WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Фотоанодирование обеспечивает получение ПК с более мелкими кристаллитами, поверхность которых тем не менее хорошо пассивирована. Это приводит к малой скорости безызлучательной рекомбинации носителей заряда на поверхности кристаллитов, чем может быть объяснено усиление ФЛ в рамках квантово-размерной модели [1]. Известно, что термическое окисление может приводить к усилению ФЛ [12,14]. Если же кристаллиты и поры между ними малы, то окисление может разорвать узкие перемычки скелета Si, сильно изменить постоянную решетки ПК и ввести значительные микронапряжения. С какого-то момента в результате этих процессов происходит растрескивание кристаллитов и превращение их в более мелкие вплоть до аморфизации [15]. При этом нарушается пассивация как водородом, так и кислородом, о чем свидетельствует уменьшение интенсивности ИК полос Si–H и Si–O и деградация ФЛ (рис. 2, b). В то же время суждения о корреляции между структурными характеристиками ПК (средним размером кристаллитов, постоянной решетки в них, разориентацией и микронапряжениями) и параметрами ФЛ могут быть лишь косвенными. Причиной этого служит тот факт, что низкая светосила дифрактометра ДРОН-2.0 позволила измерить дифракцию РЛ только от Рис. 4. и-ДКД кривые отражения рентгеновских лучей от образцов 1A, 2A, 3A и 5A через 1 неделю (a) и 2.5 месяца (b) после получения. Кривые смещены вдоль вертикальной оси. Справа — пик отражения от плоскостей (111) подложки, излучение CuK1.

и ускоренное растворение ПК. Размеры кристаллитов уменьшаются, увеличивается их разориентация, растет параметр решетки. В результате когерентный пик брэгговского отражения на дифрактограмме отдаляется от пика подложки, размывается (растет полуширина) и уменьшается интенсивность в максимуме отражения, некогерентный фон значительно растет (рис. 4, b). Если начальные стадии окисления как в электролите, так и на воздухе приводят к увеличению интенсивности ФЛ, несмотря на эффекты разупорядочения, то более высокие стадии окисления приводят к ее деградации (рис. 2, b).

Следует обратить внимание на то, что пока число кремневодородных и кислородно-кремневодородных связей с частотами колебаний около 2000 см-1 велико, ФЛ стабильна. Деградация ФЛ в образце 5A через 3 месяца сопровождается существенным уменьшением суммарРис. 5. Распределение интенсивности вдоль вектора обратной ного числа Si–H-связей (см. рис. 3, a) и некоторым решетки H для образцов 1A, 2A и 3A через 3.5 месяца после снижением концентрации колебательных групп Si–O при получения. Кривые смещены вдоль вертикальной оси. Стрелки 1100 см-1 (рис. 3, b). Аналогичную картину на- указывают уровень 0.5imax. CuK1, (111).

8 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1266 Е.В. Астрова, В.В. Ратников, Р.Ф. Витман, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь Рис. 6. Спектры ФЛ образцов партии B после изготовления (a) и после 6-месячного хранения на воздухе (b). Пористость образцов составила для 2B — 57%, 4B — 58%, 5B — 65%, 6B — 73%.

относительно крупных кристаллитов (d > 500 ), чья рентность, т. е. отражающие плоскости ПК и подложки роль в ФЛ не является определяющей. были параллельны. Об этом можно судить по тому, Для всех исследуемых образцов на всех этапах хране- что максимумы серии -кривых, полученных методом ния было характерно отсутствие макроизгиба компози- д-ДКД, остаются на оси H (рис. 1). Однако степень ции ПК/Si. Поэтому возможные остаточные макронапря- когерентности резко снижается при старении, отражая жения в системе ПК/Si <1.5·107 Н/м2 (оценка сделана идущий процесс разрушения скелета ПК. Измерение по [16]). Это дает нам основание считать решетку ПК д-ДКД кривых показывает, что рассеяние в образцах релаксированной и получаемое из углового отстояния групп II и III всегда асимметрично (w > w ), за значение (d/d) (a/a)0, где a — параметр исключением отражения (333) для ПК 3A (3.5 месяца).

релаксированной решетки ПК. Из табл. 2 видно, что от- В рамках классической блочной модели несовершенносительное изменение параметра решетки постепенно ного кристалла [19] уширение рентгеновской линии вырастет при хранении ПК на воздухе. Одной из причин зывают конечные размеры областей когерентного рассевозрастания параметра решетки ПК считается присут- яния (кристаллитов) вдоль и по нормали к поверхности ствие на поверхности кристаллитов водородного [17] w1 1/(L cos B) и w2 1/(L sin B), соответственили окисного слоя [18]. Процесс окисления на воздухе но, их взаимная разориентация w() = f (B) и микроде вызывает деформацию Si-скелета ПК и разрушение его с формация отдельных кристаллитов w[(d/d)] tg B, переходом макрокристаллитов исходного ПК в микро- и т. е. w = w1 + w[(d/d)] и w = w2 + w().

нанокристаллиты с последующей полной аморфизацией. Для анализа структуры ПК в полученных нами знаИмеющееся спустя неделю различие в (d/d) хорошо чениях w и w необходимо определить их комплексы.

коррелирует со значениями пористости этих слоев. Воз- Это делается на примере ПК 3A (2.5 месяца и 3.5 месяца) растание параметра решетки ПК при хранении также, по зависимости компонент от угла дифракции B для по-видимому, связано с измельчением фрагментов его отражений 111 и 333. Проведя эти измерения, мы Si-скелета. получили для ПК группы II w(111)/w(333) 1.5.

= Форма и параметры и-ДКД кривых отражения ПК 1A, Это близко к рассчитанному w2(111)/w2(333), т. е. в 2A, 3A, измеренных через 1 неделю после получения этом случае уширение рефлексов (111) определяется ПК (рис. 4, a, табл. 2), дают основание утверждать, в основном размерным эффектом, w w2 и дает = что основным элементом структуры ПК на этой стадии размер кристаллитов по нормали к поверхности L.

являются макрокристаллиты размером по нормали к Отношение w (111)/w (333) 1.25 оказалось меньше = поверхности образцов L 4мкм (для hkl = 111 и расчетного w1(111)/w1(333), что делает оценку вкладов CuK1 значение экстинционной длины =4.65 мкм). w1 и w[(d/d)] в w менее определенной. Поэтому Необходимо отметить, что на всех стадиях хранения значения L, приведенные в табл. 2 для ПК 5A (1 неделя) ПК большая часть его кристаллитов сохраняла коге- и 1A, 2A, 3A (2.5 месяца), носят оценочный характер и Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием дают минимально возможный латеральный размер кри- Сформулируем краткие выводы:

сталлитов. Таким образом, для ПК группы II рассеяние 1. Освещение при анодировании приводит к повыопределяют в основном микрокристаллиты с размерами шению яркости ФЛ, ее коротковолновому сдвигу, увеL 0.4мкм и L 0.2мкм.

личению пористости, росту содержания кислорода и Аналогичный анализ для ПК группы III показывает, усилению разупорядоченности в слое ПК.

что существенный рост w и w связан в этом случае 2. Подсветка инициирует окислительный процесс в с дальнейшим разрушением Si-скелета. Причем теперь электролите, что ускоряет химическое растворение поосновной вклад в w дает разоринтировка микрокриристого слоя.

сталлитов w w(), так как w(111) w(333).

3. Хранение высокопористых слоев на воздухе привоПо-прежнему менее определенные суждения можно сдедит к тушению ФЛ.

лать о вкладе различных компонент в w. Поэтому 4. При хранении структура ПК деградирует от состоприводимые в табл. 2 значения L и L следует также ящей в основном из макрокристаллитов с размерами считать минимально возможными. Причем их отношение 4 мкм к структуре из более мелких кристаллитов, теряL/L 1 указывает на то, что форма кристаллитов ющих ориентацию подложки и более изотропных по разстановится более изотропной. Это связано, по-видимому, меру. Постоянная решетки возрастает (a/a 5·10-3).

с разрушением перемычек в наиболее тонких областях 5. Старение ПК связано с окислением, приводящим фрагментов столбчатой структуры ПК из-за возрастания к механическому разрушению кристаллитов, нарушению механических напряжений при окислении.

пассивации их поверхности и аморфизации.

Наблюдаемая картина почти полного, а для слоя 5A Авторы выражают благодарность Л.В. Белякову и (3.5 мес) полного исчезновения дифракционного пика В.Х. Кудояровой за полезное обсуждение.

от ПК, наблюдавшаяся и другими авторами [20,21], отражает идущий при хранении на воздухе процесс Работа поддержана РФФИ (96-02-16907а) и Програмразрушения Si-скелета и уменьшения размеров его фрагмой Министерства науки ФТНС 96-1012.

ментов. Деградация структуры ПК 5A (3.5 месяца) зашла настолько далеко, что, вероятно, значительную его часть составляет аморфный SiO2 или SiOx (x < 2), в Список литературы который вкраплены нанокристаллиты n-Si. Образец 5A [1] T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990).

показывает опережение в кинетике старения и после [2] F. Yan. Phys. Sol. (a), 142, K 1–4.

3.5 месяцев хранения: по данным нашего фазового ана[3] H. Yoon, M.S. Goorsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 378, лиза он содержит в 2 раза больше аморфной фазы, 893 (1995).

чем слой 1A (3.5 месяца). Однако малые размеры и [4] T. Assano, K. Higa, S. Aoki, M. Tonouchi, T. Miyasano. Jpn.

небольшой суммарный объем n-Si в ПК, а также сильное J. Appl. Phys., 31, L373 (1992).

искажение в них кристаллической решетки делают из[5] N. Koshida, H. Koyama. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L мерение дифракции от нанокристаллитов в ПК сложной (1991).

технической задачей.

[6] Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1961 (1993).

[7] A. Halimaoui. In: Porous Silicon Science and Technology.

Заключение Winter school, Ed. by J.-C. Vial, J. Derrien. (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, Les Editions de Physique Les Ulis, 1995).

В результате проведенных экспериментов показано, [8] Р.Н. Кютт. ФТТ, 31, 270 (1989).

что разупорядочение и измельчение структурных эле[9] L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, ментов ПК происходит как в результате введения подJ.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991).

светки при анодировании, так и в результате хранения.

[10] H. Koyama, T. Nakagawa, T. Ozaki, N. Koshida. Appl. Phys.

Для обоих процессов характерно возрастание концентраLett., 65, 1656 (1994).

ции кислорода. Однако в первом случае (при фотоаноди- [11] J. Suda, T. Ban, T. Koizumi, H. Koyama, J. Tezuka, Sh. Shin, ровании) это разупорядочение сопровождается увеличе- N. Koshida. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 581 (1994).

[12] E.V. Astrova, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, D.S. Poloskin, нием интенсивности ФЛ, а во втором (при старении) — A.D. Remenyuk, Yu.V. Rud, R.F. Vitman. MRS Symp. Proc., ее гашением. Обратим внимание на то, что наблюдав405, 185 (1996).

шееся здесь гашение в результате хранения на воздухе [13] Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Р.Ф. Витман, происходит не всегда. В партии образцов B с меньшей Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, пористостью мы наблюдали возгорание ФЛ (см. рис. 6).

(1996).

Из чего следует, что яркость ФЛ при хранении на воздухе [14] V. Petrova-Koch, T. Mucschnik, A. Kux, B.K. Meyer, F. Koch, может меняться в ту или другую сторону в зависимости V. Lemann. Appl. Phys. Lett., 61, 943 (1992).

от исходной пористости ПК. Из полученных в работе [15] R.R. Kunz, P.M. Nitishin, H.R. Clark, M. Rotschild. Appl.

данных следует, что слои с p 70% демонстрируют Phys. Lett., 67, 1761 (1995).

наиболее высокую стабильность ФЛ. Менее пористые, [16] F.K. Reinhart, R.A. Logan. J. Appl. Phys., 44, 3171 (1973).

окисляясь, усиливают яркость свечения, более пористые, [17] T. Ito, H. Kiyama, T. Yasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki. Physica аморфизируясь, претерпевают гашение. B, 170, 535 (1991).

8 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1268 Е.В. Астрова, В.В. Ратников, Р.Ф. Витман, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь [18] T.Ito, T. Jasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L 201 (1990).

[19] К.П. Рябошапка. Завод лаб., 47, 26 (1981).

[20] D. Bellet, S. Billat, G. Dolino, M. Ligeon, C. Meyer, F. Muller.

Sol. St. Commun., 86, 51 (1993).

[21] O. Belmont, D. Bellet, J. Brechet. J. Appl. Phys., 79, (1996).

Редактор В.В. Чалдышев Structure and properties of porous silicon obtained by photoanodisation E.V. Astrova, V.V. Ratnikov, R.F. Vitman, A.A. Lebedev, A.D. Remenyuk, Yu.V. Rud’ A.F. Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Porous silicon layers obtained by electrochemical etching of p-Si and exposed to natural lighting as well as to incandescent and mercury lamps with and within filter are investigated. The layer structure is studied by an x-ray two-crystal diffractometry method;

the composition is analysed with the help of infrared absorption spectra; the emission properties — by photoluminescence spectra.

Light–assisted etching results in porous silicon with a higher porosity and a brighter blue shifted photoluminescence. The changes are accompanied by a higher structure disordering and the oxygen content increase in the layer. We conclude that illumination enchances chemical interaction between porous silicon and electrolyte due to oxidation. Under the storage in ambient atmosphere in high porosity layers occurs a photoluminescence quenching contrary to low porosity layers that exhibit ignitability.

Porous silicon aging is accompanied by crystallite size reduction, lattice parameter enlarging and the increase in amorphous phase content.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.