WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

щивания нановискеров слоем Alx Ga1-xAs с большим Актуальным с точки зрения практических применений содержанием Al с целью получения излучения видимого является увеличение длины НВ до величин 1мкм и диапазона из гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыболее, а также увеличение соотношения длина/диаметр.

ми проволоками — нановискерами.

Решение данного вопроса возможно при согласованном Коллектив авторов выражает благодарность В.Г. Дубвыборе распределения капель GaAsAu на поверхноровскому и В.Э. Птицыну за содержательные обсуждести GaAs, из которых формируются НВ, и количества ния полученных результатов, а также В.М. Бусову и осаждаемого GaAs. В образце 3, СЭМ-изображение С.И. Трошкову за измерения образцов на сканирующем которого представлено на рис. 3, был реализован данэлектронном микроскопе. Г.Э. Цырлин выражает признаный подход путем увеличения количества осажденного тельность Alexander fon Humbolt Shtiftung.

GaAs. Распределение капель GaAsAu, задающее распределение НВ по диаметрам и плотность массива Работа выполнена при поддержке различных проНВ, выбиралось таким же, как в образце 2, за счет грамм РАН.

осаждения начальной пленки Au толщиной 1.2 нм и тех же условий предварительного отжига поверхности.

Список литературы Эффективная толщина напыляемого GaAs составляла 500 нм. Изображение образца 3 (рис. 3) снято вблизи [1] R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964).

скола, который был сделан после получения НВ. Заме[2] Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых тим, что на границе кристалла не образуется области с кристаллов из пара (М., Наука, 1977).

поврежденными НВ, которые могли появиться за счет [3] B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, механических напряжений, возникающих во время обраL. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett., 79 (20), зования скола, что подтверждает высокую механическую 3335 (2001).

прочность синтезированных НВ GaAs. Плотность НВ, [4] Е.И. Гиваргизов. Природа, 11, 20 (2003).

составляющая величину 2 · 109 см-2, и распределение [5] Y. Cui, C.M. Lieber. Science, 291, 851 (2000).

по диаметрам в образце 3 близки к соответствующим [6] K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma, K. Ogawa. Appl.

величинам образца 2. Длина НВ лежит в диапазоне 500– Phys. Lett., 60, 745 (1992).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1260 А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов [7] Ж.И. Алферов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов.

ФТП, 26 (10), 1715 (1992).

[8] K. Hiruma, M. Yazawa, T. Kaatsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys., 77 (2), 447 (1995).

[9] Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин. ЖТФ, 67 (8), 111 (1997).

[10] F. Bechstedt, R. Enderlein. Semiconductor surfaces and interfaces (Akademie-Verlag, Berlin, 1988).

[11] J.M. Cowley. Diffraction Physics (Elsevier, N.Y., 1975).

[12] Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18 (1), 147 (1973).

Редактор Л.В. Шаронова Properties of GaAs nanowhiskers aggregated by a combined method on a GaAs (111)B surface A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin, Yu.B. Samsonenko, I.P. Soshnikov, V.M. Ustinov Institute for Analytical Instrumentation Russian Academy of Sciences, 190103 St. Petersburg, Russia Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Clusters of GaAs nanowhiskers have been synthesized by combining methods of vacuum deposition and molecular beam epitaxy on GaAs (111)B substrates. Structural properties of the samples are investigated by the scanning electron microscopy. It is found that the whisker surface density is (1-2) · 109 cm-2. Typical whisker sizes are 30–150 nm (the diameter) and 300–800 nm (the height). Possibility to control the whisker size by varying the growth conditions as well as the initial Au film thickness is demonstrated.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.