WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

где h обозначает дырку. Образование нейтрального комплекса из точечных дефектов, несущих заряды проти- Авторы благодарны С.И. Чикичеву за полезные дисвоположного знака, выгодно с позиций термодинамики, куссии и В.Г. Погадаеву за помощь в выращивании поскольку энтальпия формирования комплекса меньше, эпитаксиальных слоев.

чем сумма энтальпий формирования отдельных заряженных дефектов [11].

Список литературы В соответствии с законом действующих масс из реакций (6)–(8) с учетом того, что Gax Ga-2 + 2 · h, а p As As [1] G. Packeiser, H. Tews, P. Zwicknagl. J. Cryst. Growth, 107, пропорционально концентрации мелких ионизированных 883 (1991).

акцепторов ZnGa, можно получить выражение, связываю- [2] Ю.Б. Болховитянов, Б.В. Морозов, А.Г. Паулиш, А.С. Сущее концентрацию комплексов с концентрацией дырок: ранов, А.С. Терехов, Е.Х. Хайри, С.В. Шевелев. Письма ЖТФ, 16, вып. 7, 25(1990).

x [3] E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals, NR (NGa)3/(NZn)2 p6, (9) ed. by R.K. Willardson (Academic Press, N.Y., 1972) v. 8, p. 336.

x где NGa — концентрация нейтральных антиструктурных [4] В.Г. Погадаев, Н.А. Якушева. Электрон. техн., сер. 6, дефектов Gax, которая зависит только от темпераAs Материалы, вып. 5, 48 (1990).

+ туры [17], а NZn. Из (9) видно, что концентрация [5] K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Phys. St. Sol. (a), 29, комплексов пропорциональна шестой степени концен(1975).

трации дырок, что хорошо согласуется со значением [6] А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 33, 427 (1981).

показателя степени ( + 1 = 5.35) в выражении (5), [7] П.Л. Кукк. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 1509 (1980).

[8] K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, V.E. Radionov, V.I. Vovсвязывающем концентрацию центров R с концентрацией nenko. Phys. St. Sol. (a), 49, 593 (1978).

дырок. Разница между значениями показателя степени у [9] C.J. Hwang. Phys. Rev., 180, 827 (1969).

концентрации дырок в выражении (9) и значением + [10] M.G. Dowsett, E.A. Clark. In: Practical Surface Analysis, в выражении (5) обусловлена возрастанием концентраv. 2. Ion and Neutral Spertroscopy, ed. by D. Briggs and ции межузельных доноров Zn+1 при повышении уровня I M.P. Seah (John Wiley&Sons Ldt., 1992).

легирования.

[11] Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., 1969).

Межузельные атомы галлия могут также образовываться в про[12] К.С. Журавлев, С.Ч. Чикичев, Р. Штаске, Н.А. Якушева.

цессе роста. Однако этот дефект имеет большую энтальпию формиФТП, 24, 1645 (1990).

рования: 6эВ [17], поэтому концентрация межузельных атомов [13] Р.Х. Акчурин, И.О. Донская, С.И. Дулин, В.Б, Уфимцев.

галлия, образовавшихся в процессе роста, много меньше концентрации Кристаллография, 33, 464 (1988).

межузельных атомов цинка.

[14] T. Kitano, H. Watanabe, J. Matsul. Appl. Phys. Lett., 54, При рассмотрении реакций с участием ТД предполагалось, что при оценках изменения свободной энергии Гиббса (G) в результате (1989).

реакции можно пренебречь изменением энтропии и считать, что [15] T.Y. Tan, S. Yu, U. Gsele. J. Appl. Phys., 70, 4823 (1991).

H, где H— изменение энтальпии [17]. Данные по энтальпиям = [16] G. Bsker, N.A. Stolwijk, H.-G. Hettwer, A. Rucki, W. Jger, формирования собственных точечных дефектов взяты из работы [17].

U. Sdervall. Phys. Rev. B, 52, 11 927 (1995).

+Разница суммы энтальпий формирования Ga+2 + VAs ( 6.9эВ) и [17] J.F. Wager. J. Appl. Phys., 69, 3022 (1991).

энтальпии формирования Ga-2 ( 3.4эВ) дает выигрыш в энергии As 3.5эВ.

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Новый центр рекомбинации в сильно легированном цинком арсениде галлия... A new recombination center found in a heavily doped GaAs : Zn grown by liquid phase epitaxy.

K.S. Zhuravlev, T.S. Shamirzaev, N.A. Yakusheva, I.P. Petrenko Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

The photoluminescence properties of p-GaAs : Zn (100) layers grown by liquid phase epitaxy from gallium and bismuth solutions at various temperatures have been studied. It is shown that a novel center of radiative recombination is formed in these layers. The concentration of centers increases with the doping level being directly proportional to the concentration of free holes to the power 5.35 ± 0.1. The power index is independent both of the growth solution used (gallium or bismuth) and the growth temperature. It was found that the center is a neutral comlex consisting of an antisite defect of gallium in arsenic site and two arsenic vacancies.

Fax: (3832) E-mail: tim@ns.isp.nsc.ru(T.S. Shamirzaev) Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.