WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

что роль безызлучательных переходов в случае кристалС целью более подробного описания рекомбинации ла B9 более существенна. В пользу оже-процессов может неравновесных носителей зарядов в низкоомных образсвидетельствовать и отсутствие прикраевого излучения в цах ZnSe n-типа (отожженных в цинке) рассмотрим наиболее низкоомных кристаллах.

простейшую схему электронных переходов с одним уровнем рекомбинации (Ea). Соответствующие кинетические Что же касается предположения о формировании уравнения будут иметь следующий вид: центров рекомбинации нового типа при больших концентрациях свободных электронов, то оно подтверждаdp/dt = g - Cp p(N - pa), (1) ется тем, что в наиболее низкоомном кристалле Bнаблюдается аномальный спектр РЛ с M = 595 нм dpa/dt = Cp p(N - pa) - Cnnpa. (2) при T = 300 K с аномальной температурной зависимоЗдесь g — темп генерации электронно-дырочных пар стью интенсивности свечения. Полоса с M = 595 нм при межзонном возбуждении, p — концентрация ненаблюдалась также в низкоомных кристаллах ZnSe : Zn равновесных свободных дырок в валентной зоне, pa — (n > 1019см-3), полученных после длительного отжига концентрация локализованных на центрах рекомбинации стехиометрических образцов в жидком цинке [15]. Исхонеравновесных дырок, Cp,n — коэффициенты захвата дя из предпосылок об образовании новых центров мождырок или электронов, соответственно, на примесный но высказывать некоторые предложения относительно центр. Остальные обозначения уже встречались в тексте.

их структуры. Скорее всего новый центр будет иметь Интенсивность люминесценциии IXL = Cnnpa.

2такой состав: VZn TeSe(Zn+)n, где n 2. Атом Te, I В условиях неравенства pa N решение системы замещающий атом Se, играет в данном комплексе роль (1)–(2) дает стабилизатора вакансий VZn, не давая атомам Zn заp 2нять пустые узлы. Итак, мы имеем комплекс VZn TeSe, pa(t) = e-t/p p/n - окруженный двумя или большим числом межузельных атомов цинка. Такой центр будет иметь отталкивающий p + (pa) - e-t/n, (3) барьер для дырки и малую вероятность ее захвата при p/n - низких температурах. С ростом температуры вероятгде p, (pa) — стационарные (начальные) концентра- ность захвата дырки резко возрастает и, как результат, ции неравновесных свободных и локализованных дырок увеличивается интенсивность высвечивания в полосе в соответственно; n = 1/nCn, p = 1/CpN. M = 595 нм.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики... Заключение The influense of super-stoichiometric components on spectral-kinetic Кристаллы ZnSe, выращенные из шихты стехиометриcharacteristics of the luminescence of ческого состава или с примесью халькогенов, и криisovalent impurity doped ZnSe crystals сталлы, выращенные из шихты, содержащей избыток цинка, существенно различаются по своим спектральноO.V. Vakulenko, V.N. Kravchenko, V.D. Ryzhykov, кинетическим люминесцентным характеристикам, что V.I. Silin, N.G. Starzhinskii указывает на доминирующую роль собственных дефекTaras Shevchenko Kiev University, тов решетки в формировании центров излучательной 252127 Kiev, the Ukraine рекомбинации в этом материале.

Значительное изменение параметров рентгенолюминесценции кристаллов после их длительного отжига в цинке связано, по-видимому, с формированием центров рекомбинации нового типа, характеризующихся аномальной температурной зависимостью интенсивности люминесценции.

Экспериментальная зависимость времени высвечивания от концентрации свободных электронов в кристаллах ZnSe n-типа может быть интерпретирована в рамках модели рекомбинации через один примесный уровень, а также существенной ролью оже-процессов при высоких концентрациях свободных носителей.

Список литературы [1] А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский. Физика соединений AIIBVI (М., Наука, 1986) c. 72.

[2] В.Д. Рыжиков. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений AIIBVI. Получение, свойства, применение (М., НИИТЭХИМ, 1989).

[3] В.Д. Рыжиков, Э.Ф. Чайковский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 43, 1150 (1979).

[4] В.Д. Рыжиков. Высокоэффективные полупроводниковые сцинтилляционные детекторы на основе соединений AIIBVI (М., НИИТЭХИМ, 1984).

[5] В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. УФЖ, 33, 818 (1988).

[6] В.Д. Рыжиков. Разработка автоматических систем контроля радиационной безопасности АЭС на базе детекторов нового поколения ”сцинтиллятор-фотодиод” (Харьков, ВНИИМ, 1990) с. 3.

[7] Э.Я. Мелликов, Я.В. Хийе, П.Л. Кукк, И.В. Карпенко. Изв.

АН СССР. Неорг. матер., 18, 363 (1982).

[8] В.И. Силин, Н.Г. Старжинский, М.Ш. Файнер. Орг. и неорг.

матер., № 26, 7 (1990).

[9] С.М. Игнатов, В.Д. Рыжиков, В.И. Силин, Н.Г. Старжинский, Ю.А. Яковлев. Орг. и неогр. матер., № 26, 14 (1990).

[10] H.L. Oczkowski. Phys. St. Sol. (a), 68, 199 (1981).

[11] S. Kishida, K. Matsuura, H. Nagase, H. Mori, F. Takeda, I. Tsurumi. Phys. St. Sol. (a), 95, 155 (1986).

[12] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

[13] Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973).

[14] V.B. Sandomirskii, A.G. Zhdan, M.A. Messerer, I.B. Gurlyaev, Ya.A. Pyasta, A.S. Darevskii. Sol. St. Electron., 16, (1973).

[15] V.D. Ryzhikov, V.I. Silin, N.G. Starzhinsky. Nucl. Tracks Radiat. Meas., 21, 53 (1993).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.