WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

дано следующее объяснение: согласно вышесказанному, Редактор Л.В. Беляков в режиме ВШ лестниц подвижность падает с увеличениФизика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1274 В.И. Санкин, П.П. Шкребий, А.А. Лебедев Wannier–Stark localization effects in the 6H-SiC planar junction field effect transistor V.I. Sankin, P.P. Shkrebiy, A.A. Levedev Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

The dependence of short-circuit photocurrent on the voltage applied to the source–gate (or drain–gate) p-n-junction Vg was studied. Defined value excess Vg causes a negative differential photoconductance, which is determined by Wannier–Stark ladder regime in 6H-SiC natural superlattice. Moreover Isd-Vg dependence shows a drop Isd to zero at Vg significantly less than a pinched-off channel Vg. This phenomenon is explained by a new effect of donor atoms, ionisation depressing in WSL-regime, and consequently by an anomalously weak field screening.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.