WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

1) расположенной непосредственно над анодным кон- Работа поддержана Министерством науки и технолотактом и подверженной заметному влиянию интерфе- гий РФ в рамках программы „Оптика и лазерная фиренции из-за большого коэффициента отражения золота, зика“, газонефтяной корпорацией Schlumberger Oilfield и 2) области, охватывающей кольцом вышеуказанную. Services при административной поддержке со стороны Для второй зоны характерен низкий коэффициент от- Фонда гражданских исследований США для стран СНГ ражения от поверхности p-InAsSbP, не имеющей зо- (CRDF) и программой SBIR/STTR. Двое из авторов лотого покрытия (отметим, что диаметр „окна“ был (Н. Зотова и М. Ременный) выражают благодарность несколько больше диаметра контакта). При малых токах Совету по грантам Президента Российской Федерации обе зоны дают вклад в выходящее из полупроводника для поддержки молодых российских ученых и ведущих излучение, хотя вклад первой зоны превалирует из-за научных школ Российской Федерации за поддержку отражения от контакта. При увеличении тока его линии проекта № МК-1597.2003.02.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1274 Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь...

4. Заключение InAs light-emitting diodes with cavity formed by anode contact Таким образом, в светодиодах (СД) толщиной and semiconductor/air interface 7.5-45 мкм на основе ДГС InAsSbP/InAs и излучающих N.V. Zotova, N.D. Ilinskaya, S.A. Karandashev, вблизи 3.3 мкм наблюдались резонансные пики и сужеB.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, V.V. Shustov ние диаграммы направленности картины дальнего поля, сформированные интерференцией лучей, направленIoffe Physicotechnical Institute, ных перпендикулярно p-n-переходу, внутри резонатора Russian Academy of Sciences, Фабри–Перо, образованного золотым анодом и границей 194021 St. Petersburg, Russia раздела полупроводник/воздух. СД имели добротность в пределах 24-80 и токовую перестройку спектрального

Abstract

The paper describes room temperature spectral chaположения пиков модовой структуры излучения со скоracteristics, far-field pattern and mode structure of the 3.3 µm ростью 10 нм/А.

InAs light emitting diodes fabricated from InAsSbP/InAs double heterostructures with 7.5-45 µm long cavities formed by the anode contact and semiconductor/air interface.

Список литературы [1] B.A. Matveev, G.A. Gavrilov, V.V. Evstropov, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, G.Yu. Sotnikova, N.M. Stus’, G.N. Talalakin, J. Malinen. Sensors Actuators B, 38–39, 339 (1997).

[2] S.S. Kizhaev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Yu.P. Yakovlev.

IEE Proc. Optoelectron., 140 (1), 36 (2002).

[3] D.A. Wright, V.V. Sherstnev, A. Krier, A.M. Monakhov, G. Hill. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 314 (2003).

[4] B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, G.N. Talalakin. J. Mod. Optics., 49 (5/6), 743 (2002).

[5] R.C. Johnes. Appl. Optics, 1, 607 (1962).

[6] B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002).

[7] S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. Proc. SPIE, 4651, 157 (2002).

[8] M. Aidaraliev, N.V. Zotova, N.D. Il’inskaya, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’, G.N. Talalakin.

Semicond. Sci. Technol., 18, 269 (2003).

[9] T.J. Rogers, D.G. Deppe, B.G. Streetman. Appl. Phys. Lett., 57, 1858 (1990).

[10] E.F. Schubert. Y.-H. Wang, A.Y. Cho, L.-W. Tu, G.J. Zydzik.

Appl. Phys. Lett., 60, 921 (1992).

[11] E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnea, J.L. Pautrat. Appl. Phys. Lett., 67, 2591 (1995).

[12] K. Kellermann, D. Zimin, K. Alchalabi, N.A. Pikhtin, H. Zogg.

IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 337 (2003).

[13] W. Heiss, M. Bolberi. T. Schwarzi, G. Spinholz, J. Furst, H. Pascher. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 332 (2003).

[14] D. Gevaux, A. Green, C. Palmer, P. Stavrinou, C. Roberts, C. Philips. IEE Proc. Optoelectron., 150 (4), 360 (2003).

[15] M.A. Remennyi, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus’, G.N. Talalakin. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 20 (3–4), 548 (2004).

[16] V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus’. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001).

[17] Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, И.Г. Груздов, А.Г. Джигасов, Н.Д. Ильинская, И.С. Тарасов, А.С. Усиков. Письма ЖТФ, 8 (5), 257 (1982).

Редактор Л.В. Беляков Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.