положительного 1984).

напряжения в диапазоне от 0 до 0.6 В. Поскольку напря[15] R.N. Hall. Sol. St. Electron., 24, 595 (1981).

жения холостого хода ФЭП как раз достигает верхней [16] А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы (М., Мир, границы указанного интервала, целесообразно в качестве 1987).

источника внешнего напряжения использовать дополниРедактор Т.А. Полянская тельный СЭ на основе MIS/IL. Под этим подразумевается создание солнечного модуля (СМ), в котором выходное External electric bias influence on напряжение вспомогательного СЭ будет подаваться в photoelectrical properties of a silicon обратном направлении на инверсионные гребенки несколько основных СЭ. Поскольку под влиянием внешне- MIS/IL structure го смещения ток утечки через инверсионную гребенку Ya.S. Budzak, V.Yu. Erohov, I.I. Melnyk уменьшается до 10-13 А/см2 (рис. 4) и обусловленные им потери приложенного напряжения являются несуще- State university ”Lvivska Polytechnica”, ственными, количество основных ФЭП в предложенном 290013 Lviv, the Ukraine СМ может быть значительным. Проведеные расчеты показывают, что уже при использовании только двух

Abstract

A mechanism of the influence of external electical bias основных СЭ эффективность работы данного СМ будет on photoelectric properties of Al/tunnel-thin SiO2/ p-Si structures выше кпд солнечного модуля традиционной конструкwith an induced inversion layer (MIS/IL) was theoretically intesции с последовательным или параллельным соединением tigated. A characteristic feature of a MIS/IL structure considered трех СЭ с MIS/IL-структурой.

is a availability of a special inversion grid, between which and Таким образом, подводя итог сказанному выше, можно the substrate a positive voltage is applied. The ratio expressing заключить, что предложенный метод улучшения фотоa functional dependence of parameters of MIS/IL structures электрических свойств структур AlSiO2/p-Si является and output electrical characteristics of photoelectric MIS/IL-based действенным средством повышения эффективности раtransducers on the biac voltage was obtained. Results are presented боты ФЭП на основе MIS/IL, оставаясь при этом достаof numerical calculations, illustrating employment of the external точно простым для практической реализации.

electrical bias to increase the efficiency of photoelectric MIS/ILbased transducers.

Представленная работа была частично поддержана Международной Соросовской программой поддержки образования в сфере точных наук (ISSEP), грант № PSU 062066.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.