WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Значительный физический интерес представляют внутренние распределения температуры, потенциала и локальной скорости электронов по длине канала и в прилегающих областях стока и истока, получаемые в процессе вычисления вольт-амперных характеристик.

В качестве примера на рис. 4, 5 приведены распределения этих величин для ряда типичных точек на характеристиках рис. 3, отвечающих значениям напряжения стока VD = 2 В и затвора VG = 4, 5, 6 В.

Рис. 1. Типичная пространственная структура глубоко-суб- Особое внимание следует обратить на температурные микрометрового МОП транзистора. распределения рис. 4, где штриховыми линиями пока7 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1250 В.А. Гергель, М.Н. Якупов зана плотность теплового потока в относительных единицах. Эти распределения иллюстрируют основную особенность электроразогрева в субмикрометровых транзисторных структурах, заключающуюся в пространственном разделении разогрева (канал) и охлаждения (стоковая область). При этом дифференциальная жесткость процесса (непрерывность первой производной температуры) приводит к существенному падению температуры уже в пристоковой части канала, где термоток, поменяв свой знак, складывается с полевым и диффузионным Рис. 5. Типичные распределения электронной скорости v и поверхностного потенциала в режиме VD = 2В, VG = 4, 5, 6 В.

током. Последнее в совокупности с соответствующим „подскоком“ подвижности обусловливает специфический пик электронной скорости в пристоковой части канала (рис. 5).

Отметим, что абсолютные значения скорости здесь существенно превышают скорость насыщения. Кроме того следует подчеркнуть, что в рассматриваемой пристоковой части канала интенсивность джоулева разогрева, Рис. 3. Расчетные вольт-амперные характеристики тестовых как и в остальных его частях, существенно превышает транзисторных структур с L = 0.25 мкм, d = 5нм, N = интенсивность терморелаксации, а интенсивное охла(сплошные кривые), 4 · 1017 см-3 (штриховые) при = 0.75.

VG = 3, 4, 5, 6 В. ждение носителей здесь обусловлено главным образом дивергенцией теплового потока, с избытком уносящего электронное тепло в стоковую область с малым электрическим полем, где терморелаксация становится доминирующей, а главной компонентой теплового потока становится теплопроводность.

Отметим, что описанный процесс локального охлаждения носителей в пристоковой части канала обостряется (становится более резким) в режимах, близких к отсечке канала.

7. Заключение Резюмируя изложенное, можно сказать, что в основе настоящей статьи и соответствующего нового подхода к моделированию высокополевого дрейфового процесса в субмикрометровых транзисторных структурах лежит предложенное здесь модельное представление стоковых областей в форме сверхплотных инверсионных слоев.

Тем самым обеспечивается возможность квазиодномерного рассмотрения полной структуры транзистора. Это Рис. 4. Расчетные распределения температуры и плотности потока тепла (в относительных единицах), отвечающие режи- и позволило нам в полной мере использовать всю мощь мам, отмеченным точками на рис. 3 (VD = 2В, VG = 4, 5, 6 В). квазигидродинамического подхода [9], с исключительной Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала в теории МОП транзистора полнотой описывающего высокополевой дрейфовый про- [9] R. Stratton. Phys. Rev., 126 (6), 2002 (1962).

[10] MINIMOS-NT 2.0 User’s Guide (Institute for Microцесс в его наиболее наглядном (одномерном) варианте.

electronics Technical Univ. Vienna, Austria, 2002).

Отметим также относительную простоту математической реализации развитой модели промежуточного Редактор Л.В. Шаронова уровня, которую, имея в виду известный MINIMOS Зельберхера [10], уместно будет называть в дальнейшем A quasidynamical modification MESOMOS.

of the uniform channel Мы предполагаем высокую перспективность испольin the MOS transistor theory зования MESOMOS в практике микроэлектронных исследований и разработок, поскольку транзисторные хаV.A. Gergel, M.N. Yackupov рактеристики, полученные в процессе предварительных Institute for Radio Engineering and Electronics, тестовых расчетов, демонстрируют типичные свойства Russian Academy of Sciences, характеристик реальных транзисторных структур и до125009 Moscow, Russia статочно высокую чувствительность (управляемость) к численным значениям соответствующих параметров.

Для этого, разумеется, потребуется определенная доработка модели в части как физики дрейфового процесса, так и адекватного учета структурно-технологических особенностей конструкции прибора.

В следующей продвинутой версии MESOMOS вместо элементарной формулы подвижности (6) будет использовано более общее выражение -1/µ0 NA T µ(T ) =µ0 2 - 1 + +, (24) µS 1017 Tпозволяющее учесть электронное рассеяние на шероховатостях границы раздела и кулоновских центрах в приповерхностной части полупроводника, а формула (3) для электронной плотности будет заменена несколько более громоздкой, но учитывающей обеднение края поликремниевого затвора. С помощью пары дополнительных вспомогательных функций координат в рассмотрение будет введена латеральная неоднородность легирования стоковых и истоковых областей (LDD) и подложки (halo). Наконец, располагая профилем электронной температуры, мы сможем сравнительно простым способом включить в модель ударную ионизацию (дырочный ток подложки) и надбарьерную инжекцию в окисел (ток затвора и начальная стадия деградация).

Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 04-02-17681).

Список литературы [1] BSIM3 User’s Manual (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley CA, 1996).

[2] HiSIM1.1.1 User’s Manual (STARC, 2002).

[3] Taurus–MediciTM, Synopsys Data Sheet (California, 2003).

[4] DessisTM, ISE Data Sheet (Switzerland, 2003).

[5] С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984).

[6] Y.P. Tsividis. Operation and Modeling of the MOS Transistor (McGraw-Hill, 1999).

[7] H.C. Pao, C.T. Sah. Sol. St. Electron., 9, 927 (1966).

[8] В.А. Гергель, Ю.В. Гуляев, В.А. Курбатов, М.Н. Якупов.

ФТП, 39, 453 (2005).

7 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.