WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

отражающие наличие не только высокочастотных внутаблицу), являются заниженными для наиболее тесных тримолекулярных, но и других типов низкочастотных конфигураций. Возможно, что большее межъядерное колебаний. Воздействие фононной подсистемы кристалразделение является причиной расщепления дырочных ла может приводить к изменению энергии частицы, переходов для конфигураций 2 и 3 (см. таблицу).

совершающей переход, либо параметров потенциального Данные таблицы позволяют выявить тенденцию увебарьера. Как показано в [18], именно последнее обличения характерного времени жизни дефектов в констоятельство определяет экспоненциальную зависимость кретной конфигурации с ростом параметра разделения константы скорости перехода от температуры. Тогда в электрон–дырка. Дефекты, ответственные за появление рамках предложенной гипотезы изменение характерного группы A2, являются наиболее долгоживущими. Поэтому времени жизни АЭ в конкретной конфигурации как мы вправе предположить, что ей соответствует наиболее функции температуры кристалла при облучении [1–3] пространственно разделенная конфигурация, но сделать находит простое объяснение как изменение степени пеоднозначный выбор между конфигурациями 1 и 4 нерекрытия волновых функций электронного и дырочного льзя. Группа A1 и A2 имеют близкие спектральные, компонентов экситона (при сближении дефектов барьер но разные кинетические характеристики. Это предпосужается и уменьшается), а низкотемпературный предел лагает, что конфигурация, ответственная за группу A1, соответствует замораживанию ( 50 K для CaF2 и SrF2) должна быть достаточно разделенной. Однако условие междефектных колебаний. При повышенных температуKA1 > KC требует, чтобы она являлась наиболее тесной.

рах следует принимать во внимание возможность разПротиворечие снимается, если предположить, что время рыва связи в дырочном ядре экситона. Об этом может жизни дефектов в конкретной конфигурации зависит свидетельствовать резкое изменение энергии активации от пространственной ориентации дырочного ядра отноуменьшения характерного времени жизни АЭ (с 0.026 до сительно позиции вакансии. Возможно, что появление 0.4 eV для CaF2) [2,3], сопровождаемое изменением группы A1 связано с образованием модифицированных спектрального состава свечения [3].

конфигураций (4 или 1). Аналогичные рассуждения Воздействие импульсного электронного облучения относительно группы D приводят к тому, что за нее приводит к появлению в кристаллах флюорита довольможет быть ответственна одна из модификаций наиболее но разнообразной картины разупорядочения в анионной тесных конфигураций (2 или 3). Характерно, что подрешетке. В настоящей работе мы описали только обе группы полос A1 и D обнаруживают тенденцию некоторые из числа возможных конфигураций F, H-пар.

к росту при увеличении температуры кристалла при При этом в состав выделенных групп не включены облучении. Либо в более ”рыхлой” решетке у дырочного высокоэнергетические переходы (рис. 2, a, b), которые, ядра дополнительно появляется вращательная степень как мы предположили, могут свидетельствовать о более свободы, либо ядро занимает не только октаэдрическое междоузлие. В последнем случае, например, при образо- диффузном по сравнению с H-центром распределении заряда на дырочном ядре экситона. С ростом температуры вании краудиона вдоль 110 -оси формируется сложная кристалла при облучении явно прослеживается тенденструктура дырочного ядра типа F2-. По-видимому, это и является причиной появления переходов в высокоэнер- ция изменения распределения F, H-пар в зависимости от расстояния между компонентами. Некоторые из числа гетической области спектра (рис. 1). Аналогом в этом выделенных групп полос мы наблюдали в спектрах как отношении могут являться ЩГК [16]. Эксперименты с фемтосекундным разрешением свидетельствуют о том, быстрого (т. е. обусловленного АЭ), так и медленного что процесс формирования сложного ядра из однога- компонентов поглощения кристалла CaF2. Причины лоидной автолокализованной дырки может завершаться этого не совсем ясны, однако дефекты, ответственные еще до стадии захвата электрона [17]. за эти компоненты, оказываются связанными единой Приписывая конкретной конфигурации определенную адиабатической потенциальной поверхностью для двигруппу полос, мы таким образом ставим ей в соответ- жения дырочного ядра [19]. Ранее это наблюдалось при ствие систему с электронными и дырочными переходами. облучении при температуре 6K [20].

Физика твердого тела, 1997, том 39, № Спектрально-кинетические характеристики переходного поглощения в кристаллах фторида кальция Модель АЭ в виде близкой пары F- и H-центров под- [13] P.J. Call, W. Hayes, J.P.H. Stott, A.E. Hughes. J. Phys. C: Sol.

Stat. Phys. 7, 14, 2417 (1974).

тверждена экспериментально и теоретически для ЩГК [14] W. Hayes, R.F. Lambourn, J.P.H. Stott. J. Phys. C: Sol. Stat.

(см., например, [21–23]). В зависимости от наличия Phys. 7, 14, 2429 (1974).

в кристалле свободного пространства между галоида[15] А.М. Стоунхэм. Теория дефектов в твердых телах М.

ми (параметра Рабина–Клика (S/D) [24]) образуются (1978). Т. 2. 357 с.

различные конфигурации АЭ, отличающиеся степенью [16] T. Eshita, K. Tanimura, N. Itoh, H. Nishimura. Phys. Soc. Jap.

смещения дырочного ядра вдоль направления 110 [25].

54, 11, 4418 (1985).

В плотноупакованных решетках (S/D < 0.5 на диа[17] T. Shibata, S. Iwai, T. Tokizaki, K. Tanimura, A. Nakamura, грамме Рабина–Клика) смещение ядра АЭ невелико N. Itoh. Phys. Rev. B49, 18, 13255 (1994).

( 2 a.u.) [23], а распределение внешнего электрона со[18] В.И. Гольданский, Л.И. Трахтенберг, В.Н. Флеров. Туннельсредоточено во второй координационной сфере [22]. В ные явления в химической физике. М. (1986). 294 с.

таких кристаллах оптические характеристики АЭ раз[19] Е.П. Чинков, В.Ю. Яковлев. Тез. VIII Междунар. конф. по личных конфигураций (близких (F-H)-пар) и пространрадиационной физике и химии неорганических материаственно разделенных F- иH-центров не совпадают [3,26].

лов. Томск (1993). Ч. 2. С. 126.

В более рыхлых кристаллах аксиальный сдвиг ядра [20] T. Eshita, K. Tanimura, N. Itoh. Nucl. Instrum. Meth. Phys.

достигает 4-5 a.u. [23], волновая функция внешнего элек- Res. B1, 452 (1984).

[21] D. Block, A. Wasiela, Y. Merle D’Aubigne. J. Phys. C: Sol.

трона становится более компактной [22] и в качестве Stat. Phys. 11, 20, 4201 (1978).

АЭ могут выступать так называемые короткоживущие [22] П.Г. Баранов. Изв. АН СССР. Сер. физ. 45, 254 (1981).

(F-H)-пары [27].

[23] L.F. Chen, K.S. Song, C.H. Leung. Nucl. Instrum. Meth. Phys.

Таким образом, впервые проведенный в настоящей Res. 46, 1–4, 216 (1990).

работе детальный анализ переходного поглощения, наво[24] H. Rabin, C. Klick. Phys. Rev. 117, 4, 1005 (1960).

димого в кристаллах CaF2 импульсом ускоренных элек- [25] K. Kan’no, K. Tanaka, T. Hayashi. Rev. Sol. Stat. Sci. 4, тронов, позволил установить спектрально-кинетические (1990).

[26] K. Tanimura, N. Itoh, T. Hayashi, H. Nishimura. Phys. Soc.

характеристики по крайней мере трех конфигураций АЭ Jap. 61, 1366 (1992).

и их закономерное изменение как функции расстояния [27] И.П. Денисов, В.Ю. Яковлев. ФТТ 32, 2, 384 (1990).

между компонентами (F-H)-пары. Обнаруженные закономерности качественно согласуются с теми, которые наблюдались, например, при облучении SrF2 или ЩГК, и свидетельствуют об отсутствии какого-либо специфического влияния строения решетки на первичные продукты радиолиза.

Список литературы [1] R.T. Williams, M.N. Kabler, W. Hayes, J.P.H. Stott. Phys. Rev.

B14, 2, 725 (1976).

[2] Н.Н. Ершов, Н.Г. Захаров, П.А. Родный. Опт. и спектр. 53, 1, 89 (1982).

[3] Л.А. Лисицына, В.М. Лисицын, Е.П. Чинков. Изв. вузов.

Физика. 1, 13 (1995).

[4] P.J. Call, W. Hayes, M.N. Kabler. J. Phys. C: Sol. Stat. Phys. 8, 4, L60 (1975).

[5] T. Eshita, K. Tanimura, N. Itoh. Phys. Stat. Sol. (b) 122, 2, 489 (1984).

[6] M. Adair, C.H. Leung, K.S. Song. J. Phys. C: Sol. Stat. Phys.

18, 28, L909 (1985).

[7] K.S. Song, C.H. Leung, J.M. Spaeth. J. Phys.: Cond. Matter. 2, 30, 6373 (1990).

[8] K. Tanimura, T. Katoh, N. Itoh. Phys. Rev. B40, 2, (1989).

[9] Э.Д. Алукер, В.В. Гаврилов, Р.Г. Дейч, С.А. Чернов.

Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах. Зинатне, Рига (1987). 183 с.

[10] М.В. Фок. Тр. ФИАН 59, 3 (1972).

[11] S. Parker, K.S. Song, C.R.A. Catlow, A.M. Stoneham. J. Phys.

C: Sol. Stat. Phys. 14, 4009 (1981).

[12] Н.Г. Романов, В.А. Ветров, П.Г. Баранов. Письма в ЖЭТФ 37, 7, 325 (1983).

4 Физика твердого тела, 1997, том 39, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.