WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

дается особенностей эпитаксиального роста, свойствен[11] S. Kikukawa, S. Isomura, S. Iwata. J. Appl. Soc. Japan 7, 2, ных Ca3(Nb, Ga)5O12. Как и следовало ожидать, из-за 83 (1983).

меньшей толщины слоя ПП для образца № 4 спектр [12] В.В. Рандошкин, В.Б. Сигачев, В.И. Чани, А.Я. ЧервоненФМР является более ”регулярным”, чем приведенный кис. ФТТ 31, 7, 70 (1989).

на рис. 4. Из-за высокой одноосной магнитной анизотро[13] М.В. Логунов, В.В. Рандошкин, Ю.Н. Сажин. ФТТ 32, 5, пии этого образца (Hef f 3200 Oe) сигнал ФМР при 1456 (1990).

перпендикулярном резонансе не наблюдается.

[14] Ф.В. Лисовский, А.С. Логгинов, Г.А. Непокойчицкий, Для всех образцов состава II наблюдается анизотропия Т.В. Розанова. Письма в ЖЭТФ 45, 7, 339 (1987).

в плоскости пленки, однако она невелика ( 150 Oe) [15] Г.Е. Ходенков. ФММ 39, 3, 466 (1975).

по сравнению со средним значением резонансного по- [16] В.В. Рандошкин, В.Б. Сигачев. ФТТ 28, 5, 1522 (1986).

[17] В.В. Рандошкин. Изв. вузов. Физика 9, 45 (1997).

ля, однако однонаправленная магнитная анизотропия отсутствует. Для пленок на подложке Ca3(Nb, Ga)5O12 [18] В.В. Рандошкин. ФТТ 39, 8, 1421 (1997).

[19] В.Н. Ваньков, А.М. Зюзин. ЖТФ 63, 5, 119 (1992).

азимутальная зависимость резонансного поля содержит [20] В.В. Рандошкин, Ю.Н. Сажин. ЖТФ 66, 8, 89 (1996).

четыре почти эквидистантных максимума, что отражает [21] В.В. Рандошкин, Н.А. Еськов, В.И. Чани. Письма в ЖТФ кристаллографическую анизотропию пленки. Это кор15, 2, 27 (1989).

релирует с эллиптической формой динамических доме[22] N.V. Vasiljeva, V.I. Chani, V.V. Randoshkin, N.A. Es’kov. Proc.

нов в исследуемых пленках. Для пленки на подложке SPIE 1126, 99 (1989).

Nd3Ga5O12 азимутальная зависимость резонансного поля [23] В.В. Рандошкин, Н.В. Васильева, К.В. Сташун, М.В. Стаимеет более сложный вид, что объясняется возбуждешун. Изв. РАН. Неорган. материалы 35, 1, 1 (1999).

нием СВР, приводящего к возникновению достаточно [24] K. Gangulee, R.J. Kobliska. J. Appl. Phys. 51, 6, 3333 (1980).

большого числа линий в спектре ФМР (рис. 5). [25] Н.А. Логинов, М.В. Логунов, В.В. Рандошкин. ФТТ 31, 10, 58 (1989).

Как для пленок состава I (рис. 1 и 2), так и для [26] В.Н. Дудоров, В.В. Рандошкин. ФТТ 36, 6, 1790 (1994).

пленок состава II (рис. 3, 4 и 5) ширина линии ФМР [27] В.В. Рандошкин, В.И. Чани. Дефектоскопия 4, 55 (1995).

намного выше, чем для пленок без РМА, не содержащих [28] Ю.В. Старостин. Запоминающие и логические устройства быстрорелаксирующих ионов (см., например, [26]).

на цилиндрических магнитных доменах. ИНЭУМ, М.

Таким образом, в настоящей работе показано, что (1981). С. 85–93.

a) в ВМПФГ состава I, выращенных на подложках [29] Ю.В. Старостин. Вопросы построения устройств на ЦМД.

(Gd, Ca)3(Mg, Zr, Ga)5O12 с ориентацией (210), в плосИНЭУМ, М. (1982). С. 15–18.

кости пленки наблюдается как однонаправленная магнит[30] Н.А. Грошенко, А.М. Прохоров, В.В. Рандошкин, М.И. Тиная анизотропия, так и анизотропия ширины линий ФМР;

мошечкин, А.Н. Шапошников, А.В. Ширков, Ю.И. Степаb) в ВМПФГ состава II, выращенных на подложках нов. ФТТ 27, 6, 1712 (1986).

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.