WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

90 K в профиле появляется второй пик на глубине Для того чтобы удалить электроны из слоя КТ при 0.61 мкм, который при дальнейшем понижении темпераT = 15 K, требуется приложить более высокое электуры становится доминирующим. Установлено, что потрическое поле, так что электроны могут протуннелиявление второго пика в профиле распределения свободровать из КТ в GaAs через узкий треугольный потенных носителей не связано с перераспределением элекциал (см. вставку на рис. 1, a). Этот процесс притронной плотности по глубине структуры и наблюдается водит к появлению второго пика в профиле NCV -W в случае, когда темп термической эмиссии электронов из при W = 0.61 мкм, который соответствует второму квантовых точек в зону проводимости GaAs становится плато на C-V -характеристике в диапазоне напряжений значительно меньше угловой частоты измерительного -3-3.5В (рис. 4, c, d). Однако на теоретическом сигнала емкости. Показано, что приложение магнитного профиле NCV -W отсутствует пик при W = 0.61 мкм поля приводит к уменьшению темпа термической эмис(рис. 4, d). Это связано с тем, что расчеты проводились сии из КТ из-за эффективного углубления электронного с использованием квазистатического приближения, не уровня в КТ, вызванного формированием лестницы Ланучитывающего туннельного эффекта.

дау в зоне проводимости GaAs.

Предполагается, что темп термической эмиссии электронов из КТ экспоненциально зависит от температуры Данная работа была выполнена при поддержке прои от энергии квантового состояния в КТ. Массив КТ граммы ИНТАС-РФФИ 95-IN-Ru-618 и программы Михарактеризуется гауссиановской плотностью состояний, нистерства науки РФ ”Физика твердотельных нанопоэтому при заданных температуре и частоте измери- структур”.

6 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1234 П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов...

Список литературы Capacitance-voltage profiling of Au / n-GaAs Schottky barrier structures [1] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, containing a sheet of self-organized InAs R. Heitz, J. Bhrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, quantum dots P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Goesele, J. Heydenreich. Sol. St.

P.N. Brounkov, A.A. Suvorova, N.A. Bert, A.R. Kovsh, Electron., 40, 785 (1996).

A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, [2] N. Kristaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, A.F. Tsatsul’nikov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov, M.V. Maximov, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, S.G. Konnikov, L. Eaves, P.C. Main U. Richter, P. Werner, U. Goesele, J. Heyndenreich. Electron.

Lett., 30, 1416 (1994).

A.F. Ioffe Physicotechnikal Institute, [3] Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, Ю.А. Егоров, А.Е. Жуков, Russian Academy of Sciences, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леден194021 St. Petersburg, Russia цов, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацуль Department of Physics, ников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996).

University of Nottingham, [4] K. Imamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, N. Yokoyama.

NG7 2RD Nottingham, United Kingdom Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1445 (1995).

[5] G. Yusa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 70, 345 (1997).

[6] I.E. Itskevich, T. Ihn, A. Tornton, M. Henini, T.J. Foster,

Abstract

Capacitance-Voltage profile measurements of free carP. Moriarty, A. Nogaret, P.H. Beton, L. Eaves, P.C. Main. Phys. rier distribution are carried out on uniformy doped n-GaAs matrices Rev B, 54, 16 401 (1996). with Schottky barrier, containing a sheet of self-organized InAs [7] M. Narihiro, G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda, H. Sakaki. Appl. quantum dots. It has been found that there is an accumulation of Phys. Lett., 70, 105 (1997). electrons at a depth of 0.54 µm, which corresponds to the depth [8] G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. of the quantum dot plane. As the temperature goes below 90 K, Lett., 66, 1767 (1995). the second peak appears in the concentration profile at 0.61 µm, [9] S. Anand, N. Carlsson, M-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. which becomes dominant with further decreasing the temperature.

Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995). It has been shown that appearance of the second peak in the [10] П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, concentration profile does not occur due to the electron density А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. re-distribution over the structure and is observed when the thermal ФТП, 30, 924 (1996). emission rate of electrons from quantum dots becomes lower than [11] P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Misikhin, A.A. Suvorova, the angular frequency of the capacitance measurement signal.

A.F. Tsatsul’nikov, V.M. Maximov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, Fax: (812) 2471017 (Brounkov) V.M. Ustinov, P.S. Kop’ev, S.G. Konnikov. The Physics of E-mail: pnbru@charm.ioffe.rssi.ru Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1996) p. 1361.

[12] P.N. Brounkov, N.N. Faleev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, A.F. Tsatsul’nikov, V.M. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, S.G. Konnikov.

Inst. Phys. Conf. Ser. 155 (IOP, Bristol, 1997) p. 841.

[13] Ф.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 1439 (1994).

[14] G.S. Solomon, J.A. Trezza, A.F. Marshall, J.S. Harris, Jr. Phys.

Rev. Lett., 76, 952 (1996).

[15] А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Берт, А.О. Косогов, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 30, 1682 (1996).

[16] P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996).

[17] I.E. Itskevich, M. Henini, H.A. Carmona, L. Eaves, P.C. Main, D.K. Maude, J.C. Portal. Appl. Phys. Lett., 70, 505 (1997).

[18] P.N. Brounkov, A.A. Suvorova, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul’nikov, A.E.Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, S.G. Konnikov, T. Ihn, S.T. Stoddart, L. Eaves, P.C. Main. Physica B (1998) (to be published).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.