WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

должны быть равны. В эксперименте пики КР на коАвторы признательны В.А. Сачкову за интерес к раболебаниях Ge-Si практически не наблюдаются, значит, те и ценные замечания. Один из авторов (В.А. Володин) доля граничных атомов Ge мала, т. е. Ge формирует благодарен Ученому совету ИФП СО РАН за поддержку наноостровки с резкой гетерограницей без переходного данных исследований, выразившуюся в присуждении ему слоя из твердого раствора, и взаимное растворение Si стипендии ИФП СО РАН для молодых ученых.

и Ge в этих структурах пренебрежимо мало. Следует также отметить, что в случае резонансного КР правила Список литературы отбора по симметрии могут измениться, что также может сказаться на соотношении интенсивностей пиков [1] О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский КР на колебаниях связей Ge-Ge и Ge-Si. По литераи др. ФТП, 34, 1281 (2000).

турным данным, полученным с помощью сканирующей [2] N.D. Zakharov, G.E. Cirlin, P. Werner et al. Proc.

электронной микроскопии [3], размеры этих островков 9th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2001) p. 21.

составляют до 2.5 нм в высоту и 5-7 нм в диаметре [3– [3] A.V. Kolobov, A.A. Shklyaev, H. Oyanagy et al. Appl. Phys.

5,11]. Для такой толщины эффекты сдвига частот фоноLett., 78, 2563 (2001).

нов, локализованных в Ge, малы, и их частота близка [4] A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Phys. Rev. B, 62, к частоте фононов в объемном материале. Тогда можно 1540 (2000).

предположить, что средние механические напряжения [5] A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 88, в островках значительно релаксированы, а локальные 1397 (2000).

механические напряжения проявляются в наличии высо- [6] Light Scattering in Solids V Superlattices and Other Microstructures, ed. by M. Cardona, G. Gnterodt (Berlin, кочастотного плеча (310-315 см-1) в экспериментальSpringer Verlag, 1989).

ных пиках (рис. 1).

[7] М. Волькенштейн. ДАН СССР, 32, 185 (1941).

Чтобы определить влияние ограничения островков по [8] A.V. Kolobov. J. Appl. Phys., 87, 2926 (2000).

латеральным размерам были проведены расчеты фо[9] Рассеяние света в твердых телах: проблемы прикладнонных спектров и спектров КР окруженных кремнием ной физики (М., Мир, 1979). [Пер. с англ.: Light Scattering островков Ge в рамках трехмерной модели. Присутствие in Solids, ed. by M. Cardona (Berlin, Springer Verlag, 1975)].

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1224 В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, О.П. Пчеляков, В.В. Ульянов [10] Рассеяние света в твердых телах: выпуск II (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: Light Scattering in Solids II.

Basic Concepts and Instrumentation, ed. by M. Cardona, G. Gnterodt (Berlin, Springer Verlag, 1982)].

[11] A.A. Shklyaev, M. Ichikawa. Surf. Sci. (2002) to be published.

[12] В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987).

[13] G. Nelin, G. Nilsson. Phys. Rev. B, 5, 3151 (1972).

[14] М.Д. Ефремов, В.А. Володин, В.А. Сачков и др. Письма ЖЭТФ, 70, 73 (1999).

[15] В.А. Сачков, В.В. Болотов, В.А. Володин, М.Д. Ефремов.

Фононы в структурах на основе GaAs и AlAs: численное моделирование и эксперимент. Препринт ИМСЭ СО РАН 2000-01.

[16] F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys.

Rev. B, 5, 580 (1972).

[17] А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков и др.

Письма ЖЭТФ, 73, 521 (2001).

Редактор Т.А. Полянская Resonance Raman scattering in Ge nanoislands grown on an Si (111) substrate with ultrathin SiO2 coating V.A. Volodin, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, D.A. Orehov, O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia Novosibirsk State University, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

Ge nanoislands grown on Si (111) substrate with ultrathin SiO2 layer were studied using Raman spectroscopy.

Comparative analysis of the experimental Raman spectra and the calculated ones was carried out in 3D model for the Ge nanoislands containing up to several hundreds atoms. The influence of resonance effects and those of lateral island size on Raman scattering of system Ge-nanoislands / oxide / silicon were discussed.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.