WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

в области размеров квантовых точек, больших 1.5 нм, [16] Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1989).

показывает очень хорошее согласие. Так, результаты [17] D. Babic, R. Tsu, R.F. Greene. Phys. Rev. B, 45, 14 расчетов ширины оптической щели, выполненных по (1992).

методу сильной связи в работах [4,5,8], по методу [18] A. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. Phys.

псевдопотенциала [11] и в приближении функционала Rev. B, 62, 12 625 (2000).

локальной плотности [12], практически полностью сов[19] T. van Buuren, L.N. Dinh, L.L. Chase, W.J. Siekhaus, падают со значениями Eg(R) нашей работы при m = m0.

I.J. Terminello. Phys. Rev. Lett., 80, 3803 (1998).

Данные работ [6] (метод сильной связи) и [10] (метод [20] S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62, 16 псевдопотенциала) отличаются от наших примерно на (2000).

10–15%, но в разные стороны: вычисления по методу [21] S. Guha, B. Quadri, R.G. Musket, M.A. Wall, T. Shimizuсильной связи [6] дают более низкие значения ширины Iwayama. J. Appl. Phys., 88, 3954 (2000).

щели, а по методу псевдопотенциала [10] — более Редактор Л.В. Шаронова высокие.

Экспериментальные данные, приведенные в рабоSize dependence of the optical gap тах [5,6,10,18–21], также неплохо согласуются с нашими for silicon quantum dots расчетами. Практически полное совпадение имеет место с данными работ [5,10,18], где сообщается о результатах V.A. Burdov экспериментов по люминесценции [5,18] и оптическому Nizhny Novgorod State University, поглощению [10]. Работы [6,19–21] по люминесценции 603600 Nizhny Novgorod, Russia в нанокристаллах кремния дают несколько меньшие значения ширины оптической щели (в целомна 10–20%)

Abstract

The size dependence of the optical gap for silicon по сравнению с нашими. Наблюдающийся разброс в эксquantum dots implanted in a dielectric silicon dioxide matrix периментальных данных может быть вызван разными is obtained within the framework of the envelope function способами „приготовления“ квантовых точек, что вряд approximation. It is shown that the consideration of SiO2 finite ли может быть учтено в теоретической модели.

band gap and the change of the effective mass at the Si/SiOТаким образом, даже при достаточно малых размерах boundary significantly reduce the optical gap value in comparison квантовых точек приближение огибающей дает хороwith the model of infinite barriers for electrons and holes. A good шее согласие как с экспериментом, так и с другими agreement with the experimental data is established.

расчетными методами, выгодно отличаясь от них тем, Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.