WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

хлор обусловливает структурные изменения в слоях Дальнейший рост толщины хлорида кадмия до теллурида кадмия, заключается в формировании при 0.35 мкм приводит к оптимизации фотоэлектрических отжиге на воздухе на зернограничной поверхности басвойств гетеросистем CdS/CdTe за счет уменьшения дезового слоя соединений CdO и TeCl2 [14]. Так как TeCl2 формации кристаллической решетки, снижения конценявляется газом при используемых температурах отжига, трации дефектов упаковки и двойников, роста размеров его присутствие приводит к увеличению подвижности областей когерентного рассеивания базового слоя. Это атомов кадмия и теллура. В результате в промежутках обусловлено особенностями рекристаллизации CdTe при между зернами теллурида кадмия происходит образовахлоридной обработке, которая приводит к снижению ние зародышей [15]. Очевидно, что зародыши формируориентирующего влияния слоя сульфида кадмия на ются в тех промежутках между зернами, вблизи которых кристаллическую структуру теллурида кадмия.

достигнута необходимая для протекания указанных выИзбыточная толщина слоя хлорида кадмия (свыше ше структурных превращений концентрация хлора. По0.35 мкм) обусловливает уменьшение эффективности этому рекристаллизация теллурида кадмия начинается с фотоэлектрических процессов в слое теллурида кадмия.

его поверхности [16]. Это обусловливает наблюдаемое Это вызвано тем, что при росте концентрации хлора на экспериментально снижение текстурированности базомежфазной границе CdS/CdTe формирование зародышей вых слоев теллурида кадмия после хлоридной обработкубической фазы теллурида кадмия может происходить ки. Так как в процессе рекристаллизации рост базового вблизи поверхности сульфида кадмия. В результате в слоя осуществляется на слое теллурида кадмия, это процессе рекристаллизации базового слоя ориентируприводит к уменьшению деформации кристаллической ющее влияние сульфида кадмия на кристаллическую решетки и соответственно к снижению периода реструктуру базового слоя возрастает.

шетки. Такая рекристаллизация обусловливает также снижение концентрации дефектов упаковки и двойников, рост размеров ОКР, что вызывает зафиксированное Список литературы экспериментально уменьшение ширины дифракционных [1] M.A. Green. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 9, 123 (2001).

максимумов, соответствующих плоскостям (331) и (422) [2] X. Wu, J.C. Keane, R.G. Dhere, C. Dehart, D.S. Albino, A. Duкубической модификации CdTe (рис. 3, b).

da, T.A. Gessert, S. Asher, D.H. Levi, P. Sheldon. Proc. 17th При дальнейшем увеличении толщины слоя хлорида Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Munich, Germany, кадмия от 0.35 до 1.20 мкм наблюдается рост периода 2001) p. 995.

решетки от a = 6.488 A до a = 6.494. При этом сте[3] K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Halliday. J. Cryst. Growth, 197, пень рассеивания текстуры уменьшается от 9.3 до 8.2, 733 (1999).

а угловая ширина отражений (331) и (422) возраста[4] H.R. Moutinho, F.S. Hasoon, F. Abulfotuh, L.L. Kazmerski.

ет. Было показано [17], что при избыточной толщине J. Vac. Sci. Technol., 13 (6), 2877 (1995).

хлорида натрия на межфазной поверхности CdS–CdTe [5] B.E. McCandless. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (San Franнаблюдается сегрегация атомов хлора. Поэтому в этом cisco, USA, 2001) v. 668, p. H1.6.1.

случае при рекристаллизации базового слоя образование [6] P.R. Edwards, S.A. Galloway, K. Durose. Thin Solid Films, зародышей может начинаться не только в объеме, но и 372, 385 (2000).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1270 Г.С. Хрипунов [7] A. Taylor, H. Sinclair. Proc. Phys. Soc., 57 (The Physical Society, London, UK, 1945) p. 126.

[8] П.А. Панчеха, О.Г. Алавердова, В.И. Гнидаш. Укр. физ.

журн., 45 (1), 75 (2000).

[9] P.A. Panchekha. Functional Mater., 4 (2), 199 (1997).

[10] И.П. Калинкин, В.В. Алексеевский, А.И. Симашкевич.

Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI (Л., ЛГУ, 1978) с. 54.

[11] R.H. Bube. Properties of Semiconductor materials: Photovoltaic materials (USA, Imperial College Press, 1999) v. 1, p. 136.

[12] G.S. Oleinik, P.A. Mizetskii, T.P. Nuzhnaya. Inorg. Mater., 22, 164 (1986).

[13] M. Terheggen, H. Heinrich, G. Kostorz, A. Romeo, D. Baetzner, A.N. Tiwari. EMRS Spring Meeting (Stracburg, France, 2002) B-X4.

[14] B.E. McCandless. Mater. Rev. Soc. (Warrendale, 2001) H1.6.1.

[15] H.R. Moutinho, M.M. Al-Jassim, F.A. Abulfotuh, D.H. Dippo, R.G. Dhere, L.L. Kazmerski. Proc. 6th IEEE Photovoltaic Specialist Conf. (Anaheim, USA, 1997) p. 431.

[16] A. Romeo, A.N. Tiwari, H. Zogg. Proc. 2nd World Conf. and Exhib. on Photovoltaic Solar Energy Conversion (Vienna, Austria, 1997) p. 1105.

[17] M. Terheggen, H. Heinrich, G. Kostorz, A. Romeo, A.N. Tiwari. 17th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Munich, Germany, 2001) p. 1188.

Редактор Л.В. Беляков Structural mechanisms of photoelectric properties optimization in the CdS/CdTe thin film heterosystems G.S. Khrypunov National Technological University Kharkov Polytechnical Institute“, ” 61002 Kharkov, Ukraine

Abstract

The comparative investigation of the chlorine“ treat” ment influence of the CdS/CdTe thin film heterosystem on the ITO/CdS/CdTe/Cu/Au solar cells internal characteristics and CdTe base layer crystalline structure were carried out. The structural physical mechanisms, which determine change of photoelectric processes and their efficiency in the ITO/CdS/CdTe/Cu/Au thin film solar cells by change of CdCl2 layer thickness during chlorine“ treatment, have been offered. For the first time by the ” X-ray diffraction method is proved, that in the chlorine“ treatment ” process an unstable hexagonal phase transforms in a stable cubic phase CdTe. This essentially improves photoelectric properties of CdS/CdTe thin film heterosystems.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.