WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

кристаллами большего размера ввиду большего сечения Сокращение времени жизни ФЛ можно объяснить слепоглощения света в них. Этим можно объяснить то, что дующими механизмами девозбуждения Er3+: 1) обратная начало сублинейной зависимости интенсивности ФЛ от передача энергии от возбужденного иона к нанокринакачки для образца с d = 4.5 нм, а также укорочение сталлу с рождением в последнем экситона; 2) пронаблюдаются при меньшей интенсивности возбуждения, цесс, в результате которого энергия возбужденного чем для образца с d = 1.5 нм. Очевидно, что рассмотренный выше оже-процесс будет более вероятным при увеличении времени жизни экситона в nc-Si, например, при низких температурах, когда экситоны переходят в долгоживущее триплетное состояние [13]. Этот вывод согласуется с отмеченным выше влиянием температуры на зависимость времени жизни и интенсивности ФЛ ионов Er3+ от накачки.

4. Заключение Исследованы спектры и кинетики ФЛ легированных эрбием структур, содержащих кремниевые нанокристаллы в матрице диоксида кремния. Было обнаружено, что время жизни ФЛ ионов Er3+ уменьшается с ростом размеров кремниевых нанокристаллов. Этот факт объясняется как влиянием дополнительного поля, создаваемого зарядами изображения, индуцированными на границе nc-Si/SiO2, так и увеличением вероятности обратной передачи энергии от ионов в твердотельную матрицу. С ростом уровня возбуждения зависимость интенсивности ФЛ от накачки отклонялась от линейной, что сопровождалось уменьшением времени жизни ФЛ.

Наиболее вероятной причиной этого, с нашей точки Рис. 6. a, b — зависимость интенсивности (a) и времени жиззрения, является оже-девозбуждение ионов Er3+. Прони (b) ФЛ ионов Er3+ от интенсивности накачки в структурах веденные исследования могут способствовать оптимизаnc-Si/SiO2 : Er c d, нм: 1 — 1.5, 2 — 4.5. T = 300 K. Линия ции структур nc-Si/SiO2 : Er при создании на их основе на рисунке a соответствует линейной зависимости, линии на рисунке b проведены для наглядности. оптических усилителей и лазеров.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1228 Д.М. Жигунов, О.А. Шалыгина, С.А. Тетеруков, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, M. Zacharias Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты Peculiarities of erbium ion № 03-02-16647, 05-02-16735-a, 04-02-08083 офи_а), Миphotoluminescence in structures with нистерства образования и науки РФ (грант № 1.1.211) silicon nanocrystals и INTAS (проект № 03-51-6486) с использованием D.M. Zhigunov, O.A. Shalygina, S.A. Teterukov, оборудования ЦКП физического факультета МГУ.

V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov, M. Zacharias Moscow State M.V. Lomonosov University, Список литературы Faculty of Physics, [1] G. Franzo, V. Vinciguerra, F. Priolo. Appl. Phys. A, 69 (1), 3 119992 Moscow, Russia (1999).

Max-Planck-Institut fr Mikrostrukturphysik, [2] S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. MRS Bulletin, 23 (4), 25(1998).

Weinberg 2, [3] A. Polman. J. Appl. Phys., 82 (1), 1 (1997).

06120 Halle, Germany [4] П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, М.Г. Лисаченко, О.А. Шалыгина, В.Ю. Тимошенко, М. Schmidt, J. Heitmann, M. Zacha

Abstract

Photoluminescence properties of erbium doped silicon rias. ФТТ, 46 (1), 105 (2004).

dioxide layers containing silicon nanocrystals with a mean size [5] V.Yu. Timoshenko, M.G. Lisachenko, B.V. Kamenev, from 1.5 to 4.5 nm have been investigated. It has been established O.A. Shalygina, P.K. Kashkarov, J. Heitmann, M. Schmidt, that the intensity and mean lifetimes of Er3+ depend on the photoM. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 84 (14), 2512 (2004).

luminescence, the nanocrystal size, the optical pump intensity and [6] V.Yu. Timoshenko, M.G. Lisachenko, O.A. Shalygina, B.V. Katemperature. The results obtained are explained by the influence menev, D.M. Zhigunov, S.A. Teterukov, P.K. Kashkarov, of local environment of the Er3+ ions as well as by a nonradiative J. Heitmann, M. Schmidt, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 96 (4), deexcitation of the ions due to the energy back transfer and the 2254 (2004).

Auger-process.

[7] M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Blasing. Appl. Phys. Lett., 80 (4), 661 (2002).

[8] M. Zacharias, P. Streitenberger. Phys. Rev. B, 62 (12), (2000).

[9] D. Pacifici, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, L. Dal Negro. Phys.

Rev. B, 67, 245 301 (2003).

[10] С.А. Тетеруков, М.Г. Лисаченко, О.А. Шалыгина, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТТ, 47 (1), (2005).

[11] B.V. Kamenev, V.I. Emel’yanov, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko, C. Chao, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov. Appl. Phys. B, 74 (2), 151 (2002).

[12] P. Maly, F. Trojanek, J. Kudma, A. Hospodkova, S. Banas, V. Kohlova, J. Valenta, I. Pelant. Phys. Rev. B, 54 (11), (1996).

[13] D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 215, 871 (1999).

Редактор Л.В. Беляков Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.