WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs ¶¶ © Г.Ф. Глинский, А.В. Андрианов, О.М. Сресели¶, Н.Н. Зиновьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет „ЛЭТИ“, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Получена 2 февраля 2005 г. Принята к печати 16 февраля 2005 г.) Изучена терагерцовая электролюминесценция квантовой каскадной структуры GaAs/GaAlAs в диапазоне 33-60 см-1 (1-1.8 ТГц) и проведены теоретические расчеты энергетической диаграммы уровней в такой структуре. Рассмотрены наиболее вероятные переходы в системе и изучена зависимость их от приложенного электрического поля.

Проведенный анализ позволил отнести наблюдаемую линию терагерцового излучения к пространственно непрямым переходам электронов между локализованными в соседних квантовых ямах состояниями, которым соответствуют минимумы подзон размерного квантования. Результаты численного моделирования хорошо описывают спектральное положение линии электролюминесценции и сдвиг линии с увеличением напряжения смещения на квантово-каскадной структуре.

1. Введение вопрос требует детального теоретического и экспериментального исследования. Помимо этого, в структурах Электромагнитные волны терагерцового (или дальне- с диагональными излучательными переходами имеется го инфракрасного) диапазона в настоящее время интен- возможность перестраивать длину волны излучения в сивно исследуются в связи с перспективами их широкого зависимости от приложенного электрического поля. Все применения в различных областях науки и техники: в это обусловливает интерес к данной проблеме.

томографических системах, интроскопии, микроскопии, В работе [4] проведено экспериментальное сравнение сканирующих системах изображения в медицине, биолодвух близких по строению и конструкции ККС — с гии, средствах связи и контроля. Отсутствие компактдиагональными и с вертикальными переходами. Как ных и широкополосных источников терагерцового (ТГц) и ожидалось, линии терагерцового излучения в ККС излучения (0.1-10 ТГц) стимулировало исследования с диагональными переходами характеризуются значив области создания излучателей на основе квантовотельным штарковским сдвигом. Кроме того, спонтанное каскадных структур (ККС) с электронной монополярной излучение возникает при меньших плотностях тока, чем инжекцией и межподзонными излучательными переходав случае ККС с вертикальными переходами. Сделан ми, энергия которых меньше энергии продольного оптивывод об уменьшении нерадиационного рассеяния при ческого фонона (36 мэВ для GaAs). При этом испольпространственном разделении рабочих уровней ККС.

зуются как структуры с диагональными (межъямными) В настоящей работе исследована квантово-каскадная переходами, так и с вертикальными переходами между структура GaAs/GaAlAs с достаточно тонкими барьерауровнями (или минизонами) одной ямы [1–3].

ми (порядка нескольких десятков ангстрем) между кванВертикальные переходы характеризуются большим товыми ямами и соседними периодами структуры, обесдипольным моментом и, следовательно, высоким темпом печивающими высокую вероятность диагональных изизлучательных переходов. Однако сильное пространлучательных переходов. Проведено сравнение экспериственное перекрытие волновых функций начальных и коментальных спектров спонтанного ТГц-излучения в ККС нечных состояний приводит также и к высокой скорости GaAs/GaAlAs с теоретическим расчетом энергетической безызлучательных переходов за счет эмиссии фононов.

диаграммы уровней в такой структуре. Теоретически В случае же непрямых переходов обе скорости старассмотрены наиболее вероятные переходы в системе и новятся ниже. Методы „зонной инженерии“ позволяют зависимость их от приложенного электрического поля.

управлять как положением энергетических уровней, так и вероятностью прямых и непрямых излучательных переходов в квантово-каскадных структурах. В таких струк- 2. Методика эксперимента турах не исключены ситуации, когда при непрямых пеи экспериментальные результаты реходах вероятность излучательных процессов окажется выше вероятности безызлучательных процессов. Этот Использованные в настоящей работе структуры были ¶ выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии в E-mail: Olga.Sreseli@mail.ioffe.ru ¶¶ E-mail: GFGlinskii@mail.eltech.ru центре MBE EPSRC Университета Шеффилда (ВеликоТерагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов... британия). Структура состоит из 40 периодов, каждый из которых содержит четыре GaAs квантовые ямы (КЯ), разделенные Al0.15Ga0.85As туннельными барьерами (Б).

Ширины ям и барьеров следующие: 280 — КЯ, 25 — Б, 180 — КЯ, 40 — Б, 160 — КЯ, 25 — Б, 150 A — КЯ, 40 — Б, далее структура повторяется. С обеих сторон структура заканчивается контактными слоями n+-GaAs (n 2 · 1018 см-3, толщины верхнего и нижнего слоя 2 и 0.1 мкм соответственно), а также буферными слоями(„spacer layers“) нелегированного GaAs толщиной по 100 нм каждый, которые совместно с n+-GaAs обеспечивают двумерные (2D) инжекционные контакты. МВЕ пластины были нарезаны на образцы размером 33 мм, на которых затем был сформирован ряд независимых меза-структур, имеющих диаметры от 200 до 400 мкм. Для вывода ТГц-излучения по нормали к поверхности структур на верхний контактный слой меза-структур была нанесена решетка связи из сплава Cr/Au с периодом 20 мкм, преобразующая моды излучения в ККС в моду с направлением волнового вектора, нормальным к плоскости квантовых ям.

Исследуемые образцы укреплялись на хладопроводе гелиевого оптического криостата с окнами из материала TPX. На образцы подавалось положительное смещение (положительный потенциал источника соединялся с верхним контактным слоем) в виде Рис. 2. Спектры ТГц-электролюминесценции в квантовопрямоугольных импульсов частотой 500 кГц (скважкаскадной структуре GaAlAs/GaAs при разных напряжениях ность 2), модулированных прямоугольными импульсасмещения U, В: 1 —4, 2 —4.5, 3 —5.5.

ми низкой частоты (80 Гц, скважность 2, коэффициент модуляции 1). Электролюминесценция регистрировалась с помощью фурье-спектрометра на область 5-400 см-1, построенного на базе прибора Grubbs– ное зеркало фурье-спектрометра, измерение сигнала Parsons. Детектором ТГц-излучения служил охлаждае- синхронного детектора, управление амплитудой иммый жидким гелием кремниевый болометр (QMS Si- пульсов электрического смещения на структурах, а detector). Сигнал детектора измерялся с помощью резо- также быстрое фурье-преобразование интерферограмм нансного усилителя с синхронным детектором. Управ- осуществлялось с помощью персонального компьюление шаговым двигателем, перемещающим подвиж- тера. Спектры излучения измерялись с разрешением 10 см-1.

В исследованных квантово-каскадных структурах при низких температурах (6-9K) была получена электролюминесценция в ТГц области спектра [5]. Интенсивность ТГц излучения резко возрастает с ростом приложенного напряжения (рис. 1). Спектры терагерцового излучения при нескольких напряжениях смещения представлены на рис. 2. Видно, что в спектре электролюминесценции доминирует широкая линия излучения (полушириной порядка 30 см-1), максимум которой смещается в высокочастотную область с ростом приложенного напряжения. В интервале напряжений от 4 до 7 В максимум спектра излучения находится в области33.7-59.4см-1 (4.14-7.37 мэВ или 1.0-1.78 ТГц), а сдвиг максимума в высокочастотную Рис. 1. Зависимость интегрального сигнала ТГц-электрообласть с ростом напряжения происходит по закону, люминесценции в полосе 5-325 см-1 (0.15-9.75 ТГц) в близкому к линейному со скоростью нарастания частоты квантово-каскадной структуре GaAlAs/GaAs от напряжения максимума 8.9см-1/В.

смещения U.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1226 Г.Ф. Глинский, А.В. Андрианов, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев 3. Результаты теоретических расчетов и обсуждение результатов эксперимента Энергетический спектр и волновые функции электронов в квантово-каскадной структуре определялись в приближении эффективной массы из решения одномерного (kx = ky = 0) уравнения Шредингера для модельной структуры, содержащей бесконечное число периодов:

+ V (z ) (z ) =E (z ), 2 z m(z ) z где V (z ) — периодическая потенциальная энергия, m(z ) — переменная эффективная масса, изменяющаяся скачком на гетерогранице. Решение, удовлетворяющее блоховским периодическим граничным условиям:

(z + D) =exp(iKD) (z ), K K Рис. 3. Потенциальный профиль и энергетический спектр где D — период структуры (900 ), K —волновой векККС при нулевом смещении.

тор электрона в направлении оси z (-/D K /D), искалось в виде следующего разложения:

(z ) =exp(iKz ) Am(K) exp i mz.

K D m=В рассматриваемом базисе задача сводилась к поиску собственных чисел и собственных столбцов матрицы гамильтониана, параметрически зависящей от K, Hmn(K)An(K) =E(K)Am(K).

n Эта процедура была реализована численно на персональном компьютере. Размерность матрицы гамильтониана 300300 позволила обеспечить точность в определении собственных энергий и волновых функций не хуже 0.01% для 13 нижних подзон размерного квантования. Исходные параметры твердого раствора Alx Ga1-xAs, используемые в расчете, приведены в таблице.

На рис. 3 показаны результаты расчета энергетичеРис. 4. Волновые функции 13 нижних состояний в пределах ского спектра электронов при нулевом смещении для одного периода ККС. Для удобства волновые функции сдвинуквантово-каскадной структуры Al0.15Ga0.85As/GaAs, паты относительно друг друга по оси ординат.

раметры которой приведены в предыдущем разделе, для 13 состояний, расположенных ниже барьеров (энергии отсчитываются от дна зоны проводимости в барьере).

Как показал расчет, ширина подзон размерного кван- что соответствует практически дискретным уровням тования для пяти нижних уровней мала по сравнению энергии. На рис. 4 представлены зависимости квадратов с расстояниями между ними и не превышает 0.1 мэВ, модулей волновых функций | (z )|2 от координаты в i пределах одного периода квантово-каскадной структуры для 13 нижних состояний (K = 0). Наблюдается Параметры твердого раствора Alx Ga1-x As [6,7] определенная корреляция между степенью локализации Eg (x) 1.5194 + 1.360x + 220x2 (эВ) волновых функций электрона на периоде ККС и шириm e /m0 0.0665 + 0.0835x ной соответствующих подзон размерного квантования.

Ev/ Ec 33/Так, например, пяти нижним уровням соответствуют Ec (x = 0.15) 0.140 (эВ) состояния электрона, локализованные в одной или двух Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов... внешнем поле. С этой целью были выполнены расчеты для модельной структуры, состоящей из одного периода ККС (четыре квантовые ямы) во внешнем однородном поле, направленном вдоль оси z, с периодическим продолжением данного потенциала. На рис. 5 показана рассчитанная нами зависимость положения этих уровней от напряжения U, приложенного к одному периоду структуры в предположении однородности поля. Как следует из рисунка, наряду со штарковским сдвигом уровней в область меньших энергий наблюдается существенная перестройка всего энергетического спектра, обусловленная смешиванием состояний в поле и эффектами антипересечения энергетических состояний.

В качестве примера на рис. 6 приведены волновые функции и соответствующие им энергетические уровни четырех нижних состояний при U = 45 мВ. Видно, что с точки зрения локализации волновых функций Рис. 5. Расчетная зависимость положения четырех нижних электрона последовательность энергетических уровней уровней от напряжения U на одном периоде квантовов поле противоположна той, которая наблюдается в каскадной структуры.

несмещенной ККС (рис. 3).

На основе полученных данных были рассчитаны матричные элементы для оптических переходов из состояния j в состояние i при K = 0, D/ Mi j (z ) (z )dz, j i z -D/и зависимость квадратов их модулей, определяющих вероятность перехода, от прикладываемого напряжения. Соответствующие зависимости представлены на рис. 7. Из этих данных следует, что при напряжении U > 20 мВ наиболее вероятными переходами с излучением фотонов являются пространственно непрямые переходы между основными состояниями в ямах, Рис. 6. Уровни энергии и волновые функции четырех нижних состояний при напряжении смещения U = 45 мВ. Для наглядности представления, начала отсчета волновых функций электронов выбраны совпадающими с соответствующими им уровнями энергии.

квантовых ямах. В то же время остальные состояния за счет эффектов туннелирования расщеплены в подзоны.

Под действием внешнего электрического поля, прикладываемого к ККС, электроны будут перемещаться в направлении оси z, испуская при этом ТГц-излучение в результате радиационных переходов на более низкие энергетические уровни. Если предположить, что длина когерентного распространения электронов не превосРис. 7. Зависимость квадратов матричных элементов оптичеходит размер одного периода структуры (900 ), то ских переходов от напряжения U: 1 — |M12|2, 2 — |M23|2, можно ограничиться анализом одного периода ККС во 3 — |M34|2.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1228 Г.Ф. Глинский, А.В. Андрианов, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев при нескольких значениях напряжения U показаны на рис. 8. Видно, что рассчитанное нами спектральное положение линий близко к экспериментально наблюдаемому (рис. 2).

На рис. 9 проведено сравнение теоретической и экспериментальной зависимостей положений максимума линии люминесценции от приложенного к квантовокаскадной структуре напряжения U. Теоретические данные представлены с учетом того, что истинное поле в пределах одного периода отличается от среднего однородного поля. Для этой цели был введен коэффициент f, учитывающий различие между средним полем в образце Eav = U/L (L — полная длина структуры) и модельным полем в пределах одного периода структуры Рис. 8. Расчетные спектры ТГц-электролюминесценции, обу- Emod = U/D, а именно f = Eav/Emod. Такое различие словленной переходами E2 E1, при различных напряжениях может быть обусловлено падением напряжения на конна одном периоде квантово-каскадной структуры U, мВ:

тактах, буферных слоях а также эффектами экрани1 — 20, 2 — 30, 3 — 40, 4 — 50.

рования поля в результате инжекции электронов из контактного слоя. Коэффицент f являлся подгоночным параметром. Введение такого рода коэффициента пропорциональности („electrostatic leverage factor“ в англоязычной литературе) обычно применяется при анализе характеристик вертикального транспорта в структурах с квантовыми ямами (см., например, [8–10]).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.