WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

стродействие детектора), но главное — уменьшать W21. Полученные для конкретной структуры GaAs-КЯ ши-Величина W21 есть время жизни переброшенных на риною L = 20.0 нм результаты носят более общий второй уровень электронов. В детекторах инфракрас- характер. Можно утверждать, что при масштабном увеного излучения на основе межподзонных переходов в личении ширины КЯ L фотовольтаический отклик будет 7 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1250 Ю. Пожела, К. Пожела иметь место при положении барьера в квантовой яме [11] J. Poela, V. Jucien, A. Namajnas, K. Poela, V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, V.E. Kaminskii, A.V. Hook. J. Appl. Phys., 82, lb > 0.25L с максимумом при lb = 0.33L. МасштабиN 11, 5564 (1997).

рование структуры позволяет задавать энергию перехода E1 E3 и тем самым подбирать энергию детектируемого Редактор Л.В. Шаронова сигнала.

Отметим, что в структурах с L < 10.0 нм фотовольPotential difference and photovoltaic effect таический отклик будет нулевым из-за резкого роста stemming from deformation of an electron частоты переходов W21, когда E2 - E1 > 0.

wave function in GaAs quantum well with a thin AlGaAs barrier 4. Заключение Yu. Pozhela, K. Pozhela Расчеты деформации спектра и волновых функSemiconductor Physics Institute, ций электронов в КЯ AlGaAs/GaAs/AlGaAs шириной 2600 Vilnius, Lithuania L = 20.0 нм с тонким (d = 1нм) барьером AlGaAs в плоскости lb показали, что введение барьера в КЯ в область 0 < lb < 5 нм сдвигает электронный заряд в сторону широкой части КЯ и ведет при однородном примесном легировании к возникновению разности потенциала VL на краях КЯ.

При lb > 5 нм энергия дна первой подзоны в узкой части кристалла оказывается ниже дна второй подзоны в широкой части кристалла и электроны второго уровня в КЯ смещаются назад в узкую часть КЯ, компенсируя разность потенциалов VL. Сильная поляризация заряда электронов второго уровня относительно первого при lb > 5 нм создает условия для фотовольтаического отклика на оптическое возбуждение электронов между этими уровнями. Максимальный фотовольтаический отклик имеет место при lb = 7нм.

Расчеты скоростей межподзонных переходов в структуре показали, что время жизни фотовозбужденных электронов на втором уровне при lb > 5нм может быть увеличено до 0.3 нс. Такое увеличение времени жизни обеспечивает высокое значение фотовольтаического отклика и пригодность использования структуры GaAsКЯ с тонким AlGaAs-барьером в качестве детектора оптического излучения в инфракрасной области.

Список литературы [1] F.H. Julien, A. Sa’ar, J. Wang, J.P. Leburton. Electron. Lett., 31, 838 (1995).

[2] J. Faist, F. Capasso, D. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994).

[3] P. Boucaud, F.H. Julien, D.D. Yang, J.M. Lourtioz, E. Rosencher, P. Bois, J. Nagle. Appl.Phys. Lett., 57, 3 (1990).

[4] B.F. Levine. J. Appl. Phys., 74, N8, R1 (1993).

[5] H. Schneider, C. Schonbein, G. Bihlmann. Appl. Phys. Lett., 70, N 12, 1602 (1997).

[6] E. Rosencher, Ph. Bois. Phys. Rev. B, 44, 11 315 (1991).

[7] J. Poela. Physics of high speed tranzistors (Plenum, N. Y., 1994).

[8] H. Schneider. J. Appl. Phys., 74, N 7, 4789 (1993).

[9] C. Schonbein, H. Schneider, G. Bihlmann, K. Schwarz, P. Koidl. Appl. Phys. Lett., 68, N 7, 973 (1996).

[10] J. Poela, V. Jucien, K. Poela. Semicond. Sci. Technol., 10, N 12, 1555 (1995).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.