WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами... Список литературы Optical and electrical properties of4H-SiC irradiated with neutrons and heavy ions [1] T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, E. Kalinina, G. Kholuyanov, G. Onushkin, D. Davydov, A. Schoner, N. Nordel. Phys. Status Solidi A,162, 199 (1997).

[2] В.В. Макаров. ФТТ,13, 2357 (1971). A. Strel’chuk, A. Konstantinov+, A. Halln, [3] V.S. Balandovich, G.N. Violina. Cryst. Lattice Defects A. Nikiforov†, V. Skuratov#, K. Havancsak• Amorphous Mater.,13, 189 (1987).

Ioffe Physicotechnical Institute, [4] A.M. Strel’chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, M.G. RasteRussian Academy of Sciences, gaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Eng.,61-62, 441 (1999).

194021 St. Petersburg, Russia [5] M. Levalois, I. Lhermitte-Sebire, P. Marie, E. Paumier, + J. Vicens. Nucl. Instr. Meth. B,107, 239 (1996). ACREO, Electrum 233, [6] L. Liszkay, K. Havancsak, M.-F. Barthe, P. Desgardin, L. HenSE 164 40 Kista, Sweden ry, Zs. Kajcsos, G. Battistig, E. Szilagyi, V.A. Skuratov. Mater.

Royal Institute of Technology Department Sci. Forum,363, 123 (2001).

of Electronics, Electrum 229, [7] S.J. Zinkle, J.W. Jones, V.A. Skuratov. MRS Symp. Proc.,650, SE 164 40 Kista, Sweden R3.19.1 (2001).

† Specialized Elecronic System, [8] E. Kalinina, G. Kholujanov, G. Onushkin, D. Davydov, 115409 Moscow, Russia A. Strel’chuk, A. Zubrilov, A. Halln, A. Konstantinov, # Joint Institute for Nuclear Research, V. Skuratov, J. Stao. Mater. Sci. Forum,433–436, 467 (2003).

141980 Dubna, Russia [9] E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov’ev, A. Strel’chuk, • Etvs University, Pzmny P. stny 1/A, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Halln, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Ads, S. Rendakova, H-1117 Budapest, Hungary V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett.,77(19), 3051 (2000).

[10] W.J. Weber, F. Gao, R. Devanathan, W. Jiang, C.M. Wang.

Abstract

Optical and electrical properties of the 4H-SiC highNucl. Instr. Meth. B,216, 25 (2004).

resistance, pure epitaxial layers n-type conductivity, grown by [11] В.И. Авраменко, Ю.В. Конобеев, А.М. Строкова. Атомная chemical vapor deposition method, irradiated with fast neutrons, энергия,56(3), 139 (1984).

245 MeV Kr and 710 MeV Bi ions have been studied by employ[12] M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, ing photoluminescence and deep level spectroscopy techniques.

(1980).

Al and Cr Schottky barriers alongside with Al ion implanted [13] Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, 25, p+-n-n+ diode structures were formed on this epitaxial layers 1840 (1983).

to investigate their electrical characteristics. According to experi[14] Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, mental results, neutrons and the high energy ions caused formation В.И. Соколов. ФТП,20, 2153 (1986).

in 4H-SiC of identical defect centers. So, even at extremely high [15] L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B,5, 3253 (1972).

values of the ionizing energy density (34 keV/nm) typical for Bi [16] В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ,8, 1602 (1966).

ion bombardment, the damage structure formation in SiC single [17] Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП,15, 1408 (1981).

crystal is determined by the energy loss in elastic collisions.

[18] C. Hemmingsson, N.T. Son, O. Kordina, J.P. Bergman, E. Janzn, J.L. Lindstrm, S. Savage, N. Nordell. J. Appl.

Phys.,81, 6155 (1997).

[19] В.С. Балландович. ФТП,11, 1314 (1999).

[20] А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП,38, (2004).

[21] Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП,37, 1260 (2003).

[22] А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, (2000).

[23] А.И. Гирка, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, В.М. Осадчиев, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ЖЭТФ,97, 578 (1990).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.