WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Измерив температурную зависимость порогового тока ВИЛ и зная величину характеристической температуры T0 для полосковых лазеров, можно определить завиРис. 4. Зависимость длины волны излучения, соответствуюсимость скорректированного порогового тока от тем- щей максимуму усиления активной области, от плотности тока пературы, как показано на рис. 2. При температуре в диапазоне температур 15-50C.

TI = 35C достигается минимум температурной зависимости Icor.

th Рассмотрим теперь, как зависит от температуры величина расстройки. Для того чтобы определить температурную зависимость спектрального положения максимума усиления, были проведены измерения длины волны генерации при пороговом токе для полосковых лазеров во всем рассматриваемом диапазоне температур. Длина резонатора лазерных диодов варьировалась в пределах 0.4-2 мм. Условием возникновения лазерной генерации является баланс между оптическим усилением и суммарными оптическими потерями, включающими потери на вывод излучения и внутренние потери в лазерной структуре [5]. Таким образом, генерация на пороге возникает в максимуме спектра усиления активной области. Следовательно, можно поРис. 5. Температурная зависимость длины волны лазерной строить зависимость длины волны лазерного излучения, генерации на пороге для ВИЛ ( ), длины волны в максисоответствующей максимуму усиления, от плотности муме спектра электролюминесценции, измеренной при малой тока накачки при различных температурах. На рис. плотности тока накачки ( ), и длины волны, соответствующей приведены указанные зависимости в диапазоне темпе- максимальному усилению активной области при плотности ратур 15-50C. тока накачки, равной пороговой плотности тока ВИЛ (•).

8 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1268 С.А. Блохин, А.В. Сахаров, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев...

составляет 38C. В то же время, при оценке величины ВИЛ на основе длины волны в максимуме спектра расстройки на основе температурной зависимости длины электролюминесценции при малой плотности тока наволны максимума спектра электролюминесценции, ну- качки дает некорректное значение температуры нулевой левая расстройка достигается при температуре 7C, что расстойки. Использование температурной зависимости не может объяснить эффективную работу исследуемого длины волны максимума усиления активной области ВИЛ при высоких температурах [10]. Следует отметить, ВИЛ при заданной плотности тока позволяет корректчто температура TI, при которой достигается минимум но определить температурную зависимость расстройки.

температурной зависимости Icor, близка к температуре Полученная истинная температура нулевой расстройки th нулевой расстройки Tg. Tg находится в хорошем соответствии со значением TI минимума скорректированной зависимости порогоТаким образом, можно сформулировать следующий вого тока Icor( (T )) ВИЛ от величины расстройки.

способ корректного определения величины расстройки th Предложенный подход особенно актуален для структур для ВИЛ:

1) определение температурной зависимости порогово- ВИЛ с активной областью на основе квантовых точек, обладающих широким спектром усиления, форма и го тока и длины волны генерации на пороге ВИЛ в положение максимума которого существенно зависят от импульсном режиме;

уровня накачки.

2) определение температурной зависимости порогового тока и длины волны генерации на пороге для Работа была выполнена при поддержке Научной прополосковых лазеров в импульсном режиме в широком граммы СПб НЦ РАН, Программы фундаментальных диапазоне длин резонаторов;

исследований президиума РАН „Квантовые нанострукту3) построение зависимости длины волны, соответры“, РФФИ, проектов SANDiE (NMP4-CT-2004-500101) ствующей максимуму усиления активной области, от и Nanophotonics Project (MOEA, Taiwan).

плотности тока накачки и температуры;

4) нахождение температурной зависимости длины Список литературы волны, соответствующей максимуму усиления при пороговой плотности тока накачки ВИЛ;

[1] C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren. Vertical-Cavity 5) определение температурной зависимости расстройSurface-Emitting Lasers (Cambridge University Press, 1999).

ки как спектрального расстояния между длиной волны, [2] J. Cheng, N.K. Duttan. Vertical-Cavity Surface-Emitting соответствующей максимальному усилению при порогоLasers: Technology and Applications (Gordon and Breach вой плотности тока ВИЛ, и длиной волны генерации на Science Publishers, 2000).

пороге ВИЛ;

[3] M. Osinski, W. Nakwaski. Int. J. High Speed Electron. Syst., 6) определение температуры нулевой расстройки Tg, 5, 139 (1994).

при которой достигается совпадение резонансной длины [4] M.S. Unlu, S. Strite. J. Appl. Phys., 78, 607 (1995).

[5] Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., волны ВИЛ с длиной волны максимального усиления Мир, 1981).

активной области;

[6] G. Hasnain, K. Tai, L. Yang, Y.H. Wang, R.J. Fischer, 7) для проверки результатов следует найти минимум J.D. Wynn, B. Weir, N.K. Dutta, A.Y. Cho. IEEE J. Quant.

зависимости Icor от температуры и сравнить полученное th Electron, 27, 1377 (1991).

значение TI с величиной Tg.

[7] V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Y. Egorov, N.A. Maleev.

Несмотря на то что данный подход требует дополниQuantum dot lasers (Oxford University Press, 2003).

тельного экспериментального исследования полосковых [8] A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, лазеров, он может быть успешно применен для оптимиV.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, зации структур ВИЛ с целью минимизации порогового M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop’ev, тока и получения высокой температурно-стабильной Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett. 35, 1845 (1999).

выходной мощности.

[9] A. Bond, P.D. Dapkus, J.D. O’Brien. IEEE Photon. Technol.

Lett., 10, 13 627 (1998).

4. Заключение [10] С.А. Блохин, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.М. Шерняков, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, В.В. Дюделев, Г.С. Соколовский, В.И. Кучинский, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, В настоящей работе предложен и экспериментально В.М. Устинов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Н.Н. Леденцов.

апробирован способ определения величины расстройФТП, 40, 633 (2006).

ки спектра усиления активной области и резонансной [11] С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, длины волны ВИЛ. Для описания температурной завиН.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Сесимости порогового тока ВИЛ предложено выражение, менова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, учитывающее не только температурный рост порогового М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 39, тока, обусловленный уменьшением усиления активной 782 (2005).

области с температурой и термическим выбросом носи[12] D.B. Young, J.W. Scott, F.H. Peters, M.G. Peters, телей, но и влияние температурной зависимости величиM.L. Majewski, B.J. Thibeault, S.W. Corzine, L.A. Coldren.

ны расстройки. Показано, что определение расстройки IEEE J. Quant. Electron., 29, 2013 (1993).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик... [13] J.W. Scott, R.S. Geels, S.W. Corzine, L.A. Coldren. IEEE J.

Quant. Electron., 29, 1295 (1993).

[14] A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mihkrin, D.A. Livshits, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.A. Pihtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, J.S. Wang, L. Wie, G. Lin, J.Y. Chi, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Microelectronics J., 34, 491 (2003).

Редактор Л.В. Беляков Study of temperature dependence of threshold characteristics in semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer InGaAs quantum dots S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, G. Lee, J.Y. Chi Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Science, 194021 St. Petersburg, Russia NL-Nanosemiconductors GmbH, 44227 Dortmund, Germany Industrial Technology Research Institute, Chutung, Hsinchu, 310,Taiwan, Republic of China

Abstract

The temperature dependence of threshold current for vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) based on submonolayer deposited InGaAs quantum dots was studied. The spectral misalignment between the lasing wavelength and the peak gain of active region (detuning) should be used in order to correctly describe the thermal characteristics of laser diodes.

Expressions for the temperature dependence of the VCSEL threshold current, which take into account the drop in maximum gain with temperature and the influence of the temperature dependence of detuning, have been proposed.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.