WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Рис. 4. Зонная структура GaAs согласно [7]. ПрямоугольниТакой экситон должен прочно связывать электрон и ками с номерами 1 и 2 обозначены области зоны Бриллюэна, в дырку, не давая им разделиться контактным полем в которых происходит основное фотопоглощение вблизи энергии ОПЗ.

фотонов h 2.8 (1) и 4.5 эВ (2). Мы предполагаем, что Действительно, в работе [8] было рассмотрено обраэлектроны и дырки, рожденные в этих областях, образуют зование горячего экситона при прямых переходах в X- и сильно связанный экситон и не дают вклада в фототок.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Влияние электрического поля в слое объемного заряда на эффективность... Как видно из рис. 4, в окрестностях X- и L-точек кри- [7] Landolt-Burnstein. Numerical data and functional relationship in science and technology (Springer–Verlag, визна дисперсионных зависимостей мала, что приводит к Berlin–Heidelberg–N.Y., 1982), v. 17 ”Semiconductors”, большой эффективной приведенной массе экситона, т. е.

subvol. a ”Phys. of group IV elem. and III–V compounds”.

к большой энергии связи. Такой экситон слабо диссоции[8] Р.Ф. Казаринов, О.В. Константинов. ЖЭТФ, 40, 936 (1961).

рует в контактном электрическом поле. Кроме того, из-за малого радиуса экситон будет слабо взаимодействовать Редактор Л.В. Шаронова с оптическими фононами, что приводит к большой длине свободного пробега.

The influence of electric field in a space Изучение свойств подобных горячих X- и L-экситонов charge layer on the short-wave photoeffect представляет собой отдельную тему для исследований quantum efficiency in GaAs Schottky ввиду большого количества возможных интересных фиdiodes зических эффектов (например, переизлучения).

Таким образом, представляется возможным, что горяT.V. Blank, Yu.A. Goldberg, O.V. Konstantinov, чие экситоны способны пролететь всю ОПЗ, достигнуть O.I. Obolensky, E.A. Posse металла или квазинейтральной толщи полупроводника A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, и там рекомбинировать. Поэтому генерация фотоноRussian Academy of Sciences, сителей в окрестностях X- и L-точек не приводит к 194021 St.Petersburg, Russia возникновению вклада в фототок. Это, на наш взгляд, и есть причина быстрого падения квантовой эффектив

Abstract

The short–wave photoeffect quantum efficiency deности ФЭП с ростом энергии фотона.

pendence on the reverse bias has been studied experimentally in GaAs Schottky diodes. The light absorption lengh was much less than the space charge layer width. A strong dependence of the 5. Заключение quantum efficiency on the contact electric field was found. The field dependence of the quantum efficiency was explained within Итак, в настоящей работе экспериментально исследоthe frame of a fluctuation traps model. The model also allowed вана зависимость квантовой эффективности фотоэффекus to define a coefficient of hot photocarriers losses. The increase та в коротковолновой области спектра от приложенного of the coefficient with the photon energy has a stepwise character.

обратного напряжения в диодах Шоттки на основе GaAs, This effect is explained in terms of exciton formation in X and L когда длина поглощения света много меньше ширины valleys.

ОПЗ. Полевая зависимость квантовой эффективности e-mail: Oleg@rpro.ioffe.rssi.ru ФЭП оказалась очень сильной. Для ее объяснения была использована модель флуктуационных ловушек в ОПЗ, применявшаяся ранее для описания температурной зависимости квантовой эффективности. Было установлено, что эта модель пригодна и для описания полевой зависимости квантовой эффективности ФЭП.

Кроме того, предложен механизм потерь горячих фотоносителей за счет образования экситонов в Xи L-долинах полупроводника. Зависимость коэфициента потерь горячих фотоносителей от энергии фотонов, полученная из исследования спектральной зависимости квантовой эффективности ФЭП, хорошо укладывается в предложенную физическую картину происходящих процессов.

Список литературы [1] Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 31, 563 (1997).

[2] Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 29, 421 (1995).

[3] А.А. Гуткин, М.В. Дмитриев, О.В. Миронова, Д.Н. Наследов.

ФТП, 5, 385 (1971).

[4] Л.Н. Дмитрук, О.Ю. Борковская. Микроэлектроника, 8, (1979).

[5] B.L. Smith, M. Abbott. Sol. St. Electron., 15, 361 (1972).

[6] Ю.А. Гольдберг, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ПТЭ, N 4, (1976).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.