WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Кинетика тока через p-n-переход. Измерение Уровень с энергией ионизации Ec - 0.16 эВ приписыкинетики тока через p-n-переход проводилось на апвается к донорной примеси азота. Процессы захвата и паратуре с временным разрешением порядка 5 · 10-10 с.

термоактивации электронов, связанные с этим уровнем, При измерении на образец подавалось прямое смещение, значительно увеличивают длительность релаксации тока которому соответствовал прямой ток Jf. В момент через p-n-переход.

времени t = 0 к образцу прикладывался импульс обратного напряжения длительностью (10-710-6) с. Во Авторы благодарят В.А. Дмитриева и фирму Cree время действия импульса обратного напряжения через Research Inc. за предоставленные p-n-структуры, p-n-переход протекал обратный ток Jr. Форма имВ.А. Соловьева за измерения диффузионной длины.

пульса обратного тока наблюдалась на высокочастотном Часть работы была выполнена при поддержке Миниосциллографе (см. рис. 5). Изменение обратного тока стерства обороны США.

во времени можно было разделить на две фазы. В течение фазы 1 (0 < t < tr) обратный ток Jr был постоянен. Предполагается, что фаза 1 завершается во Список литературы время tr, когда плотность инжектированных неосновных носителей падает до нуля. Во время фазы 2 (t > tr) [1] Ф.М. Берковский, С.М. Рывкин, Н.Б. Строкан. ФТТ, 3, обратный ток Jr быстро уменьшался до значений тока (1961).

утечки. Время tr зависит от отношения токов Jr/Jf и [2] Ф.М. Берковский, С.М. Рывкин, Н.Б. Строкан. ФТТ, 3, времени жизни неосновных носителей r и находится из (1961).

трансцендентного уравнения [22] [3] М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 479 (1991).

Jf tr [4] N.T. Son, E. Sorman, W.M. Chen, O. Kordina, B. Monemar, = erf. (1) E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2687 (1994).

Jf + Jr r Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1224 Н.И. Кузнецов, J.A Edmond [5] St.G. Muller, D. Hofmann, A. Winnacker, E.N. Mokhov, The influence of deep levels on current Yu.A. Vodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, Chap. 2, relaxation in 6H-SiC diodes (1996).

N.I. Kuznetsov, J.A. Edmond [6] Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 4, 3170 (1962).

[7] А.И. Вейнгер, К.П. Конин. ФТП, 2, 294 (1968).

A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, [8] Г. Борда, Э.Е. Виолин, Г.Н. Виолина, Ю.М. Таиров. ФТТ, Russian Academy of Sciences, 11, 2551 (1969).

194021 St.Petersburg, Russia [9] H.S. Kong, J.T. Glass, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 64, Cree Research Inc., 2810 Meridian Parkway, (1988).

Suite 176, Durham, NC 27713, USA [10] J.W. Palmour, R.F. Davis, T.M. Wallett, K.B. Bhasin. J. Vac.

Sci. Technol. A, 4, 590 (1986).

[11] T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys.,

Abstract

Results of deep level research in p-base of the 6H-SiC 67, 6375 (1990).

diodes have been described. The deep level of an unknown nature [12] D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974).

with ionization energy of Ec - 1.45 eV is effective recombination [13] Н.И. Кузнецов. ФТП, 27, 1674 (1993).

center of minority carriers, which controls recombination process.

[14] W. Suttrop, G. Pensl, W.J. Choyke, R. Stein, S. Leibenzeder.

The level with ionization energy of Ec - 0.16 eV is attributed J. Appl. Phys., 72, 3708 (1992).

to a nitrogen donor impurity. Processes of capture and thermal [15] H.J. van Daal, W.F. Knippenbery, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem.

activation of electrons connected with a nitrogen level much Sol., 24, 109 (1963).

increase the duration of current relaxation through p-n junction.

[16] M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, (1980).

[17] Н.И. Кузнецов, А.П. Дмитриев, А.С. Фурман. ФТП, 28, 1010 (1994).

[18] В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, (1978).

[19] О.В. Вакуленко, О.А. Гусева. ФТП, 15, 1528 (1981).

[20] C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, (1957).

[21] В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984).

[22] Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. (М., Наука, 1968).

[23] S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (2nd ed. Wiley, N.Y., 1981).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.