WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

народной ассоциации INTAS (грант 94-1172) и РоссийMaximal critical temperature of InSb IF formation on the Al(Ga)Sb ского фонда фундаментальных исследований совместно с buffer ( 390C), derived from a comparison of Sb4 pressure in Немецким исследовательским обществом (грант РФФИ– the incident flux with its equilibrium pressure over the strained DFG-96-02-0023G).

IF monolayer, is consistent well with available experimental data.

In contrast to this, the critical temperature of AlAs(GaAs) IF formation, related to an onset of intensive As re-evaporation, is found to be far above the commonly used substrate temperature Список литературы range (350–550C).

[1] G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 67, E-mail: necludov@beam.ioffe.rssi.ru (1990).

[2] B. Brar, J. Ibbetson, H. Kroemer, J.H. English. Appl. Phys.

Lett. 64, 3392 (1994).

[3] J. Wagner, J. Schmitz, D. Behr, J.D. Ralston, P. Koidl. Appl.

Phys. Lett., 65, 1293 (1994).

[4] I. Sela, C.R. Bolognesi, L.A. Samoska, H. Kroemer. Appl.

Phys. Lett., 60, 3283 (1992).

[5] S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Boudza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop’ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, L.M. Sorokin, S.V. Shaposhnikov, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993).

[6] S.V. Ivanov, A.A. Boudza, R.N. Kutt, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, P.S. Kop’ev.

J. Cryst. Growth, 156, 191 (1995).

[7] П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988).

[8] R.E. Nahory, M.A. Pollack, E.D. Beebe, J.C. DeWinter. J.

Electrochem. Soc. 125, 1053 (1978).

[9] O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology (Springer Verlag, Berlin, 1982) vol. 17A.

[10] S.V. Ivanov, P.S. Kop’ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, 104, 345 (1990).

[11] M.B. Panich, M. Ilegems. Progress in Solid State Chemistry, ed. by H. Reiss, J.D. McCaldin (Pergamon, N. Y., 1972) vol. 7, p. 39.

[12] S.Yu. Karpov, Yu.V. Kovalchuk, V.E. Myachin, Yu.V. Pogorelskii. J. Cryst. Growth, 129, 563 (1993).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.