WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками ¶ © М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, + В.М. Устинов, Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Технический университет Берлина, Берлин D-10623, Германия (Получена 20 февраля 2004 г. Принята к печати 26 февраля 2004 г.) Исследовано влияние дислокаций на интенсивность фотолюминесценции структур с квантовыми точками в системе InAs–GaAs. Структурные характеристики образцов, в том числе плотность дислокаций, исследовались электронной микроскопией как в режиме светлого поля, так и в режиме слабого пучка.

При температурах ниже комнатной и умеренных плотностях мощности накачки структура, содержащая большие кластеры с дислокациями, и структура, в которой их плотность существенно меньше, имеют примерно одинаковую интенсивность фотолюминесценции. В противоположность этому интенсивности люминесценции, измеренные при больших плотностях накачки и повышенных температурах, позволяют адекватно оценить кристаллическое качество структур с квантовыми точками. Отжиг квантовых точек после заращивания их тонким (1–2нм) слоем GaAs позволяет уменьшить плотность кластеров с дислокациями и существенно увеличить температурную стабильность интенсивности фотолюминесценции.

1. Введение что для адекватной оценки плотности дефектов в таких структурах требуются исследования при высоких плотВ настоящее время светоизлучающие приборы на ностях накачки и высоких температурах.

квантовых точках, полученных методом самоорганизации, являются бурно развивающейся областью физики 2. Эксперимент полупроводников. Лазеры на квантовых точках показали предсказанные ранее теоретически уникальные харакИсследуемые структуры были выращены методом теристики, такие как низкая пороговая плотность томолекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на полуизока, высокая дифференциальная эффективность, высокая лирующих подложках GaAs (100). После снятия окистемпературная стабильность (в качестве обзора см. [1]).

ла с подложки на ней выращивался буферный слой Одним из уникальных свойств квантовых точек является GaAs при температуре 600C. На поверхности буфервозможность достижения больших, по сравнению с кванного слоя для предотвращения диффузии неравновестовыми ямами, длин волн излучения в данной системе ных носителей в подложку выращивалась сверхрешетка материалов, например в InGaAs–GaAs. Для увеличения GaAs(20 )/Al0.25Ga0.75As(20 ) из 6 периодов. Затем длины волны излучения используются специальные ровыращивался слой GaAs толщиной 0.1 мкм, после чего стовые методики, такие как формирование вертикальнотемпература подложки понижалась до 480C, осаждасвязанных квантовых точек [2] или активированный раслись квантовые точки InAs, которые затем заращивались пад твердого раствора [3]. В то же время рост квантовых слоем GaAs толщиной 10 нм при той же температуточек большого размера может сопровождаться формире. После этого температура подложки повышалась рованием одиночных дислокаций в квантовых точках до 600C и последовательно выращивались слой GaAs и больших кластеров с дислокациями, что приводит к толщиной 400, аналогичная нижней сверхрешетка и безызлучательной рекомбинации. Такие объекты привотонкий покрывающий слой GaAs.

дят к существенному ухудшению характеристик прибоКвантовые точки (КТ) выращивались с использоров на квантовых точках. Необходимо отметить, что, ванием стимулированного распада твердого раствора несмотря на большое количество работ по оптическим InGaAs [3]. В этом ростовом методе начальные квантосвойствам квантовых точек (см., например, [4,5]), исслевые точки, полученные осаждением DIS монослоев (ML) дованию безызлучательных процессов посвящено сравInAs, заращиваются слоем Inx Ga1-xAs средней толщинительно небольшое количество публикаций. В данной ны H (как правило, DIS = 1.7-3.5 ML InAs, x = 0-0.3, работе мы проводим систематическое изучение влияния H = 0-6нм). В процессе заращивания атомам индия центров безызлучательной рекомбинации на оптические энергетически более выгодно диффундировать по насвойства структур с квантовыми точками и показываем, правлению к KT, параметр решетки которых ближе к ¶ параметру решетки InAs, тогда как атомам Ga энерE-mail: maximov@beam.ioffe.ru Fax: 247-3178 гетически более выгодно диффундировать к областям 1246 М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, В.М. Устинов...

между KT, где параметр решетки ближе к параметру образце B начальные КТ, на которых осуществлялся стирешетки GaAs. Этот процесс ведет к эффективному мулированный распад InGaAs, были большего размера.

увеличению размеров начальных КТ и, соответственно, Увеличение размера начальных островков, стимулирук длинноволновому сдвигу линии фотолюминесценции ющих распад InGaAs, приводит к увеличению размера (ФЛ). Тот факт, что КТ оказываются заращ енными квантовых точек. По данным электронной микроскопии слоем InGaAs, дает дополнительный вклад в длинно- латеральный размер точек увеличился от (14.9 ± 1.5) нм волновый сдвиг линии ФЛ за счет уменьшения шири- для структуры A до (16.4 ± 1.6) нм для структуры B.

ны запрещенной зоны матрицы и перераспределения Плотность квантовых точек в структурах A и B составполей напряжений внутри точек. Наличие нескольких ляет соответственно 6.2 · 1010 и 5.5 · 1010 см-2.

параметров роста (DIS, x, H) позволяет эффектив- Кроме квантовых точек, на изображениях, полученных но управлять параметрами массивов КТ, в частности электронной микроскопией в режиме светлого поля, получить длину волны излучения 1.3 мкм, поддержи- наблюдаются кластеры, имеющие больший по сравневая высокое структурное и оптическое качество образ- нию с КТ размер, в которых происходит релаксация ца [3,6]. напряжений за счет пластической деформации, т. е.

за счет образования дислокаций. Для более точного Для возбуждения фотолюминесценции использовался Ar+-лазер (длина волны = 514.5 нм, плотность мощ- определения плотности кластеров с дислокациями нами также были проведены исследования структур A и B ности 500 Вт/см2). Для регистрации ФЛ использовался в режиме слабого пучка при дифракционных условимонохроматор МДР23 и германиевый p-i-n-фотодиод North Coast E0/817R. Исследования методом просвечи- ях, соответствующих (g; +2g), где вектор дифракции вающей электронной мироскопии (ПЭМ) были выпол- g =(220). Сравнение изображений структуры B, полученных методом электронной микроскопии в режиме нены с использованием микроскопа Philips EM 420 при ускоряющем напряжении 100 кВ. Образцы приготавли- светлого поля и слабого пучка, представлено на рис. 1, a и b соответственно (на снимках даны разные участки вались в планарной (001) и поперечных (110) и (010) образца). Исследование дислокаций в кристаллической геометриях с использованием стандартной технологии структуре в режиме слабого пучка является стандартподготовки, т. е. осуществлялись шлифовка, полировка ной методикой электронной микроскопии, имеющей ряд и конечное распыление материала ионами Ar+ под преимуществ по сравнению с режимом светлого поля.

скользящими углами к поверхности ( 12-14) при При получении изображений в режиме слабого пучка ускоряющем напряжении 4 кэВ.

образец отклоняется далеко от точного брэгговского положения, так что ошибка возбуждения дифрагирован3. Влияние интенсивности накачки ного пучка достаточно большая. Однако вблизи ядра и температуры дислокации вследствие изгиба кристаллических плоскона фотолюминесценцию структур стей условия Брэгга будут выполняться и будет иметь место сильное отражение дифрагированного пучка. Дисс квантовыми точками, локация изображается яркой линией на фоне остальсодержащими дефекты ной части образца, имеющей слабый контраст. Таким образом, темнопольные изображения в режиме слабого Для исследования влияния дислокаций на оптические пучка позволяют лучше визуализировать дислокации свойства структур с КТ были использованы следуюпо сравнению с изображениями, полученными в режищие структуры: A — DIS = 2.6ML, x = 0.15, H = 45 ;

ме светлого поля. Области с дислокациями видны на B —DIS = 3ML, x = 0.15, H = 50. Таким образом, в рис. 1, b как области яркого контраста, характерного для дислокационных петель. Плотность дислокаций для структур A и B составила 1.3 · 109 и 2.2 · 109 см-2 соответственно. Важно отметить, что в образце A размер дислокационных петель был существенно меньше, чем в образце B.

Больший размер квантовых точек в образце B позволяет достичь больших длин волн максимума спектра фотолюминесценции, чем в образце A (длинноволновый сдвиг линии фотолюминесценции составляет 30 мэВ).

В то же время при данных условиях роста увеличение размера начальных КТ и соответствующий длинноволновый сдвиг сопровождаются, как уже отмечалось, образованием больших кластеров с дислокациями и увеличением плотности дислокаций на слой квантовых Рис. 1. Изображения структуры B, полученные электронной точек, т. е. существенным ухудшением кристаллического микроскопией в режиме светлого поля (a) и слабого пучка (b).

На изображениях представлены разные участки образца. качества образца. Интересно отметить, что дальнейшее Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур... При комнатной температуре и плотности возбуждения 100 Вт · см-2 обе структуры имеют примерно одинаковую интенсивность ФЛ (рис. 2, a), несмотря на худшее кристаллическое качество структуры B. Спектры ФЛ исследуемых образцов при плотности накачки 5000 Вт · см-2 представлены на рис. 2, b. Интенсивность ФЛ структуры A при таких условиях существенно выше, чем структуры B. Вследствие высокой интенсивности накачки в структуре A наблюдается насыщение интенсивности линии ФЛ основного состояния квантовых точек, и доминирующим пиком в спектре становится линия первого возбужденного состояния. В противоположность этому, в структуре B насыщения ФЛ основного состояния не происходит. Данный факт можно объяснить различием „эффективных“ интенсивностей оптической накачки для структур A и B. В структуре B часть фотовозбужденных носителей гибнет безызлучательно и количество носителей, которые могут быть захвачены квантовыми точками, оказывается меньше.

Нами также было проведено исследование структурного и оптического качества образцов C и D, выращенных при оптимизированных по сравнению со структурами A и B условиях (скорость роста, давление мышьяка).

Как для структуры C, так и для структуры D были использованы следующие параметры осаждения квантовых точек: DIS = 3.0ML, x = 0.13, H = 50. Для уменьшения плотности кластеров с дислокациями в структуре D использовался специальный отжиг квантовых точек в процессе роста: квантовые точки заращивались тонким (1нм) слоем GaAs при 480C, и затем температура подложки увеличивалась до 600C. При этом происходит испарение больших кластеров, не полностью покрытых GaAs, а также отжиг структуры [7]. Форма и размер когерентных (упругонапряженных) точек при отжиге почти не меняются. Структуры C и D исследовались электронной микроскопией только в режиме светлого поля. Плотность дислокаций в образце C, выращенном с использованием оптимизированных режимов роста, была меньше, чем в образце A. В структуре D, выращенной с использованием процедуры отжига в процессе роста, объектов с дислокациями при исследовании в режиме светлого поля обнаружено не было.

Спектры ФЛ структур C и D представлены на рис. 3, a.

На том же рисунке приведен спектр ФЛ структуры E с квантовыми точками, полученными осаждением 2.2 ML GaAs (без заращивания слоем InGaAs). Поскольку в случае структуры E размер точек существенно меньше, Рис. 2. Спектры фотолюминесценции (PL) структур A и B при чем в случае структур A–D, можно предположить, что плотности накачки 100 (a) и 5000 Вт · см-2 (b). Температура измерений — комнатная.

одиночные дислокации в КТ и большие кластеры с дислокациями в ней отсутствуют. При комнатной температуре и плотности возбуждения 5000 Вт · см-2 интеувеличение количества осажденного индия (величин DIS гральная интенсивность ФЛ структуры C в 1.5 раза и x) приводит к насыщению длинноволнового сдвига, в ниже по сравнению со структурой D, что согласуется то время как плотность дислокаций продолжает увели- с данными электронной микроскопии и может быть чиваться. Данный эффект наблюдался ранее и подробно связано с большим числом рядов квантовых точек в рассмотрен в работах [3,6]. структуре D.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1248 М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, В.М. Устинов...

В то же время для более объективной оценки плотности дефектов и дислокаций в структурах с квантовыми точками оптическими методами желательно создать условия эксперимента, при которых различие в интенсивностях образцов с различным кристаллическим качеством было бы как можно больше. Это особенно важно в случае образцов, выращенных в разных сериях, поскольку небольшое различие в интенсивностях ФЛ может быть обусловлено случайными факторами, например чистотой материалов в установке МПЭ. Спектры ФЛ структур C, D, E при температуре 140C представлены на рис. 3, b. При такой температуре разница в интегральных интенсивностях ФЛ структур увеличивается до 11 раз. Как видно из рис. 4, различие в интегральных интенсивностях ФЛ монотонно растет с увеличением температуры. Интересно отметить, что для структуры E, в которой отсутствуют дислокации, падения интегральной интенсивности с ростом температуры практически не наблюдается.

4. Обсуждение полученных результатов Согласно нашим данным, наличие в структуре с КТ дислокаций с плотностью < (2-3) · 109 см-2 не приводит к заметному падению интегральной интенсивности ФЛ при умеренных накачках, 0.1-500 Вт · см-2, и при не слишком высоких температурах, < 300 K. Данный факт был опубликован в работе [8], где исследовалась люминесценция квантовых точек, выращенных на коммерческой подложке GaAs, а также на кремниевой подложке, на которую был осажден слой GaAs. ВследРис. 3. Спектры фотолюминесценции (PL) структур C, D и E ствие рассогласования решеток GaAs и Si плотность при температурах 20 (a)и 140C (b). Плотность мощности дислокаций в буферном слое GaAs на Si составляла накачки 5000 Вт · см-2.

более 1 · 107 см-2 (плотность дислокаций в этом случае определялась методом химического травления образца).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.