WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

стей полос ФЛ свидетельствуют об изменении числа [5] Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, излучающих центров, а коротковолновые сдвиги — об В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, уменьшении их размеров. Увеличение концентрации наN5, 31 (1998).

нопреципитатов и уменьшение их средних размеров при [6] S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, введении N связано, скорее всего, с увеличением числа D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, центров преципитации благодаря взаимодействияю N с (1999).

избыточным Si. Несмотря на дополнительное введение [7] L. Patrone, D. Nelson, V. Safarov, M. Sentis, W. Marine, искусственных центров осаждения, для формирования S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев... [8] M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 83, 7953 The role of nitrogen in light-emitting Si (1998).

nanoprecipitate formation during annealing [9] J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu, of Si-implanted SiO2 layers H.Z. Wang, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 73, 1838 (1998).

[10] J.-H. Tsai, A.-T. Yu, B.C. Shen. Japan. J. Appl. Phys., 39, LG.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, (2000).

M.-O. Ruault [11] I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, Institute of Semiconductor Physics, A. Misiuk, G.A. Kachurin. J. Luminesc., 80, 229 (1999).

[12] G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovskii, O. Kaitasov, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. Nucl. Instr. Meth.

630090 Novosibirsk, Russia B, 147, 356 (1999).

CSNSM-CNRS/IN2P3, [13] Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаков91405 Orsay, France ский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. ФТП, 34 (2000).

Abstract

SiO2 layers were implanted with 25 keV Si+ and [14] B.H. Augustine, E.A. Irene, Y.J. He, K.J. Price, L.E. McNeil, 13 keV N+ ions with the doses of (1-4) · 1016 cm-2 and K.N. Christensen, D.M. Macher. J. Appl. Phys., 78, (0.2-2)·1016 cm-2, respectively. Then the samples were annealed (1995).

at 900-1100C to form light-emitting Si nanoprecipitates the [15] Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt. Appl. Phys. Lett., 66, process being controlled by photoluminescence. N+ implantation (1995).

[16] Q. Zhang, S.C. Bayliss, A.Al-Aljili, D.A. Hutt, P. Harris. Nucl. caused an increase in photoluminescence and its blue shift when Instr. Meth. B, 97, 329 (1995).

the appropriate ratio between Si and N was provided. It has [17] J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, X.Z. Ding, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, been concluded that because of Si–N interaction the number of X.H. Lin, G.Q. Yang. Appl. Phys. Lett., 74, 1403 (1999).

nucleation sits increases, which raises the nanocrystals number and [18] T. Ehara, S. Machida. Thin Sol. Films, 346, 275 (1999).

reduces their mean size. Despite the introduction of additional nu[19] K. Oyoshi, T. Tagami, S. Tanaka. J. Appl. Phys., 68, cleation sites, the excess Si concentrations as high as 1021 cm-(1990).

and the annealing temperatures > 1000C were required for the [20] S. Veprek, Z. Iqbal, F.-A. Sarrot. Phys. Mag. B, 45, 137 (1982).

nanocrystal formation.

[21] L.A. Nesbit. Appl. Phys., 46, 35 (1985).

[22] Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков.

ФТП, 32, 1371 (1998).

[23] C. Delerue, G. Allan, M. Lanno. Phys. Rev. B, 48, 11 (1993).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.