WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

from supersaturated GeO vapor with subsequent dissociation of [11] Е.Б. Горохов, В.В. Грищенко. Эллипсометрия: теория, metastable Ge monoxide on heterophase system Ge : GeO2. The методы, приложения. Сб. ст., под ред. А.В. Ржанова second one is growth of anomalous thick native germanium oxide (Новосибирск, Наука, 1987) с. 147.

layers with chemical composition GeOx (H2O) during catalytically [12] В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Лиenhanced Ge oxidation. The obtained films were studied with the товченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, use of photoluminescence, Raman scattering spectroscopy, spectral Наук. думка, 1987).

ellipsometry, high-resolution electron microscopy (HREM). Strong [13] А.М. Мищенко. Препринт ИФП СО РАН (1979).

photoluminescence signals were detected in GeO2 films with [14] М.Д. Ефремов, В.А. Володин, В.А. Сачков, В.В. ПреобраGe–NCs at room temperature. The Blue-shift“ of photolumi” женский, Б.Р. Симягин, В.В. Болотов, Е.А. Галактионов, nescence maximum was observed with reduction of Ge excess А.В. Кретинин. Письма ЖЭТФ, 70, 73 (1999).

in GeO2 films. The NC sizes were estimated from position of [15] V. Pailard, P. Puech. J. Appl. Phys., 86, 1921 (1999).

Raman peaks. A correlation between reducing the NC sizes [16] D.E. Aspnes. Thin Sol. Films, 89, 249 (1982).

and photoluminescence blue-shift“ has been observed. The NCs ” [17] G. Nelin, G. Nilsson. Phys. Rev. B, 5, 3151 (1972).

presence was confirmed by HREM data. The optical gap in [18] Shang-Fen Ren, Wei Cheng. Phys. Rev. B, 66, 205 328 (2002).

Ge-NCs calculated by taking into account quantum size effects and [19] Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нереthe position of the experimental photoluminescence peaks exhibit лятивистская теория (М., Наука, 1989).

correlation. From data obtained it can be concluded that a Ge-NC [20] В.А. Бурдов. ФТП, 36, 1233 (2002).

in GeO2 matrix is a quantum dot of type I.

[21] T.V. Torchinska, A. Diaz Cano, M. Morales Rodrigues, L.Yu. Khomenkova. Physica B, 340–342, 1113 (2003).

[22] D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin, G. Polisski, M. Schwartzkopff, F. Koch. Phys. Rev. Lett., 81, 2803 (1998).

[23] M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. J. Luminesc., 70, (1996).

[24] Y.C. King, T.J. King, C. Hu. Intern. Electron Devices Meeting Technical Digest (1998) p. 115.

[25] Е.Б. Горохов, А.М. Мищенко, И.Г. Коваленко, С.В. Покровская, И.Г. Неизвестный. Поверхность, № 5, 67 (1983).

[26] E.B. Gorokhov, I.G. Kosulina, S.V. Pokrovskaya, I.G. Neizvestny. Phys. Status Solidi, 101 A, 451 (1987).

[27] Е.Б. Горохов, С.В. Покровская, И.Г. Неизвестный. Поверхность, № 4, 103 (1983).

[28] Е.Б. Горохов, А.Л. Асеев. В сб.: Полупроводники, отв. ред.

И.Г. Неизвестный (Новосибирск, ИФП СО РАН, 1995) с. 199.

[29] Е.Б. Горохов. Поверхность, № 9, 76 (1992).

[30] L. Rebohle, J. von Borany, D. Borchert, H. Frob, T. Gebel, M. Helm, W. Moller, W. Skorupa. Electrochem. Sol. St. Lett., 4, G57 (2001).

Редактор Л.В. Шаронова 5 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.