WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

молекулярного тока рекомбинации мы можем оценить температурную зависимость времени жизни носителей заряда, соответствующую экспериментально наблюдае- Список литературы мой зависимости Jth(T ). Для образца 4 она имеет вид [1] Д.З. Гарбузов, А.В. Чудинов, В.В. Агаев, В.П. Чалый, =(1.07 · 10-11T - 3.22 · 10-14T ) (16) В.П. Евтихиев. ФТП, 18, 102 (1984); Д.З. Гарбузов, В.В. Агаев, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин, В.П. Чалый. ФТП, (где в секундах, T в Кельвинах), соответствующий 18, 1069 (1984); И.С. Тарасов, Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихипороговый ток представлен кривой 1 на рис. 2. При этом ев, А.В. Овчинников, З.Н. Соколова, А.В. Чудинов. ФТП, 19, 1496 (1985).

температурная зависимость времени мономолекулярной [2] Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., рекомбинации (16) справедлива в интервале температур Мир, 1981) т. 1. [Пер. с англ.: H.C. Casey, M.B. Panish.

4.2 T 60 K.

Heterostructure Lasers (N.Y., Academic Press, 1978) v. 1].

Отклонения от линейной зависимости Jth(T ) для [3] G.P. Aggrawal, N.X. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor образцов 1 и 3 при T > 170 K могут быть свяLasers (N.Y., Van Nostrand Reinhold Company, 1986) заны с включением безызлучательных механизмов ch. 3, 9.

оже-рекомбинации. Так, для длинноволновых лазеров [4] В.П. Дураев, Г.И. Рябцев. Обзоры по электрон. техн.

( 15 мкм) при температурах вблизи комнатной главСер. II. Лазерная техника и оптоэлектроника (М., ЦНИИ ную роль играют процессы оже-рекомбинации [11]. Как „Электроника“), вып. 5 [1376], 1 (1988).

показано в работе [14], в структурах с квантовыми ямами [5] B. Zhao, T.R. Chen, L.E. Eng, Y.H. Zhuang, A. Shakouri, оже-рекомбинация является беспороговым процессом, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 65, 1805 (1994).

в значительной степени зависящим от количества ге- [6] К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Якотерограниц в структуре, т. е., например, от количества влев. Письма ЖТФ, 24 (4), 55 (1997).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1256 Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин...

[7] Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.А. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 886 (2000).

[8] Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002).

[9] G.G. Zegrya, A.D. Andreev, N.A. Gun’ko, E.V. Frolushkina.

Proc. SPIE, 2399, 307 (1995).

[10] Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991).

[11] Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. В кн.:

Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантовых структурах, под ред. В.И. Ильина и А.Я. Шика (СПб., Наука, 2001) гл. 6, 7.

[12] L.V. Asryan, N.A. Cun’ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000).

[13] L.V. Asryan, N.A. Gun’ko, A.S. Polkovnikov, R.A. Suris, G.G. Zegrya, B.B. Elenkrig, S. Smetona, J.G. Simmons.

P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 14, (1999).

[14] Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113 (4), 1491 (1998).

[15] В. Карпус. ФТП, 20, 559 (1986).

[16] Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (Singapure–N.J.– London–N.Y., World Scientific, 1999) v. 2.

[17] В.П. Грибковский. Теория испускания и поглощения света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975).

Редактор Л.В. Шаронова A temperature dependence of the threshold current in quantum well lasers N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev, V.I. Ivanov-Omskii, V.A. Smirnov, V.P. Evtikhiev, N.A. Pikhtin, M.G. Rastegaeva, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov, A.S. Shkol’nik, G.G. Zegrya Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Temperature dependences of the threshold current in GaInAs laser structures have been obtained in the range of 4.2 T 290 K. A monotone dependence of the threshold current density has been observed over the whole temperature range. Theoretical expressions are derived for the threshold carrier concentration and it has been shown that such concentration depends linearly on temperature. A study of the experimental data shows that the threshold current is mainly determined by a monomolecular recombination (the Shockley–Read one) at low temperatures, by radiative recombination at T > 77 K;

at higher temperatures (close to room temperature) the Auger recombination processes also contribute to the threshold current.

The threshold current has been shown to increase linearly with temperature for a radiative recombination and as T for the Auger recombination.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.