WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Radiation recombination of the GaN nanocrystals under large density of 4. Заключение optical pumping A.N. Gruzintsev, A.N. Redkin, C. Barthou Таким образом, обнаруженное нами интенсивное ультрафиолетовое излучение нанокристаллов GaN при Institute of Microelectronics Technology Problems, больших мощностях оптической накачки можно объясRussian Academy of Sciences, нить процессами спонтанной излучательной рекомби142432 Chernogolovka, Russia нации электронно-дырочной плазмы. С ростом мощно- Universit P. et M. Curie, сти накачки происходит значительное уширение линии 75252 Paris Cedex 05, France люминесценции ЭДП за счет увеличения кинетической энергии электронов и дырок в плазме. При увеличе

Abstract

The investigations of the spontaneous ultraviolet lumiнии температуры образца полоса ЭДП сдвигается в nescence spectra of the GaN nanocrystals with a different power длинноволновую область и сильно уширяется, при этом density of optical pumping from 50 W/cm2 to 50 MW/cm2 were интенсивность свечения падает. Линейная зависимость carried out. The emission peaks, related to the recombination интенсивности данной полосы от интенсивности возot the free excitons and of the electron–hole plasma (EHP) буждения нитрида галлия обусловливается ее спонтанrecombination have been detected at room temperature. Spectral ным характером во всем диапазоне мощностей накачки characteristics of the gallium nitride electron–hole plasma emission от 50 Вт/см2 до 50 МВт/см2. Для получения стимулироwere studied at temperatures over the 77-550 K range.

ванного излучения ЭДП в нитриде галлия необходимо использование резонаторов оптического излучения или квантово-размерных структур для пространственной локализации возбужденных носителей.

Работа выполнена при финансовой поддержке Программы РАН „Квантовые вычисления“, грантов РФФИ (проект № 04-02-16437) и ИНТАС (проект № 2002-0796).

Список литературы [1] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Jap. J. Appl. Phys., 30, L1998 (1991).

[2] S.J. Xu, G. Li, S.J. Chue. Appl. Phys. Lett., 72, 2451 (1998).

[3] E.R. Glaser, T.A. Kennedy, K. Doverspike. Phys. Rev. B, 51, 13 326 (1995).

[4] M.H. Huang, S. Mao, H. Feiick, H. Yan, Y. Wu, H. King, E. Waber. Science, 292, 1897 (2001).

4 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.