WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

хочется отметить, что такое состояние возникает только [8] А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.А. Гореленок, Т.С. Лагунова, А.М. Литвак, М.А. Сиповская, С.П. Старосельцева, при лазерно-стимулированной инверсии от p- к n-типа В.А. Тихомирова, В.В. Шерстнев. ФТП, 26, 1612 (1992).

проводимости с последующим переходом в стабильный [9] А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповn-тип.

ская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 421 (1993).

Подвижность носителей в кристаллах с устойчивым [10] И.М. Цидильковский. УФН, 162, 63 (1992).

n-типом немного ниже подвижности, которая наблюдалась в образцах с избытком In после облучения. Это Редактор Т.А. Полянская свидетельствует о большей концентрации рассеивающих центров в образцах с избытком As. Кроме того, как видно из рис. 4, с увеличением мощности при незначительном времени облучения увеличение концентрации Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 1210 С.В. Пляцко, В.П. Кладько Changes in structural and electrophysical properties of undoped InAs crystals due to IR laser treatment S.V. Plyatsko, V.P. Klad’ko Institute of Semiconductor Physics of Ukranian National Academy of Sciences, 252650 Kiev, Ukraine

Abstract

Considerable changes of electrical properties and structural characteristics of InAs single crystals are found under the action of IR laser radiation with photon energies less than the band gap of InAs. These changes are connected with transformation and redistribution of intrinsic defects in the field of the electromagnetic wave of laser radiation.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.