WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

It is shown that Gd impurities cause deformations and internal ми упругих напряжений и областями экранирующего stresses of the crystal lattice that correlates with the doping пространственного заряда. Если имеются включения с concentration. Gadolinium interstitials in Hg3In2Te6 do not affect отличной от матрицы концентрацией электронов, то the kinetic properties and the Fermi level position, which is located интенсивность рассеяния не зависит от длины волны и in the proximity of the medial line of the energy gap. Light пропорциональна произведению C()2 (C — конценabsorption observed in the range of the photon energies less трация включений, — разница диэлектрических проthan the energy gap is caused by the availability of the tails of ницаемостей включений и матрицы). В случае Hg3In2Te6 the density of states within the energy gap. The peculiarities концентрация таких включений прямым образом связана of the absorption spectra are interpreted in the framework of a с содержанием гадолиния в образцах, а рассеяние света theory created for strongly compensated semiconductors. The на включениях приводит к уменьшению коэффициента additional structureless absorption in the optical transparency range пропускания. is explained by the small-angle light scattering on inclusions formed by charged impurities.

Таким образом, при увеличении уровня легирования взаимодействие примеси гадолиния с собственными дефектами кристаллической структуры Hg3In2Te6 приводит к росту флуктуаций потенциала и вследствие этого — к увеличению ширины хвостов плотности состояний в запрещенной зоне. Фиксация же уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны обусловлена симметричным характером гофрировки краев разрешенных зон.

Список литературы [1] В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 24, 610 (1990).

[2] G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Advanced Mater., 4 (1), 36 (1997).

[3] О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк, В.С. Герасименко.

ФТП, 33, 1416 (1999).

[4] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

[5] И.А. Драпкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15, 625 (1981).

[6] Б.Л. Гельмонт, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 25, (1983).

[7] Э.З. Имамов, Б.Р. Мамуткулов. ФТП, 15, 1800 (1981).

[8] Ю.А. Астров, Л.М. Порцель. ФТП, 17, 1342 (1983).

[9] В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Б.В. Зубков. ФТТ, 23, (1981).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.