WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

яние изменения времени релаксации на термоэлектри[3] L.D. Hicks, T.C. Harman, M.S. Dresselhaus. Appl. Phys. Lett., ческую эффективность слоистых структур с квантовыми 63, 3230 (1993).

ямами в случае полярного рассеяния носителей на опти[4] D.A. Broido, T.L. Reinecke. Appl. Phys. Lett., 67, ческих фононах. Расчеты показали, что с уменьшением (1995).

толщин ям a время релаксации в образце с квантовыми [5] D.A. Broido, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 51, 13 797 (1995).

[6] T.L. Reinecke, D.A. Broido. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 487, ямами перестает зависеть от a и отличается от объ161 (1997).

емного значения только численным множителем. Это [7] I. Sur, A. Casian, A.A. Balandin, Z. Dashevsky, V. Kantser, объясняется видом зависимости матричного элемента H. Scherrer. Proc. 21st Int. Conf. on Thermoelectrics (Long рассеяния от волнового вектора фонона. Из-за отсутBeach, CA, USA, 2002) p. 288.

ствия закона сохранения квазиимпульса в направлении [8] Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич. ФТП, 36, 974 (2002).

оси z увеличивается число фононов, с которыми могут [9] А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., взаимодействовать электроны, т. е. расширяется фазовый Наука, 1978).

объем электронных фононов в пространстве волновых [10] L. Friedman. Phys. Rev. B, 32, 955 (1985).

векторов. Это приводит к увеличению вероятности [11] T. Koga, O.A. Rabin, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 62, рассеяния и уменьшению времени релаксации, если 16 703 (2000).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами... [12] A. Balandin. Phys. Low-Dim. Structur., 5/6, 73 (2000).

[13] A. Khitun, K.L. Wang. Phys. Low-Dim. Structur., 5/6, (2000).

Редактор Л.В. Беляков Calculation of the thermoelectric figure of merit in layered structures with quantum wells in the case of polar scattering on optical phonons D.A. Pshenay-Severin, Yu.I. Ravich Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia

Abstract

Calculation of an increase in the thermoelectric figure of merit in layered structures with quantum wells has been made under the polar scattering on optical phonons. On the base of calculations fulfilled earlier and the new ones as well, it is concluded that the increase in the figure of merit may occur due to the size quantum effect only if the probability of carrier scattering decreases with the growth the wave vector change.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.