WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

= 1014-1016 cm-2) with the ion energy 380 keV were investigated. By the method of Rutherford backscattering a threshold Выражаем благодарность W. Wesch, E. Wendler и of silicon amorphisation ( = 3 · 1014 cm-2) was determined. At O. Picht за помощь и гостеприимство при прохождении the temperature T = 78 K a quasi resonance anisotropy line А. Коробко стажировки в Университете им. Фридриха of electron spin resonance (ESR) with the order width of Шиллера, Йена, ФРГ.

170 mT was registered in silicon implanted with cobalt ions for 3 · 1014 cm-2. In the background of this line a resonance signal (g = 2.0057, B = 0.74 mT) of the paramagnetic centers Список литературы of amorphous regions of silicon was seen. The quasi-resonance ESR line from the cobalt atoms and intrinsic defects has not been [1] Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. УФН, 175 (6), 629 (2005).

[2] С.А. Гусев, Ю.Н. Ноздрин, М.В. Сапожников, А.А. Фраер- observed at T = 300 K.

ман. УФН, 70 (3), 331 (2000).

[3] Zh. Tan, F. Namavar, J.I. Budnick, F.H. Sanchez, A. Fasihuddin, S.M. Heald, C.E. Bouldin, J.C. Woicik. Phys. Rev. B, 46 (7), 4077 (1992).

[4] Zh. Tan, J.I. Budnick, F.H. Sanchez, G. Tourillov, F. Namavar, H.C. Hayden. Phys. Rev. B, 40 (9), 6368 (1989).

[5] A.E. White, K.T. Short, R.C. Dynes, J.P. Garno, J.M. Gibson.

Appl. Phys. Lett., 50 (2), 95 (1987).

[6] A.P. Knights, G.R. Carlow, M. Zinke-Allmang, P.J. Simpson.

Phys. Rev. B, 54 (19), 13 955 (1996).

[7] C. Choi, S. Chang, Y. Ok, T. Seong, H. Gan, G. Pan, K. Tu.

J. Electron. Mater., 32 (10), 1072 (2003).

[8] M.A. Harry, G. Gurello, M.S. Finney, K.J. Reeson, B.J. Sealy.

J. Phys. D: Appl. Phys., 29 (7), 1822 (1996).

[9] L.J. Chen, K.N. Tu. Mater. Sci. Rep., 6, 53 (1991).

[10] P. Murarka. Silicides for VLSI Applications (Academic, N. Y., 1983) p. 30.

[11] Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, В.С. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии (Минск, Университетское, 1990).

[12] В.Б. Гусева, А.Ф. Зацепин, В.А. Важенин, B. Schmidt, Н.В. Гаврилов, С.О. Чолах. ФТТ, 47 (4), 650 (2005).

[13] М.В. Власова, Н.Г. Каказей, А.М. Калиниченко, А.С. Литовченко. Радиоспектроскопические свойства неорганических материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987).

[14] С.И. Рембеза. Парамагнитный резонанс в полупроводниках (М., Металлургия, 1988).

[15] Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук. ЖПС, 68 (4), 419 (2001).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.