WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Явных проявлений избыточного углерода в этом спектре, по-видимому, нет. В спектре d двухфононные полосы, наоборот, выражены довольно неотчетливо. Полоса 1380 см-1 сдвинута — теперь это полоса 1370 см-1.

Видимо, в данной точке имеются значительные искажения решетки кристалла. Аналогичные измерения были проведены в ряде дефектных областей, хорошо видных на приведенных рентгенограммах.

Подводя итог проведенного анализа полученных данных, можно сказать, что изменения в рамановских спектрах акустических фононов и двухфононного рассеяния, имеющиеся в различных дефектных областях исследованных образцов при плотностях дислокаций ND > 104 см-2, весьма значительны, и рамановские спектры могут служить средством индикации макроскопических дефектов в пленках SiC. Однако необходимо серьезное изучение детальных механизмов этих изменений Рис. 6. Спектры рамановского рассеяния. a — образец для того, чтобы можно было более конкретно указать Е 0464-11, точка 4 (рис. 1). (b, c, d) — образец В 0853-7, точка причины, их определяющие.

измерения (рис. 2): b — 8, c — 7, d — 3.

В заключение можно сказать, что исследованные пленки SiC, выращенные в Cree Research, Inc., по данным рамановского рассеяния имеют симметрию политипа 6H.

туре третьего спектра (c) наиболее выделяется полоса с В имеющихся на них дефектных участках в ряде случаев максимумом 505.5 см-1. Избыточный кремний в данной проявляются существенные искажения кристаллической точке образца, по-видимому, отсутствует. Необходимо симметрии, нарушения межслоевых связей. Наиболее отметить, что максимумы решеточных колебаний SiC в чувствительными к указанным искажениям оказываются указанном интервале спектра, соответствующие разным область акустического фонона и двухфононная область точкам образца, несколько сдвинуты относительно друг рамановского спектра SiC. Информативно также поведедруга. В различных спектрах наблюдается преобладание ние довольно слабых полос 504 и 508 см-1. В некоторых одного или другого из них по амплитуде. По-видимому, точках исследованных образцов имеются малые вкраплеэто есть следствие имеющихся в образце нарушений ния кубической фазы SiC. Кроме того, в ряде исследованструктуры решетки, вызванных скоплением дислокаций.

ных точек на пленках имеются вкрапления избыточного Область двухфононного рамановского спектра, в кремния, а в некоторых случаях и углерода. Проведенные котором также могли бы проявиться спектральные исследования показали, что структура изученных пленок особенности, связанные с вкраплениями углерода 6H-SiC, выращенных методом газофазной эпитаксии на (1320 1620 см-1), показана на рис. 6. В спектре a подложках из объемных кристаллов 6H-SiC, недостачетко видны двухфононные полосы 6H-SiC 1380, 1480, точно совершенны и необходимы дальнейшие усилия 1518, 1533, 1546 и 1568 см-1. Помимо этого в спектре по оптимизации технологии роста как пленок, так и имеются слабо разрешенные между собой полосы подложек.

и 1341 см-1, которые, по-видимому, ответственны за имеющийся в данной точке углерод, находящийся в Авторы выражают благодарность за внимание и подsp3-конфигурации. Пик 1590 см-1 обычно приписывают держку В.Е. Челнокову.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии... Данная работа выполнялась в рамках гранта INTAS 93543 и при частичной поддержке Аризонского университета США.

Список литературы [1] D.W. Feldman, J.H. Parker, W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 170, 698 (1968); Phys. Rev., 173, 787 (1968).

[2] И.С. Горбань, В.И. Луговой. Журн. прикл. спектроскопии, XXIV, 333 (1976).

[3] S. Nakashima, Y. Nakakura, Z. Inoue. J. Phys. Soc. Japan, 56, 359 (1987).

[4] S. Nakashima, K. Tahara. Phys. Rev. B, 40, 6339 (1989).

[5] А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29, 2122 (1995).

[6] Pham. V. Huong. Diamond and Related Mater., 1, 33 (1991).

Редактор Л.В. Шаронова Characterization of macrodefects in pure SiC films by X-ray topography and Raman scattering A.M. Danishevskii, A.C. Tregubova, A.A. Lebedev A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Raman and X-ray topographical measurements were fulfilled on CVD sillicon carbide layers of Cree Research, Inc.

epitaxially deposited on bulk 6H-SiC substrates. It was necessary to elucidate what ranges of Raman spectra are the most sensitive to structure macrodefects (pile-ups of dislocations) which are seen in X-ray photographs. Some inferences were made about lattice distortions. Inclusions of sillicon and carbon in different states were found in the layers.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.