WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Пусть, как это делается в квантовой химии и теории сплавов, матричный элемент Vb =(tats)1/2, где ta и ts — межатомные матричные элементы адсорбата и адсорбента соответственно. С другой стороны, в рамках теории сильной связи ширина валентной зоны полупроводника WV = 2nsts, где ns — число ближайших соседей. Тогда, вновь используя для плотности состояний b модель Фриделя, получим = ta. (27) Данные расчета по формуле (27) приведены в таблице (см. вариант 2). На рис. 4 представлены результаты расчета -EV в зависимости от величины потенциалов ионизации металлических атомов I. Из рисунка следует, что при расчете по варианту 2 зависимость - EV от I близка к линейной (за исключением Au), тогда как при варианте 1 спад зависимости - EV замедляется с ростом I. Экспериментальные данные приведены на рис. 5 [1,8]. Из сравнения теории с опытными данными следует, что тенденция лучше описывается вариантом 2, тогда как величина - EV, особенно для металлов с высокими потенциалами ионизации (Cu, Ag, Au), лучше Рис. 4. Зависимость положения локальных уровней атомов описывается вариантом 1.

металла (относительно потолка валентной зоны), адсорбированных на поверхности GaAs, от их потенциала ионизации I. Теперь рассмотрим модель дефекта при = 0 (ДМ).

Значки 1 и 2 соответствуют вариантам расчета (см. таблицу).

Продифференцировав уравнение (7) по потенциалу иоФизика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами... [8] W. Mnch. Europhys. Lett., 7, 275 (1988).

[9] С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 2749 (1995).

[10] F.D.M. Haldane, P.W. Anderson. Phys. Rev. B, 13, (1976).

[11] J.E. Klepeis, W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 40, 5810 (1989).

[12] В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников.

Справочник (Киев, Наук, думка, 1978).

[13] У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1.

[14] W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983).

[15] У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 2.

[16] Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991).

Рис. 5. Экспериментальные данные о положении уровня Ферми относительно потолка валентной зоны (высота барьера Редактор Т.А. Полянская Шоттки) для контакта металл–p-GaAs (110) по данным работ [1,8].

The role of defects in formation local states that are induced by atoms adsorbed on semiconductor surfaces низации, получим S.Yu. Davydov 1,= -Z1,2, (28) A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, I Russian Academy of Sciences, где Z1,2 дается формулой (16). Легко видеть, что чем 194021 St. Petersburg, Russia меньше член в квадратных скобках, тем в большей степе ни зависимость 1,2(I) приближается к линейной. В рассматриваемой области (|| >/2) величина |/I| для ДМ меньше, чем для БДМ, так как в квадратных скобках выражения (16) появляется дополнительное положительное слагаемое. Более того, появление i-зоны приводит, по сравнению с БДМ, к сближению локальных уровней с краями соответствующих зон (±/2, ±/2) и, следовательно, уменьшает величину |/I|. Эти выводы качественно согласуются с результатами работы [7]. Получить количественные результаты здесь, однако, затруднительно, поскольку нам не известны значения параметров и, так как природа возникающих на контакте дефектов неизвестна [1].

Таким образом, в рамках единой модели нам качествено (а в случае отсутствия дефектов и количественно) удалось объяснить экспериментально наблюдаемые тенденции при образовании барьера Шоттки на контакте металл–p-GaAs (110).

Список литературы [1] W. Mnch. Rep. Prog. Phys., 53, 221 (1990).

[2] Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990).

[3] W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Su, P. Chye. Phys. Rev.

Lett., 44, 420 (1980).

[4] V. Heine. Phys. Rev., 138, A1689 (1965).

[5] J.R. Waldrop. Appl. Phys., 75, 4558 (1994).

[6] А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалов. ФТП, 29, 1828 (1995).

[7] R. Lideke. Phys. Rev. B, 40, 1947 (1989).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.