WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiOx, содержащих нанокристаллы кремния © И.В. Антонова¶, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, Д.В. Марин, М.Д. Ефремов, Y. Goldstein, J. Jedrzejewski Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия Racah Institute of Physics, Hebrew University, Satra, Givant Ram, 91904 Jerusalem, Israel (Получена 13 февраля 2006 г. Принята к печати 27 февраля 2006 г.) Проведено сравнение фотолюминесценции и электрических свойств слоя окисла кремния, содержащего нанокристаллы кремния. Окисел, содержащий нанокристаллы кремния, был создан сораспылением диоксида кремния и кремния с последующим отжигом для формирования нанокристаллов. Концентрация избыточного кремния в слое варьировалась вдоль образца в пределах от 6 до 74% по объему. Обнаружено, что величина заряда, определенная по напряжению плоских зон, имеет резко выраженный максимум при содержании избыточного кремния 26%, при этом максимальный заряд коррелирует с максимальной интенсивностью фотолюминесценции. Дальнейшее повышение содержания избыточного кремния в окисле приводит к уменьшению заряда в окисле, уменьшению интенсивности фотолюминесценции и возникновению перколяционной проводимости.

PACS: 81.15.Cd, 78.67.Bf, 61.46.Bc, 73.63.Bd 1. Введение вольт-фарадных характеристик. Максимальная фотолюминесценция и максимум заряда в слое предшествуСоздание диэлектрических слоев, содержащих анют при увеличении концентрации кремния возникновесамбль полупроводниковых нанокристаллов (Si, Ge нию перколяционной проводимости через слой диэлекти др.), является одним из перспективных направлений рика.

разработки оптоэлектронных приборов на основе кремния [1,2]. В настоящее время уже появились первые 2. Детали эксперимента светодиоды, созданные на основе кремния [1]. Такие слои интересны также возможностью создания приборов, В качестве исходной подложки была использоработающих на основе квантово-размерных эффектов вана пластина кремния ориентации (100) n-типа при относительно высокой температуре [3]. Кроме того, проводимости с исходной концентрацией электронов использование фотонов для передачи информации в 2.5 · 1015 см-3. Длина образца составляла 14 см. На посхемах вместо электронов предлагается как одно из верхности совместным распылением в аргоновой плазме перспективных решений проблем наноразмерной элекдвух источников SiO2 и Si, находящихся на расстоянии троники [4].

100 мм друг от друга, создавался слой окисла SiOНаиболее известными и активно развиваемыми метов котором содержание избыточного кремния менялось дами получения нанокристаллов в слое SiO2 являются вдоль образца. Схема сораспыления приведена на рис. 1.

методы ионной имплантации кремния или германия [5], Подложка при напылении специально не нагревалась.

плазменного осаждения [6] или сораспыления диоксида После осаждения слоя образцы отжигались при темпекремния и кремния [7]. Проведение высокотемпературной термообработки слоев, созданных всеми этими методами, приводит к формированию нанокристаллов кремния (nc-Si) в матрице SiO2 и появлению фотолюминесценции.

В данной работе представлены результаты исследования электронного транспорта и заряда в слое SiO2 с нанокристаллами в сравнении с фотолюминесценцией данных слоев и в зависимости от исходной (до отжига) концентрации избыточного кремния в окисле. Получено, что максимальная фотолюминесценция слоя SiO2–nc-Si наблюдается при том же составе, что и максимум заряда в слое, определенный из Рис. 1. Схема напыления на кремниевую подложку слоя ¶ E-mail: antonova@isp.nsc.ru оксида с переменным содержанием избыточного кремния.

1230 И.В. Антонова, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, Д.В. Марин, М.Д. Ефремов, Y. Goldstein...

ратуре 1150C в течение 40 мин в атмосфере азота. Был структур металл–диэлектрик–полупроводник (МДП).

выбран в соответствии с [7] режим отжига, при котором По мере смещения в сторону большего содержания в окисле наблюдалось формирование нанокристаллов кремния в окисном слое на C-V -характеристиках кремния. (рис. 2, b) появляются сначала такие особенности, как Для оценки содержания избыточного кремния в полу- небольшие ступеньки или пики. Затем при d > 100 мм ченном слое SiOx (SiO2-nc-Si) было проведено раздель- (рис. 2, c) наблюдается уже одна ступенька, причем ное напыление SiO2 и Si на кварцевые подложки и сорас- интервал напряжений, в котором емкость остается попыление при тех же напряжениях на источниках. Затем с стоянной, увеличивается при увеличении d.

помощью эллипсометрии были измерены толщины этих слоев вдоль образца и рассчитано объемное содержание избыточного кремния [Si]. В результате оказалось, что содержание избыточного кремния по отношению к SiO2 варьировалось примерно от 6 до 74%. Нужно отметить, что суммарная толщина порознь осажденных слоев кремния и окисла была меньше толщины слоя SiOx при одновременном распылении источников. Это связано с взаимным влиянием источников и увеличивает погрешность определения x до ±5%.

Для возбуждения фотолюминесценции использовалось излучение импульсного азотного лазера с длиной волны = 337 нм, частотой 100 Гц и средней мощностью 3 мВт. Для измерения фотолюминесценции использовался двойной спектрометр СДЛ-1. Спектральное разрешение в условиях эксперимента составляло 10, шаг сканирования был 20. Время накопления сигнала составляло 4 с. Все спектры были нормированы на спектральную чувствительность прибора.

Для тестирования структур использовались вольтамперные (I-V ) характеристики, высокочастотные вольт-фарадные (C-V ) характеристики и их температурные зависимости. C-V -характеристики измерялись с использованием ртутного зонда площадью 3.2 · 10-4 см-2.

Для измерений вольт-амперных характеристик на поверхность SiOx напылялись Al-контакты площадью 2.5 · 10-3 см2. Знак напряжения, указанный на рисунках, соответствует напряжению на Al-контактах.

Структура образцов анализировалась по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС).

Спектры регистрировались при комнатной температуре на автоматизированной установке на базе спектрометра ДФС-52 (ЛОМО, Санкт-Петербург) при возбуждении КРС Ar+-лазером ( = 514.5нм). Использовалась геометрия квазиобратного рассеяния, вектор поляризации падающего излучения был направлен вдоль кристаллографического направления кремниевой подложки (001), рассеянный свет регистрировался в том же направлении. Выбор такой геометрии обусловлен тем, что она является запрещенной для рассеяния на LO (продольных оптических) фононах от подложки кремния.

3. Результаты На рис. 2 представлены C-V -характеристики, полученные при комнатной температуре для разных точек вдоль образца. Расстояние d отсчитывалось от края Рис. 2. Вольт-фарадные характеристики для разных точек образца с низким содержанием кремния. C-V -характе- вдоль образца. Расстояние от края образца с низким содерристика для d = 2 мм является типичной для обычных жанием кремния d, мм: a —2, b — 40, c — 107.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiOx... наблюдается максимум, в котором величина заряда увеличивается более чем на порядок. QFB включает в себя фиксированный заряд в окисле Q и заряд f на поверхностных состояниях Qss на границе слоя с подложкой. В кремнии n-типа проводимости заряд Qss обычно отрицательный. Разделить вклады этих двух составляющих можно, используя, например, напряжение, соответствующее положению уровня Ферми приблизительно в середине запрещенной зоны Vmg. Заряд Qmg, определенный по Vmg, включает в себя в основном фиксированный заряд в окисле Q. Наличие особенностей f на C-V -характеристиках мешает однозначно разделить вклады этих составляющих. Однако можно утверждать, что в пик QFB дает вклад в первую очередь Q.

f Спектры фотолюминесценции для разных точек данРис. 3. Зависимость диэлектрической проницаемости в слое ного образца представлены на рис. 5. В спектрах наSiOx от расстояния d от края образца с низким содержанием блюдается пик с максимумом в области длин волн кремния.

(800-830) нм. Зависимость интенсивности этого пика от расстояния d вдоль образца приведена на рис. 6. Относительно сильная фотолюминесценция наблюдается в узком интервале концентраций избыточного кремния в окисле (10 < d < 60 мм, 10 < [Si] < 35%) и положение максимума фотолюминесценции совпадает с положением максимума заряда QFB, что соответствует [Si] 26% (рис. 4).

На рис. 7, a представлены вольт-амперные характеристики для разных точек вдоль образца, измеренные с использованием Al-контактов. Удельное сопротивление слоя окисла, полученное в приближении, что основная часть напряжения падает на диэлектрике, в зависимости от содержания кремния в окисле приведено на рис. 7, b.

Как видно из рис. 7, при d 65 мм ([Si] =34%) имеРис. 4. Заряд, определенный по напряжению плоских зон из вольт-фарадных характеристик, в зависимости от расстояния d от края образца с низким содержанием кремния.

Максимальное значение емкости, как известно, определяется емкостью диэлектрика. Согласно данным эллипсометрии, толщина слоя окисла составляла 750 нм и слабо менялась вдоль образца. С использованием этого значения толщины слоя окисла была оценена диэлектрическая проницаемость слоя SiO2, содержащего нанокристаллы кремния (nc-Si) (рис. 3). Видно, что при низком содержании кремния в слое SiOx значение немного ниже диэлектрической проницаемости термически выращенного окисла кремния (ox = 3.85), а начиная с d 40 мм начинает расти (рис. 3).

Применив стандартные подходы для анализа свойств диэлектрика, из C-V -характеристик мы определили напряжение плоских зон, с использованием которого был определен заряд в диэлектрическом слое QFB.

Зависимость QFB от расстояния d, отсчитанного от края с низким содержанием кремния, представлена на Рис. 5. Спектры фотолюминесценции (PL) для разных точек рис. 4. Как следует из рисунка, типичные величины QFB вдоль образца. Расстояние от края образца с низким содержасоставляют -(2-3) · 1011 см-2, а при 20 < d < 60 мм нием кремния d, мм: 1 — 10, 2 — 25, 3 — 43, 4 — 55, 5 — 75.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1232 И.В. Антонова, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, Д.В. Марин, М.Д. Ефремов, Y. Goldstein...

ет место резкое уменьшение удельного сопротивления окисла. Кроме того, на вольт-амперных характеристиках наблюдается резкое возрастание тока от величины Рис. 6. Зависимость интенсивности пика фотолюминесценции (PL) слоя SiOx в зависимости от расстояния d от края образца с низким содержанием кремния.

Рис. 8. Спектры КРС для SiOx с различным содержанием избыточного кремния. Расстояние от края образца с низким содержанием кремния d, мм: 1 — 40, 2 — 55, 3 — 75, 4 — 110. Пунктирные кривые — разложение спектра 2 на пик, связанный с нанокристаллами, при 515 см-1 и пик от подложки при 520 см-1.

10-9 до 10-8 А, напряжение этого скачка уменьшается по мере увеличения содержания кремния в окисле.

На рис. 8 представлены спектры КРС образцов SiO2-nc-Si с различным содержанием избыточного кремния. В спектре 1 виден пик при 520 см-1, связанный с КРС от подложки кремния, который проявляется и в запрещенной геометрии вследствие не идеально обратной геометрии рассеяния. Следует отметить, что в разрешенной геометрии данный пик примерно на 2 порядка больше по интенсивности. Сигнал от нанокристаллов не заметен в спектре 1. В спектре 2 на фоне пика от подложки наблюдается пик при 515 см-1, который обусловлен КРС от нанокристаллов кремния. На рис. приведено также разложение спектра 2 на пик, связанный с нанокристаллами (515 см-1), и пик от подложки (520 см-1). Вследствие отсутствия трансляционной симметрии оптические переходы в нанокристаллическом кремнии не ограничены законом сохранения квазиимпульса, поэтому для нанокристаллов спектр КРС в оптической области характеризуется эффективной плотностью колебательных состояний и представляет собой Рис. 7. Вольт-амперные характеристики для разных точек пик, положение которого зависит от размеров nc-Si [8,9].

вдоль образца (a) и удельное сопротивление слоя SiOx, рассчиДля оценки размеров nc-Si по модели эффективной танное по ВАХ при V = -30 В, в зависимости от расстояния d от края образца с низким содержанием кремния (b). свертки колебательных состояний [10,11] была построФизика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiOx... объема. Нужно отметить, что увеличение начинается только при d = 40 мм, что соответствует содержанию избыточного Si в SiO2 24%. В то же время содержание избыточного кремния меняется вдоль образца почти линейно. Поэтому неизменное значение для слоя SiOx до относительно высокого содержания кремния представляется интересной особенностью данных слоев и в настоящее время непонятно.

Появление особенностей на C-V -характеристиках при d 18 мм ( 13% [Si] в SiO2) может быть связано с началом формирования nc-Si. Поскольку Si присутствует во всем объеме слоя, можно предположить, что при отжиге должно формироваться большое количество ncSi. Захват/выброс носителей на nc-Si будет приводить к изменению емкости структуры. Появление на C-V Рис. 9. Зависимость спектрального положения максимума характеристике ступеньки означает, что nc-Si имеют сигнала КРС на оптических фононах от среднего размера достаточно близкие свойства (например, близкие разменанокристаллов кремния.

ры), в результате чего захват/выброс заряда происходит приблизительно при одном и том же напряжении на структуре. Наличие нескольких ступенек может быть ена зависимость положения максимума сигнала КРС связано с захватом/выбросом нескольких электронов на от среднего размера нанокристаллов кремния (рис. 9). nc-Si либо с наличием нескольких типов nc-Si [13,14].

По нашим оценкам размеры nc-Si, от которых виден Плато на C-V -характеристике обычно наблюдается при сигнал ФЛ, составляют 3-4 нм. Ширина пика определя- захвате/выбросе относительно большого количества зается дисперсией nc-Si по размерам, а также временем ряда из -легированного слоя или квантовой ямы [15].

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.