WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100) +¶ + © А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner= + Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия = Max-Planck-Institute for Microstructure Physics, D-06120 Halle / Saale Germany, Weinberg 2 (Получена 11 февраля 2004 г. Принята к печати 16 февраля 2004 г.) Методами атомно-силовой микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование морфологических особенностей массива островков Ge нанометрового диапазона, сформированных на поверхности Si (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что присутствие сурьмы на поверхности подложки во время осаждения Ge значительно повышает плотность конечного массива островков, а также подавляет образование dome-кластеров при температурах 550-600C. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.

1. Введение многогранные островки с гранями {113}. При этом германиевые островки имеют форму hut-кластеров при В настоящее время кремний является базовым ма- температурах подложки менее 600C, dome-кластеры териалом в индустрии полупроводниковых приборов.

формируются при температурах выше 550C [10]. ВдиаПланарная технология интегральных микросхем на его пазоне температур 550-600C наблюдаются обе фазы:

основе достигла значительных высот и постоянно совер- hut-кластеры и dome-кластеры. Классификация форм шенствуется. Однако до последнего времени на основе Ge-островков достаточно подробно описана в обзокремния не удается создать эффективного светоизлу- ре [11].

чающего прибора. Значительные усилия в данном наПостановка задачи о получении светоизлучающих правлении предпринимаются сегодня многими группами приборов на основе гетероструктур Si / Ge требует, пос применением различных подходов [1–6]. Одним из мимо решения основного вопроса о реализации прянаиболее перспективных, на наш взгляд, является подмого оптического перехода, получения эпитаксиальных ход, в основе которого лежит концепция использования слоев высокого кристаллографического совершенства, а гетероструктур Si / Ge. За последние 20 лет данной темаименно необходимо избежать формирования дислокаций тике посвящено большое количество как теоретических, несоответствия и достичь возможно более низкого уровтак и экспериментальных работ. В ряде теоретических ня фонового легирования. Выращивание эпитаксиальных работ [7,8] была предсказана возможность реализации слоев при высоких температурах подложки (> 550C) прямого оптического перехода в данной системе при позволяет снизить уровень фонового легирования до малых размерах германиевых кластеров, внедренных приемлемого. Однако осаждение Ge при высоких темпев матрицу кремния. Реализовать подобные условия в ратурах подложки приводит к формированию островков эксперименте позволяют эпитаксиальные технологии, в dome-типа, размеры которых велики, и локализация частности молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ). При носителей в таких островках в значительной мере осаждении Ge на поверхность монокристаллического ослаблена. Кроме того, при заращивании кремнием кремния в условиях сверхвысокого вакуума на наdome-островки могут становиться источниками образочальных стадиях осаждения происходит формирование вания дислокаций несоответствия [12]. Отметим также, нанометровых островков. После заращивания кремнием что в диапазоне температур 550-600C велик разброс подобные островки способны локализовать носители по размерам среди Ge-островков hut-фазы, а также всего заряда (дырки) в квантовых ямах, образованных вследмассива Ge-островков за счет сосуществования hut- и ствие разрыва зон на гетрограницах Si / Ge / Si. Из-за dome-фаз [11].

того что гетеропереход Si / Ge является гетероперехоВ данной работе предлагаются подходы, позволяющие дом II рода, электроны могут быть локализованы в избежать формирования dome-кластеров при осаждении кремнии на гетерогранице [9]. Ранее было установлено, Ge на поверхность Si (100) при температурах подложки что при осаждении Ge на поверхность Si (100) могут 550-600C. Кроме того, реализованные подходы привобыть сформированы островки двух типов, так называедят к увеличению однородности по размерам массива мые hut-кластеры с гранями {105} и dome-кластеры — островков Ge, а также, в ряде случаев, к их простран¶ E-mail: alex234@newmail.ru ственному упорядочению.

1240 А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner 2. Эксперимент Ростовые эксперименты проводились на установке МПЭ Riber Siva-45. Источниками атомарных потоков Si и Ge были электронно-лучевые испарители. Контроль потоков осуществлялся двумя квадрупольными массспектрометрами, настроенными на массы 28 и 74 соответственно. Предростовая химическая подготовка поверхности кремния выполнялась RCA-методом [13]. Удаление защитного окисного слоя происходило непосредственно в ростовой камере и предшествовало осаждению буферного слоя кремния толщиной 100 нм. Слой Ge с эквивалентной толщиной 0.85 нм осаждался на буферный слой кремния. Было выращено несколько образцов при температурах подложки от 500 до 600C, причем в ряде исследуемых образцов осаждение германия сопровождалось экспозицией поверхности подложки в потоке Sb, в других образцах на поверхность Si осаждался только Ge. Наблюдения за картинами дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) свидетельствовали об образовании островков Ge во всех образцах. После окончания ростовых экспериментов образцы как можно более быстро охлаждались до комнатной температуры и извлекались из вакуумной камеры. Далее они исследовались методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) в бесконтактном режиме на атмосферном микроскопе производства Digital Instruments Inc. (USA).

Рис. 1. ДБЭО-изображение поверхности Si, покрытой 0.7 нм Ge (a) и распределение интенсивности на картине ДБЭО (b) 3. Результаты и их обсуждение в различные моменты времени по сечению A-A1 (см. a) для эффективных толщин Ge 0 (0), 0.66 (1), 0.68 (2), 0.70 нм (3).

Непосредственные наблюдения за изменением картин ДБЭО во время роста в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки, позволяют получить количественную информацию о моменте пепомощью просвечивающей электронной микроскопии на рехода от двумерного к трехмерному механизму ротолстых ( 200 нм) слоях Ge, было установлено, что ста [14,15]. Вработе [14] был проведен детальный анализ моменту времени t1 (кривая 1 на рис. 1, b) соответдинамики изменений картин ДБЭО для системы Ge / Si ствует эффективная толщина слоя Ge 0.66 нм, t2 (крив широком диапазоне температур. Применяя метод, анавая 2) — 0.68 нм, t3 (кривая 3) — 0.70 нм. Заметим, логичный использованному в [14], к системам Ge / Si и что между моментами времени t1 и t3 происходит (Ge + Sb) / Si, мы измерили критические толщины герматрансформация спектра интенсивности дифракционной ниевого смачивающего слоя на кремнии в присутствии картины по сечению A-A1, что соответствует формисурьмы. На рис. 1, a представлена типичная картина рованию островков Ge на поверхности смачивающего ДБЭО в направлении [011] от поверхности Si (100) слоя Ge. Таким образом, была определена критическая для момента времени, соответствующего напылению толщина перехода от двумерного к трехмерному росту слоя Ge с эффективной толщиной 0.7 нм. Температура с точностью ±0.02 нм, т. е. 0.14 монослоя (МС), для подложки составляла 550C. Яркие точечные рефлек- Ge / Si при температуре подложки 550C и скорости сы в данном случае свидетельствуют об образовании роста Ge 0.02 нм / с. Аналогичный подход был примена поверхности подложки трехмерных островков. Для нен для измерения критической толщины в системе получения точной информации о моменте перехода (Ge + Sb) / Si для двух скоростей роста Ge. При скорости от двумерного к трехмерному росту были проведены роста 0.02 нм / с переход наблюдался при эффективной наблюдения за динамикой интенсивности рефлексов толщине Ge 0.60 нм, а при скорости 0.002 нм / с — при (01) [14] по сечению A-A1, отмеченному на рис. 1, a. 0.51 нм. Таким образом, установлено, что в присутствии На рис. 1, b изображено распределение интенсивности Sb образование островков Ge происходит раньше при по сечению A-A1 дифракционной картины в различные прочих равных условиях. Следует отметить, что для моменты времени. В соответствии с предварительными ориентации Si (111) при определенных условиях роста калибровками скорости роста Ge, проводившимися с и экспозиции поверхности в потоке Sb не наблюдалось Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии... образования островков Ge на поверхности, а релаксация напряжений осуществлялась за счет образования дислокаций [16,17].

На рис. 2, a представлено АСМ-изображение поверхности Si (100) с островками Ge. Германий осаждался на подложку Si со скоростью 0.02 нм / с при температуре 550C. Островки имеют основание прямоугольной и квадратной формы. Средняя высота островков составляет 1.8 нм. Это — типичные hut-кластеры [11]. На рис. 2, b приводится АСМ-изображение поверхности Si, покрытой островками Ge, которые также были сформированы при температуре подложки 550C и скорости осаждения 0.02 нм / с, однако во время осаждения германия поверхность подложки подвергалась экспозиции в потоке сурьмы. Температура источника Sb была 450C, что соответствовало эффективной скорости осаждения 0.2 МС / с (1МС содержит 6.8 · 1014 см-2 атомов [18]).

Предварительное наблюдение за картинами ДБЭО при непосредственном осаждении Sb в течение длительного времени на поверхность Si (100), нагретую до 550C, показало отсутствие каких-либо изменений формы и положения рефлексов ДБЭО, что свидетельствовало о десорбции атомов / молекул Sb. Тем не менее в работах [18,19] было показано, что сурьма все же присутствует на поверхности кремния. Установлено [18], что коэффициент прилипания Sb к поверхности кремния в диапазоне температур 550-600C равен единице при толщинах покрытия < 0.7 МС. При увеличении толщины покрытия коэффициент прилипания стремительно убывает, достигая нуля при толщине 1 МС [18,19].

Сравнивая рис. 2, a и 2, b, заметим, что морфология массива островков Ge существенно различна.

Во-первых, в присутствии Sb с поверхности полностью пропадает hut-фаза островков Ge. Во-вторых, средние размеры островков увеличиваются и составляют 40 нм — сторона основания пирамиды и 3 нм — высота пирамиды. Грани пирамид, таким образом, имеют индексы {106}. Нельзя считать подобные островки domeфазой, поскольку в результате наблюдений за картинами ДБЭО нами не была отмечена мультифасеточная структура граней. Кроме того, на рис. 2, c представлен фурьеобраз АСМ-изображения (рис. 2, b) поверхности Si с островками Ge, осажденными вместе с Sb. Рис. 2,c свидетельствует об упорядочении объектов квадратной формы (в нашем случае островков Ge) в реальном пространстве по кристаллографическим направлениям 010.

На рис. 3, a дано АСМ-изображение поверхности Si (100) с Ge, осажденным при 550C и скорости 0.002 нм / с. Из рисунка видно, что на поверхности сосуществуют hut- и dome-фазы. Наблюдаемое Рис. 2. АСМ-изображения 0.85 нм Ge на поверхности Si.

распределение по форме и размерам характерно для a: Ge осаждался при температуре подложки 550C со скороданного диапазона температур [11]. Ситуация кардинальстью 0.02 нм / с. b: Ge осаждался вместе с Sb при температуре но меняется, когда к системе Ge / Si добавляется Sb.

подложки 550C со скоростью 0.02 нм / с. c — фурье-образ На рис. 3, b изображена поверхность Si, на которую АСМ-изображения b.

Ge осаждался одновременно с Sb. В данном случае островки имеют размеры 24.0 нм — сторона основания пирамиды и 2.6 нм — высота пирамиды. Плотность Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1242 А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner Заметим, что во всех случаях, когда осаждение Ge сопровождалось экспозицией поверхности подложки в Sb, плотность массива островков Ge была выше, чем в соответствующих образцах, выращенных без Sb, не менее чем на 60%. Как показывают полученные в работе экспериментальные результаты, увеличение скорости осаждения Ge и осаждение Sb одновременно с Ge позволяют подавить образование dome-кластеров на поверхности Si, а также сформировать плотный и однородный по размерам ансамбль кластеров. При осаждении чистого Ge формируются hut-кластеры с гранями {105}. При добавлении примеси Sb грани кластеров ориентированы по направлениям {106}. В обоих случаях характерный латеральный размер кластеров по крайней мере в 2 раза меньше характерного размера dome-кластеров, образующихся при тех же значениях эффективной толщины и температуры поверхности для низких значений скорости осаждения Ge в отсутствие Sb.

Рис. 3. АСМ-изображения 0.85 нм Ge на поверхности Si.

a: Ge осаждался при температуре подложки 550C со скоростью 0.002 нм / с. b: Ge осаждался вместе с Sb при температуре подложки 550C со скоростью 0.002 нм/с.

массива островков высока и равна 1.4 · 1011 см-2. Важно отметить, что в случае присутствия Sb на поверхности Si размеры островков относительно невелики, а форма всех островков массива пирамидальная.

На рис. 4, a приведено АСМ-изображение поверхности Si (100) с Ge, осажденным при 600C и скорости 0.02 нм / с. Заметим, что в этом случае на поверхности присутствует только dome-фаза, плотность массива островков меньше по сравнению с образцом, выращенным в тех же условиях, но при 550C. На рис. 4, b изображена поверхность структуры, отличие которой от предыдущей заключалось в присутствии Sb на поверхности подложки во время осаждения Ge. Отметим, что в последнем случае dome-фаза не наблюдается. Разброс Рис. 4. АСМ-изображения 0.85 нм Ge на поверхности Si.

по размерам среди островков достаточно велик, причем a: Ge осаждался при температуре подложки 600C со скоролатеральные размеры островков не превышают 40.0 нм, стью 0.02 нм / с. b: Ge осаждался вместе с Sb при температуре а высота не превышает 2.5 нм. подложки 600C со скоростью 0.002 нм / с.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии... Представленные результаты могут быть интерпрети- Список литературы рованы с позиций кинетической модели формирования [1] В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных З.Ф. Красильник, Б.Я. Бэр, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский.

системах, рассогласованных по параметру решетки, разФТП, 36 (6), 662 (2002).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.