WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

из КТ небольшого размера, для которых энергия локали[7] А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Ледензации невелика. Это приводит к уменьшению интенсивцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, ности коротковолновой области линии, обусловленной Ж.И. Алферов, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг. ФТП, 30, рекомбинацией через такие КТ, и, таким образом, к (1996).

длинноволновому смещению полосы ФЛ. Поскольку [8] R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard, J.E. Bowers.

в структуре с 3 МС InAs, которая соответствует наAppl. Phys. Lett., 67, 3795 (1995).

чальному этапу формирования островков, КТ имеют [9] А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульнименьшие размеры по сравнению со случаем осаждения ков, М.В. Максимов, Н.Н. Фалеев, П.С. Копьев. ФТП, 31, 6 и 9 МС InAs, выброс носителей и, следовательно, 19 (1997).

смещение максимума полосы ФЛ начинается при более [10] S. Fafard, Z. Wasilewski, J. McCaffrey, S. Raymond, низких температурах. S. Charbonneau. Appl. Phys. Lett., 68, 991 (1996).

Таким образом, методом МПЭ с использованием эф- [11] А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994).

фектов самоорганизации синтезированы массивы напря[12] S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Richter, женных островков InAs в матрице (In,Ga)As и провеU. Gosele, J. Heydenreich, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, дено предварительное исследование их структрурных и D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop’ev, оптических свойств. Переход к островковому росту InAs, Zh.I. Alferov. Inst. Phys. Conf. Ser. No 146, 31 (1995).

согласно данным по ДБЭ и просвечивающей электрон[13] E. Tounie, O. Brandt, K. Ploog. Semicond. Sci. Technol., 8, ной микроскопии, происходит по достижении 3 моноS236 (1993).

слоев. Образующиеся островки InAs лежат на тонком [14] А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, смачивающем слое, являются когерентно напряженныА.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.С. Рувимов, В.М. Устинов, ми и имеют диаметр основания в пределах 2090 нм В.В. Комин, И.В. Кочнев, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов.

при высоте 45 нм. Увеличение эффективной толщины ФТП, 30, 1793 (1996).

осажденного InAs приводит к длинноволновому сдвигу Редактор Т.А. Полянская максимума люминесценции, более быстрому по сравФизика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1260 В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, М.В. Максимов...

Arrays of strained InAs quantum dots in an (In,Ga)As matrix grown on InP substrates by molecular beam epitaxy V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.F. Tsatsul’nikov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, A.A. Suvorova, N.A. Bert, P.S. Kop’ev A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

In the present work we peport on the growth by molecular beam epitaxy and structural and optical characterization of the strained InAs quantum dots embedded in an (In,Ga)As matrix lattice matched to InP substrate. The onset of island growth mode after depositing 3 monolayers of InAs was revealed by transmission electron microscopy and high energy electron diffraction. The InAs islands formed are coherently strained and have a base lenght of order 2090 nm. The island formation leads to appearance of an additional long-wave dominant line in photoluminescence spectra that shifts towards lower energy with an increase in the effective InAs thickness. The emission of InAs islands covers the wavelenght band within 1.652 µm.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.